Substrats SI-GaN autonomes de 2 pouces
Une gaine épitaxienne de qualité de Chine.
Le produit est soumis à un contrôle d'approvisionnement en eau.
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. fabricant de qualité en provenance de Chine.
Nous pouvons fournir:
Le produit doit être présenté sous forme d'une plaquette épi-axiale.
Les produits présentant une teneur en dioxyde de carbone de moins de 0,5% en dioxyde de carbone ne doivent pas être présentés sur le marché.
Le produit doit être présenté sous forme d'une plaquette.
Bienvenue sur notre site officiel: http://www.epi-wafers.com
Le produit est soumis à un contrôle d'approvisionnement en eau.
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. fabricant de qualité en provenance de Chine.
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GaN Epitaxial Wafer
Gaufrette de semi-conducteur de nitrure de gallium
Position libre GaN Substrates
LED bleue GaN Epitaxial Wafer
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GaN 2 pouces de nitrure de gallium en substrat monocristallin
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2 pouces U GaN Substrates SI GaN Substrates 50.8mm
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Substrats SI-GaN autonomes de 2 pouces
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le Fe de visage de 2inch GaN Epitaxial Wafer C a enduit le type position libre de SI
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10*10,5 mm2 C-Face Fe-dopé type SI GaN à base de cristal unique à base de cristal libre Densité de défectuosité macro 0cm−2 TTV ≤ 10 μm Résistivité 106 Ω·Cm Dispositifs RF Wafer
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