Aperçu Produits

GaN Epitaxial Wafer

Les Meilleurs Produits

Substrat de monocristal de GaN

Wafer épitaxial au GaN dopé

Visage GaN Substrate de C

LA CHINE GaN Epitaxial Wafer

le Fe de visage de 2inch GaN Epitaxial Wafer C a enduit le type position libre de SI

Dimensions:± 50,8 1 millimètre

Nom de produit:GaN Substrates libre

Épaisseur:350 ±25µm
Le Fe a enduit GaN Substrates Resistivity > 10 le ⁶ Ω·Dispositifs RF de cm

Dimensions:± 50,8 1 millimètre

Épaisseur:350 ±25µm

Arc:- ≤ 10µm d'ARC de ≤ de 10µm
Substrats SI-GaN autonomes de 2 pouces

Dimensions:± 50,8 1 millimètre

Épaisseur:350 ±25µm

TTV:≤ 10µm
Avion de la gaufrette de semi-conducteur de nitrure de gallium 325um 375um C

Nom de produit:Substrat de monocristal de GaN

Dimensions:± 50,8 1 millimètre

Épaisseur:350 ±25µm
Substrats U-GaN SI-GaN autoportants pour tranches épitaxiales GaN 375 um

Nom de produit:substrats libres de deux pouces d'U-GaN/SI-GaN

Dimensions:50,8 ± 1mm

Épaisseur:350 ± 25μm
2 pouces U GaN Substrates SI GaN Substrates 50.8mm

Nom de produit:substrats libres de deux pouces d'U-GaN/SI-GaN

Dimensions:50,8 ± 1mm

Épaisseur:350 ± 25μm
L'ONU simple de visage de Crystal GaN Epitaxial Wafer 2inch C a enduit le type de N

Nom de produit:substrats libres de deux pouces d'U-GaN/SI-GaN

Dimensions:50,8 ± 1mm

Épaisseur:350 ± 25μm
gaufrette de semi-conducteur de nitrure de gallium de 50.8mm position libre de 2 pouces

Nom de produit:substrats libres de deux pouces d'U-GaN/SI-GaN

Aspérité de visage de GA:< 0="">

Appartement d'orientation:± 0.5˚, 16 ± 1mm (de 1-100)
Position libre U/SI GaN Epitaxial Wafer 50,8 millimètres 350 um

Nom de produit:substrats libres de deux pouces d'U-GaN/SI-GaN

Dimensions:50,8 ± 1mm

Épaisseur:350 ± 25μm
SP Face 5 X 10mm2 Substrat de nitrure de gallium 350um

Nom de produit:GaN Substrates libre

Épaisseur:350 ±25µm

TTV:≤ 10µm
Plaquette épitaxiale GaN 5x10mm2 Type SI dopé Un

Nom de produit:GaN Single Crystal Substrate libre

Épaisseur:350 ±25µm

TTV:≤ 10µm
Plaquette de nitrure de gallium monocristallin GaN Type SI

Dimensions:² de 5 x de 10mm

Nom de produit:GaN Substrates libre

Épaisseur:350 ±25µm

Page 1 of 6|< << 1 2 3 4 5 6 >> >|

Parcourir les catégories：

GaN Epitaxial Wafer

Substrat de monocristal de GaN

Wafer épitaxial au GaN dopé

Visage GaN Substrate de C

LA CHINE GaN Epitaxial Wafer

le Fe de visage de 2inch GaN Epitaxial Wafer C a enduit le type position libre de SI

Le Fe a enduit GaN Substrates Resistivity > 10 le ⁶ Ω·Dispositifs RF de cm

Substrats SI-GaN autonomes de 2 pouces

Avion de la gaufrette de semi-conducteur de nitrure de gallium 325um 375um C

Substrats U-GaN SI-GaN autoportants pour tranches épitaxiales GaN 375 um

2 pouces U GaN Substrates SI GaN Substrates 50.8mm

L'ONU simple de visage de Crystal GaN Epitaxial Wafer 2inch C a enduit le type de N

gaufrette de semi-conducteur de nitrure de gallium de 50.8mm position libre de 2 pouces

Position libre U/SI GaN Epitaxial Wafer 50,8 millimètres 350 um

SP Face 5 X 10mm2 Substrat de nitrure de gallium 350um

Plaquette épitaxiale GaN 5x10mm2 Type SI dopé Un

Plaquette de nitrure de gallium monocristallin GaN Type SI

GaN Epitaxial Wafer

le Fe de visage de 2inch GaN Epitaxial Wafer C a enduit le type position libre de SI

Le Fe a enduit GaN Substrates Resistivity > 10 le ⁶ Ω·Dispositifs RF de cm

Substrats SI-GaN autonomes de 2 pouces

Gaufrette sic épitaxiale

Plaquette épitaxiale SiC biseautée 150,0 mm + 0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

bord épitaxial de gaufrette de gaufrette de SiC de la forme en cristal 4H biseautant le ± 25.0um de 350.0um

CMP polonais optique de SI-visage de C-visage sic épitaxial de gaufrette de monocristal