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Aperçu ProduitsGaN Epitaxial Wafer

µm du ≤ 10 du µm ±25 TTV de 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate Thickness 350

Certificat
LA CHINE Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. certifications
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µm du ≤ 10 du µm ±25 TTV de 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate Thickness 350

µm du ≤ 10 du µm ±25 TTV de 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate Thickness 350
µm du ≤ 10 du µm ±25 TTV de 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate Thickness 350 µm du ≤ 10 du µm ±25 TTV de 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate Thickness 350 µm du ≤ 10 du µm ±25 TTV de 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate Thickness 350 µm du ≤ 10 du µm ±25 TTV de 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate Thickness 350

Image Grand :  µm du ≤ 10 du µm ±25 TTV de 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate Thickness 350

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: Suzhou Chine
Nom de marque: GaNova
Certification: UKAS/ISO9001:2015
Numéro de modèle: JDCD01-001-002
Conditions de paiement et expédition:
Détails d'emballage: Emballage sous vide dans un environnement de salle blanche de classe 10000, dans des cassettes de 6
Délai de livraison: 3-4 jours de la semaine
Conditions de paiement: T/T
Capacité d'approvisionnement: 10000pcs/Month

µm du ≤ 10 du µm ±25 TTV de 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate Thickness 350

description de
Nom de produit: GaN Epitaxial Wafer Dimensions: 10*10.5mm²
Épaisseur: 350 ±25µm TTV: ≤ 10µm
Arc: - ≤ 10µm d'ARC de ≤ de 10µm Macro densité de défaut: ² 0cm⁻
Mettre en évidence:

10*10

le C-visage 10*10.5mm2 SI-a enduit la résistivité libre de type n de substrat de monocristal de GaN < 0="">


Aperçu
Le substrat de nitrure de gallium (GaN) est un substrat monocristallin de haute qualité. Il est fait avec la méthode originale de HVPE et la technologie transformatrice de gaufrette, qui a été à l'origine développée depuis de nombreuses années. Les caractéristiques sont uniformité cristalline et bonne élevée, et qualité extérieure supérieure.

10 x 10,5 mm2 GaN Substrates libre
Article GaN-FS-C-U-S10 GaN-FS-C-N-S10 GaN-FS-C-SI-S10

µm du ≤ 10 du µm ±25 TTV de 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate Thickness 350 0

Remarques :
Un angle circulaire d'arc (R < 2="" mm="">

Dimensions 10 x 10,5 millimètres2
Épaisseur µm 350 ±25
Orientation Avion de C (0001) outre d'angle vers le M-axe 0,35 ±0.15°
Type de conduction de type n de type n Semi-isolant
Résistivité (300K) < 0=""> < 0=""> > 106 Ω·cm
TTV µm du ≤ 10
Arc - 10 µm du ≤ 10 d'ARC de ≤ de µm
Aspérité de visage de GA < 0=""> ou < 0="">
Aspérité de visage de N 0,5 μm ~1,5
option : 1~3 nanomètre (la terre fine) ; < 0="">
Densité de dislocation De 1 x 105 à 3 x 106 cm2 (calculés par le CL) *
Macro densité de défaut 0 cm2
Secteur utilisable > 90% (exclusion de bord)
Paquet Emballé dans un environnement de pièce propre de la classe 100, dans le conteneur de 6 PCS, sous une atmosphère d'azote

normes de *National de la Chine (GB/T32282-2015)

Au sujet de nous

Nous nous spécialisons en transformant un grand choix de matériaux en gaufrettes, substrats et parts.components en verre optique adapté aux besoins du client très utilisés dans l'électronique, l'optique, l'électronique opto et beaucoup d'autres domaines. Nous également avions travaillé étroitement avec beaucoup de domestiques et les universités, les instituts de recherche et les sociétés d'outre-mer, fournissent les produits et services adaptés aux besoins du client pour leurs projets de R&D. C'est notre vision à maintenir de bonnes relations de coopération avec nos tous les clients par nos bonnes réputations.

FAQ

Q : Est-vous société commerciale ou le fabricant ?
Nous sommes usine.
Q : De quelle longueur est-il votre délai de livraison ?
Généralement c'est de 3-5 jours si les marchandises sont en stock.
ou c'est de 7-10 jours si les marchandises ne sont pas en stock, il est selon la quantité.
Q : Fournissez-vous des échantillons ? est-lui librement ou supplémentaire ?
Oui, nous pourrions offrir l'échantillon pour la charge libre mais ne payons pas le coût de fret.
Q : Quelles sont vos conditions de paiement ?
Paiement <> >=5000USD, 80% T/T de paiement à l'avance, équilibre avant expédition.

Coordonnées
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Personne à contacter: Xiwen Bai (Ciel)

Téléphone: +8613372109561

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