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Détails sur le produit:
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| Dimensions: | ± 50,8 1 millimètre | Épaisseur: | 350 ±25µm |
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| Arc: | - ≤ 10µm d'ARC de ≤ de 10µm | Macro densité de défaut: | ² 0cm⁻ |
| Secteur utilisable: | > 90% (exclusion de bord) | Nom de produit: | GaN Substrates libre |
| Normes nationales de la Chine: | GB/T32282-2015 | ||
| Mettre en évidence: | OIN GaN Substrates,gaufrette de semi-conducteur gan,Le Fe a enduit GaN Substrates |
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le C-visage 2inch Fe-a enduit la résistivité libre de type SI de substrat de monocristal de GaN > 106 Ω·dispositifs RF de cm
La tension claque réalisée de la couche épitaxiale Fe-enduite de GaN peut être aussi haute que 2457 V, qui est attribuée à la couche épitaxiale Fe-enduite de GaN avec plus de haute résistance, qui peut soutenir la tension claque élevée. Les détails de la corrélation entre la morphologie extérieure, la concentration en Fe, et l'épaisseur des couches épitaxiales Fe-enduites de GaN utilisées pour les dispositifs élevés de tension claque seront également discutés en ce document.
| substrats SI-GaN libres de deux pouces | ||||||||
| Excellent niveau (s) | Niveau de production (a) | Niveau de recherches (b) | Niveau factice (c) |
Note : (1) secteur utilisable : bord et macro exclusion de défauts (2) 3 points : le miscut pêche des positions (2, 4, 5) sont 0,35 ± 0,15o |
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| S1 | S-2 | A-1 | A-2 | |||||
| Dimension | ± 50,8 1 millimètre | |||||||
| Épaisseur | 350 μm du ± 25 | |||||||
| Appartement d'orientation | ± 0,5o, (de 1-100) ± 16 1 millimètre | |||||||
| Appartement secondaire d'orientation | ± 3o, (de 11-20) ± 8 1 millimètre | |||||||
| Résistivité (300K) | > 1 x 106 Ω·cm pour semi-isolant (Fe-enduit ; GaN-FS-C-SI-C50) | |||||||
| TTV | μm du ≤ 15 | |||||||
| ARC | μm du ≤ 20 | μm du ≤ 40 | ||||||
| Aspérité de visage de GA |
< 0=""> ou < 0=""> |
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| Aspérité de visage de N |
0,5 μm ~1,5 option : 1~3 nanomètre (la terre fine) ; < 0=""> |
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| Paquet | Emballé dans un cleanroom dans le conteneur simple de gaufrette | |||||||
| Secteur utilisable | > 90% | >80% | >70% | |||||
| Densité de dislocation | <9>cm2 x105 | <3x10>6 cm2 | <9>5 cm2 | <3>cm2 x106 | <3x10>6 cm2 | |||
| Orientation : Avion de C (0001) outre d'angle vers le M-axe |
0,35 ± 0,15o (3 points) |
0,35 ± 0,15o (3 points) |
0,35 ± 0,15o (3 points) |
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| Macro densité de défaut (trou) | 0 cm2 | < 0="">-2 | < 1="" cm="">-2 | |||||
| Taille maximum de macro défauts | < 700=""> | < 2000=""> | < 4000=""> | |||||
* normes nationales de la Chine (GB/T32282-2015)
Au sujet de nous
Nous nous spécialisons en transformant un grand choix de matériaux en gaufrettes, substrats et parts.components en verre optique adapté aux besoins du client très utilisés dans l'électronique, l'optique, l'électronique opto et beaucoup d'autres domaines. Nous également avions travaillé étroitement avec beaucoup de domestiques et les universités, les instituts de recherche et les sociétés d'outre-mer, fournissent les produits et services adaptés aux besoins du client pour leurs projets de R&D. C'est notre vision à maintenir de bonnes relations de coopération avec nos tous les clients par nos bonnes réputations.
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Paiement <>
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