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le miroir de 50mm Sapphire Wafer R9 a poli le type prêt du bord R de gaufrette d'EPI

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le miroir de 50mm Sapphire Wafer R9 a poli le type prêt du bord R de gaufrette d'EPI

le miroir de 50mm Sapphire Wafer R9 a poli le type prêt du bord R de gaufrette d'EPI
le miroir de 50mm Sapphire Wafer R9 a poli le type prêt du bord R de gaufrette d'EPI

Image Grand :  le miroir de 50mm Sapphire Wafer R9 a poli le type prêt du bord R de gaufrette d'EPI

Détails sur le produit:
Numéro de modèle: JDCD08-001-001
Conditions de paiement et expédition:
Détails d'emballage: Emballage sous vide dans un environnement de salle blanche de classe 10000, dans des cassettes de 25
Conditions de paiement: T/T

le miroir de 50mm Sapphire Wafer R9 a poli le type prêt du bord R de gaufrette d'EPI

description de
Diamètre: 50,8 ±0.10 Orientation extérieure: Un-avion (11-20)
Marque de laser: Comme client requis Bord de gaufrette: de type r
Matériel: ₃ du ₂ O d'Al de grande pureté (>99.995%) Épaisseur: 430 ±15μm
Mettre en évidence:

50mm Sapphire Wafer

,

Gaufrette prête d'EPI polie par miroir

,

Sapphire Wafer R9

LemiroirR9 d'Al2O3>99.995%de grande puretéa polilebordEPI-prêtdegaufrettede typer

JDCD08-001-001 gaufrette de substrat de saphir du diamètre 50mm, Thk 430μm, orientation en cristal C/M0.2, de la longueur (millimètre) puce de 16 LED, matériel de substrat

La haute performance des dispositifs basés sur du silicium (SI) et du germanium (GE) peut être faite à Sapphire Substrate traversante possible, qui permet à des jeux de puces d'être très rapides dans la représentation. La présence du SI et de la GE assure la mobilité des électrons élevée et la basse densité jumelle de défaut dans les jeux de puces. La mobilité des électrons dans les dispositifs de SiGe est plus haute que dans le cas des dispositifs de SI.

Paramètres

Spécifications
Unité Cible Tolérance
Matériel Al2 O3 (>99.995%) de grande pureté
Diamètre millimètre 50,8 ±0.10
Épaisseur μm 430 ±15
Orientation extérieure C-avion (0001)
- Outre de l'angle vers le M-axe degré 0,20 ±0.10
- Outre de l'angle vers l'Un-axe degré 0,00 ±0.10
Orientation plate Un-avion (11-20)
- Angle excentré plat degré 0,0 ±0.2
Longueur plate millimètre 16,0 ±1
R-avion R9
Aspérité avant (Ra) nanomètre <0.3
Aspérité arrière μm 0.8~1.2μm
Qualité extérieure avant Le miroir a poli, EPI-prêt
Bord de gaufrette de type r
Amplitude de chanfrein μm 80-160
Radian inclus d'angle entre le bord plat et le bord rond millimètre R=9
TTV μm ≤5
LTV (5x5mm) μm ≤1.5
Arc μm 0~-5
Chaîne μm ≤10
Marque de laser Comme client requis

Au sujet de nous

Nous nous spécialisons en transformant un grand choix de matériaux en gaufrettes, substrats et parts.components en verre optique adapté aux besoins du client très utilisés dans l'électronique, l'optique, l'électronique opto et beaucoup d'autres domaines. Nous également avions travaillé étroitement avec beaucoup de domestiques et les universités, les instituts de recherche et les sociétés d'outre-mer, fournissent les produits et services adaptés aux besoins du client pour leurs projets de R&D. C'est notre vision à maintenir de bonnes relations de coopération avec nos tous les clients par nos bonnes réputations.

FAQ

Q : Est-vous société commerciale ou le fabricant ?
Nous sommes usine.
Q : De quelle longueur est-il votre délai de livraison ?
Généralement c'est de 3-5 jours si les marchandises sont en stock.
ou c'est de 7-10 jours si les marchandises ne sont pas en stock, il est selon la quantité.
Q : Fournissez-vous des échantillons ? est-lui librement ou supplémentaire ?
Oui, nous pourrions offrir l'échantillon pour la charge libre mais ne payons pas le coût de fret.
Q : Quelles sont vos conditions de paiement ?
Paiement <> >=5000USD, 80% T/T de paiement à l'avance, équilibre avant expédition.

Coordonnées
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Personne à contacter: Xiwen Bai (Ciel)

Téléphone: +8613372109561

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