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GaN Epitaxial Wafer

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Substrat de monocristal de GaN

Wafer épitaxial au GaN dopé

Visage GaN Substrate de C

LA CHINE GaN Epitaxial Wafer

Wafer épitaxial GaN essentiel pour la production de puces haute tension haute fréquence

Le type::Saphir plat

polonais:Côté simple poli (SSP)/double côté poli (DSP)

Dimension:50.8±0,2 mm (2 pouces)/100±0,2 mm ((4 pouces)/150 +0,2 mm (6 pouces)
625um à 675um 4 pouces LED bleu de nitrure de gallium GaN Wafer épitaxial sur le saphir SSP Sapphire plat

Nom du produit:bleu du GaN-sur-saphir 4inch/gaufrette verte de LED

Le type:Saphir plat

Épaisseur:650 ± 25μm
GaN 2 pouces de nitrure de gallium en substrat monocristallin

Quantité de commande min:1

Détails d'emballage:Emballage intérieur: boîte d'emballage spécifique à la gaufre, emballage extérieur: boîte de carton,

Conditions de paiement:T/T
Un seul cristal Gan Epi Wafer Substrate de nitrure de gallium 4 pouces

Quantité de commande min:1

Détails d'emballage:Emballage intérieur: boîte d'emballage spécifique à la gaufre, emballage extérieur: boîte de carton,

Conditions de paiement:T/T
4 pouces de nitrure de gallium GaN en substrat GaN dopé

Quantité de commande min:1

Détails d'emballage:Emballage intérieur: boîte d'emballage spécifique à la gaufre, emballage extérieur: boîte de carton,

Conditions de paiement:T/T
GaN LED verte 2 pouces sur plaquette de silicium Dimension 520 ± 10 nm

Nom de produit:GaN DIRIGÉ PAR vert sur la gaufrette de silicium

Taille:2 pouces 4 pouces

Structure de substrat:111) substrats de 20nmContact layer/145nmpGaN/35nmAlGaN/~10nmGaN-QB/~3Si (
5*10mm2 PS-visage (20-21)/(20-2-1) résistivité libre de type n non dopée de GaN Single Crystal Substrate < 0,05 Ω·cm

Dimensions:² de 5 x de 10mm

Épaisseur:350 ±25µm

TTV:≤ 10µm
PS-visage 5*10mm2 (11-12) GaN Single Crystal Substrate Resistivity libre de type n non dopé < 0,1 Ω·dispositif de puissance de cm

Dimensions:² de 5 x de 10mm

Orientation:avion (de 11-22) outre d'angle vers l'avion du M-axe 0 ±0.5° (11-22) outre de l'angle vers le C-axe

TTV:≤ 10µm
5*10mm2 SP-Face (11-12) Résistivité du substrat monocristallin de GaN non dopé de type N

Dimensions:² de 5 x de 10mm

Épaisseur:350 ±25µm

Orientation:avion (de 11-22) outre d'angle vers l'avion du M-axe 0 ±0.5° (11-22) outre de l'angle vers le C-axe
5*10mm2 M-visage GaN Single Crystal Substrate Resistivity libre de type SI non dopé > 10 ⁶ Ω·Gaufrette de dispositifs RF de cm

Dimensions:² de 5 x de 10mm

Épaisseur:350 ±25µm

Arc:- ≤ 10µm d'ARC de ≤ de 10µm
PS-visage 5*10mm2 (10-11) GaN Single Crystal Substrate Resistivity libre de type n non dopé < 0,05 Ω·cm

Dimensions:² de 5 x de 10mm

Épaisseur:350 ±25µm

TTV:≤ 10µm
PS-visage 5*10mm2 (10-11) GaN Single Crystal Substrate Resistivity libre de type n non dopé <0.1 Ω·dispositif de puissance de cm

Dimensions:² de 5 x de 10mm

Épaisseur:350 ±25µm

Orientation:(10- 11) angle hors plan vers l'axe A 0 ±0,5° (10- 11) angle hors plan vers l'axe C - 1 ±0,2°

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GaN 2 pouces de nitrure de gallium en substrat monocristallin

Un seul cristal Gan Epi Wafer Substrate de nitrure de gallium 4 pouces

4 pouces de nitrure de gallium GaN en substrat GaN dopé

GaN LED verte 2 pouces sur plaquette de silicium Dimension 520 ± 10 nm

5*10mm2 PS-visage (20-21)/(20-2-1) résistivité libre de type n non dopée de GaN Single Crystal Substrate < 0,05 Ω·cm

PS-visage 5*10mm2 (11-12) GaN Single Crystal Substrate Resistivity libre de type n non dopé < 0,1 Ω·dispositif de puissance de cm

5*10mm2 SP-Face (11-12) Résistivité du substrat monocristallin de GaN non dopé de type N

5*10mm2 M-visage GaN Single Crystal Substrate Resistivity libre de type SI non dopé > 10 ⁶ Ω·Gaufrette de dispositifs RF de cm

PS-visage 5*10mm2 (10-11) GaN Single Crystal Substrate Resistivity libre de type n non dopé < 0,05 Ω·cm

PS-visage 5*10mm2 (10-11) GaN Single Crystal Substrate Resistivity libre de type n non dopé <0.1 Ω·dispositif de puissance de cm

GaN Epitaxial Wafer

le Fe de visage de 2inch GaN Epitaxial Wafer C a enduit le type position libre de SI

Le Fe a enduit GaN Substrates Resistivity > 10 le ⁶ Ω·Dispositifs RF de cm

Substrats SI-GaN autonomes de 2 pouces

Gaufrette sic épitaxiale

Plaquette épitaxiale SiC biseautée 150,0 mm + 0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

bord épitaxial de gaufrette de gaufrette de SiC de la forme en cristal 4H biseautant le ± 25.0um de 350.0um

CMP polonais optique de SI-visage de C-visage sic épitaxial de gaufrette de monocristal