Substrats SI-GaN autonomes de 2 pouces

Substrat GaN

October 14, 2024

Category Connection: GaN Epitaxial Wafer

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Une gaine épitaxienne de qualité de Chine.
Le produit est soumis à un contrôle d'approvisionnement en eau.
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. fabricant de qualité en provenance de Chine.
Nous pouvons fournir:
Le produit doit être présenté sous forme d'une plaquette épi-axiale.
Les produits présentant une teneur en dioxyde de carbone de moins de 0,5% en dioxyde de carbone ne doivent pas être présentés sur le marché.
Le produit doit être présenté sous forme d'une plaquette.
Bienvenue sur notre site officiel: http://www.epi-wafers.com

Tags:

#Gaufrette de semi-conducteur de nitrure de gallium #Position libre GaN Substrates #LED bleue GaN Epitaxial Wafer

Substrats SI-GaN autonomes de 2 pouces
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le Fe de visage de 2inch GaN Epitaxial Wafer C a enduit le type position libre de SI
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2 pouces U GaN Substrates SI GaN Substrates 50.8mm
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GaN 2 pouces de nitrure de gallium en substrat monocristallin
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5x10mm2 SP-Face 10-11 Substrate GaN monocristallin de type N non dopé à TTV ≤ 10μm Résistivité 0,05 Ω·cm
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Savez-vous distinguer l'avant et l'arrière des plaquettes GaN?

Affichage de l'emballage du substrat GaN de la gaufre au nitrure de gallium

Système de recuit thermique rapide présenté sur le site de l'exposition

625um à 675um 4 pouces LED bleu de nitrure de gallium GaN Wafer épitaxial sur le saphir SSP Sapphire plat

Substrats U-GaN SI-GaN autoportants pour tranches épitaxiales GaN 375 um