LA CHINE Sapphire Wafer

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  le miroir de 50mm Sapphire Wafer R9 a poli le type prêt du bord R de gaufrette d'EPI

  Diamètre:50,8 ±0.10

  Orientation extérieure:Un-avion (11-20)

  Marque de laser:Comme client requis

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  Thk 430um Sapphire Substrate Crystal Orientation C/M0.2

  Orientation extérieure:Un-avion (11-20)

  Matériel:₃ du ₂ O d'Al de grande pureté (>99.995%)

  Épaisseur:430±15μm

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  Une orientation de surface plane Plaquette de saphir polie miroir EPI Ready

  Orientation extérieure:Un-avion (11-20)

  Matériel:₃ du ₂ O d'Al de grande pureté (>99.995%)

  Épaisseur:430 ±15μm

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  Plaquette de substrat saphir Al2O3 50 mm de haute pureté Thk 430 μm

  Orientation extérieure:Un-avion (11-20)

  Matériel:₃ du ₂ O d'Al de grande pureté (>99.995%)

  Épaisseur:430±15μm

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  A Plane Saphir Wafer Poli Miroir EPI Ready

  Nom de produit:Sapphire Substrate Wafer

  Orientation extérieure:Un-avion (11-20)

  Matériel:₃ du ₂ O d'Al de grande pureté (>99.995%)

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  Le type prêt miroir d'EPI Sapphire Substrate Wafer Edge R a poli

  Orientation extérieure:Un-avion (11-20)

  Matériel:Grande pureté Al2O3 (>99.995%)

  Épaisseur:430 ±10μm

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  Orientation Cristal C/M0.2 Plaquette Saphir Épaisseur 440μm

  Orientation extérieure:Un-avion (11-20)

  Matériel:₃ du ₂ O d'Al de grande pureté (>99.995%)

  Épaisseur:430 ±10μm

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  Sapphire Substrate Wafer Thk plate 440um de la longueur (millimètre) puce de 16 LED

  Orientation extérieure:Un-avion (11-20)

  Nom de produit:50mm Sapphire Substrate Wafer

  Matériel:₃ du ₂ O d'Al de grande pureté (>99.995%)

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  Haute pureté Al2O3 > 99,995 % de plaquette de saphir poli miroir EPI Ready

  Orientation extérieure:Un-avion (11-20)

  Matériel:₃ du ₂ O d'Al de grande pureté (>99.995%)

  Épaisseur:430 ±15μm

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  Crystal Orientation C/M0.2 50mm Sapphire Substrate Wafer Thk 420um

  Orientation extérieure:Un-avion (11-20)

  Matériel:₃ du ₂ O d'Al de grande pureté (>99.995%)

  Épaisseur:430 ±15μm

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  Plaquette de saphir de type R de 50 mm d'épaisseur 420 μm de longueur (mm) Puce de 16 LED

  Nom de produit:Sapphire Substrate Wafer

  Matériel:₃ du ₂ O d'Al de grande pureté (>99.995%)

  Bord de gaufrette:de type r

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  Optoélectronique Polissage Saphir Cristal Wafer Type R

  Orientation extérieure:Un-avion (11-20)

  Matériel:₃ du ₂ O d'Al de grande pureté (>99.995%)

  Épaisseur:430 ±15μm

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