Détails sur le produit:
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Nom de produit: | substrats libres de deux pouces d'U-GaN/SI-GaN | Dimensions: | 50,8 ± 1mm |
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Épaisseur: | 350 ± 25μm | Appartement d'orientation: | ± 0.5˚, 16 ± 1mm (de 1-100) |
Appartement secondaire d'orientation: | ± 3˚, 8 ± 1mm (de 11-20) | Aspérité de visage de GA: | < 0=""> |
Mettre en évidence: | Plaquette épitaxiale GaN 375um,plaquette de nitrure de gallium UKAS,plaquette épitaxiale GaN 50 |
350 ± 25 μm (11-20) ± 3o, 8 ± 1 mm 2 pouces Substrats U-GaN/SI-GaN autonomes
Face C 2 pouces Substrat monocristallin de GaN non dopé de type n Résistivité < 0,1 Ω·cm Dispositif d'alimentation/plaquette laser
Aperçu
La norme dans l'industrie des matériaux semi-conducteurs spécifie la méthode de test de la rugosité de surface du substrat monocristallin de GaN avec un microscope à force atomique, qui s'applique aux substrats monocristallins de GaN développés par dépôt chimique en phase vapeur et d'autres méthodes avec une rugosité de surface inférieure à 10 nm.
Substrats U-GaN/SI-GaN autonomes de 2 pouces | |||||||
Excellent niveau (S) |
Niveau de production(A) |
Recherche niveau (B) |
Factice niveau (C) |
Note: (1) Surface utile : exclusion des défauts de bord et de macro (2) 3 points : les angles de coupe des positions (2, 4, 5) sont de 0,35 ± 0,15o |
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S-1 | S-2 | A-1 | A-2 | ||||
Dimensions | 50,8 ± 1mm | ||||||
Épaisseur | 350 ± 25 μm | ||||||
Appartement d'orientation | (1-100) ± 0,5o, 16 ± 1mm | ||||||
Appartement d'orientation secondaire | (11-20) ± 3o, 8 ± 1mm | ||||||
Résistivité (300K) |
< 0,5 Ω·cm pour le type N (non dopé ; GaN-FS-CU-C50) ou > 1 x 106Ω·cm pour semi-isolant (dopé Fe ; GaN-FS-C-SI-C50) |
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TTV | ≤ 15 μm | ||||||
ARC | ≤ 20 μm ≤ 40 μm | ||||||
Ga rugosité de la surface de la face |
< 0,2 nm (poli) ou < 0,3 nm (poli et traitement de surface pour épitaxie) |
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N rugosité de la surface de la face |
0,5 ~ 1,5 μm option : 1~3 nm (sol fin) ;< 0,2 nm (poli) |
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Emballer | Emballé dans une salle blanche dans un seul conteneur de plaquettes | ||||||
Surface utilisable | > 90% | >80 % | >70 % | ||||
Densité de luxation | <9.9x105cm-2 | <3x106cm-2 | <9.9x105cm-2 | <3x106cm-2 | <3x106cm-2 | ||
Orientation : plan C (0001) hors angle vers l'axe M |
0,35 ± 0,15o (3 points) |
0,35 ± 0,15o (3 points) |
0,35 ± 0,15o (3 points) |
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Densité de défauts macro (trou) | 0cm-2 | < 0,3 cm-2 | < 1cm-2 | ||||
Taille max des macro défauts | < 700 μm | < 2000 μm | < 4000 μm |
À propos de nous
Nous nous spécialisons dans le traitement d'une variété de matériaux en plaquettes, substrats et pièces en verre optique personnalisées. Composants largement utilisés dans l'électronique, l'optique, l'optoélectronique et de nombreux autres domaines.Nous avons également travaillé en étroite collaboration avec de nombreuses universités, institutions de recherche et entreprises nationales et étrangères, fournissant des produits et services personnalisés pour leurs projets de R&D.C'est notre vision de maintenir une bonne relation de coopération avec tous nos clients grâce à notre bonne réputation.
FAQ
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Nous sommes usine.
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Oui, nous pourrions offrir l'échantillon gratuitement mais ne payons pas les frais de transport.
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Personne à contacter: Xiwen Bai (Ciel)
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