LA CHINE GaN Epitaxial Wafer

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  5*10mm2 PS-visage (20-21)/(20-2-1) résistivité libre de type n non dopée de GaN Single Crystal Substrate < 0,1 Ω·cm

  Dimensions:² de 5 x de 10mm

  Épaisseur:350 ±25µm

  TTV:≤ 10µm

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  5*10mm2 A-Face Un-Doped N-Type Free-Standing GaN Monocristal Substrat Résistivité

  Dimensions:² de 5 x de 10mm

  Épaisseur:µm 350 ±25

  Orientation:Un avion (11-20) outre d'angle vers l'avion du M-axe 0 ±0.5° A (11-20) outre de l'angle vers le C-ax

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  10 substrats de GaN autonomes de 10,5 mm2 - 10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm

  Nom de produit:GaN Epitaxial Wafer

  Dimensions:10 x 10,5 mm²

  Épaisseur:350 ±25µm

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  le C-visage 10*10.5mm2 Fe-a enduit GaN Single Crystal Substrate Resistivity libre de type SI > 10 le ⁶ Ω·Gaufrette de dispositifs RF de cm

  Dimensions:10 x 10,5 mm²

  Épaisseur:350 ±25µm

  TTV:µm du ≤ 10

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  10 x 10,5 mm2 C-visage GaN Single Crystal Substrate libre de type n non dopé

  Nom de produit:Substrat de monocristal de GaN

  Dimensions:10 x 10,5 mm²

  Épaisseur:350 ±25µm

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