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A Plane Saphir Wafer Poli Miroir EPI Ready

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A Plane Saphir Wafer Poli Miroir EPI Ready

A Plane Saphir Wafer Poli Miroir EPI Ready
A Plane Saphir Wafer Poli Miroir EPI Ready

Image Grand :  A Plane Saphir Wafer Poli Miroir EPI Ready

Détails sur le produit:
Numéro de modèle: JDCD08-001-002
Conditions de paiement et expédition:
Détails d'emballage: Emballage sous vide dans un environnement de salle blanche de classe 10000, dans des cassettes de 25
Conditions de paiement: T/T

A Plane Saphir Wafer Poli Miroir EPI Ready

description de
Nom de produit: Sapphire Substrate Wafer Orientation extérieure: Un-avion (11-20)
Matériel: ₃ du ₂ O d'Al de grande pureté (>99.995%) Épaisseur: 430 ±10μm
R-avion: R9 Diamètre: 50,8 ±0.10
Mettre en évidence:

Une plaquette de saphir plane

,

une plaquette al2o3 prête pour l'EPI

,

une plaquette de saphir polie miroir

Diamètre 50 mm Saphir Substrat Wafer Poli Miroir EPI-Ready

JDCD08-001-001 Plaquette de substrat en saphir de diamètre 50 mm, épaisseur 430 μm, orientation cristalline C/M0.2, longueur OF (mm) 16 puce LED, matériau de substrat

Les substrats en saphir ne sont jamais commandés un par un.Au lieu de cela, les commandes de cet article sont toujours passées en gros car elles sont utilisées dans de grandes industries telles que celle des semi-conducteurs.Dans certains cas, les fabricants de substrats exigent des entreprises qu'elles passent une commande minimale.Avant de passer une commande, n'oubliez pas de vérifier le même, car il peut varier d'une entreprise à l'autre.

 

Paramètres

spécification
Unité Cible Tolérance
Matériel Al2O3 de haute pureté (> 99,995 %)
Diamètre millimètre 50,8 ±0,10
Épaisseur μm 430 ±10
Orientation des surfaces A-Plane (11-20)
-Off Angle vers l'axe M degré 0,00 ±0,10
-Off Angle vers l'axe A degré 0,00 ±0,10
Orientation à plat Plan C (0001)
-Angle de décalage plat degré 0.0 ±0,2
Longueur à plat millimètre 16.0 ±1
Plan R R9
Rugosité de la surface avant(Ra) nm <0,3
Surface arrière Rugosité μm 0.9~1.2μm
Qualité de la face avant Miroir poli, EPI-Ready
Bord de plaquette Type R
Amplitude de chanfrein μm 80-160
Angle radian inclus entre bord plat et bord rond millimètre R=9
TTV μm ≤5
LTV(5x5mm) μm ≤1.5
Arc μm 0~-5
Chaîne μm ≤10
Marquage laser   Comme client requis

 

 

À propos de nous

Nous nous spécialisons dans le traitement d'une variété de matériaux en plaquettes, substrats et pièces en verre optique personnalisées. Composants largement utilisés dans l'électronique, l'optique, l'optoélectronique et de nombreux autres domaines.Nous avons également travaillé en étroite collaboration avec de nombreuses universités, institutions de recherche et entreprises nationales et étrangères, fournissant des produits et services personnalisés pour leurs projets de R&D.C'est notre vision de maintenir une bonne relation de coopération avec tous nos clients grâce à notre bonne réputation.

 

 

FAQ

Q : Êtes-vous une société commerciale ou un fabricant ?
Nous sommes usine.
Q : Combien de temps dure votre délai de livraison ?
Généralement, il est de 3 à 5 jours si les marchandises sont en stock.
ou c'est 7-10 jours si les marchandises ne sont pas en stock, c'est selon la quantité.
Q : Fournissez-vous des échantillons ?est-ce gratuit ou en supplément ?
Oui, nous pourrions offrir l'échantillon gratuitement mais ne payons pas les frais de transport.
Q : Quelles sont vos conditions de paiement ?
Paiement <=5000USD, 100% à l'avance.
Paymen> = 5000USD, 80% T/T à l'avance, solde avant expédition.

 

Coordonnées
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Personne à contacter: Xiwen Bai (Ciel)

Téléphone: +8613372109561

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