LA CHINE Plaquette Ga2O3

Gaufrette Crystal Substrate Thickness simple de FWHM<350arcsec Ga2O3 0.6mm à 0.8mm

Épaisseur:0.6~0.8mm

Nom de produit:Crystal Substrate simple

Orientation:(010)
Épaisseur monocristalline polie latérale simple de substrat de Ga2O3 0.6mm 0.8mm

Ra:≤0.5nm

Épaisseur:0.6~0.8mm

Nom de produit:Crystal Substrate simple
gaufrette Ga2O3 10x15mm Crystal Substrate de 10x10mm simple

Orientation:(010) (201)

Dimensions:10*10mm ; 10*15mm

Nom de produit:Crystal Substrate simple
Dopage simple de Crystal Gallium Oxide Substrate UID de semi-conducteur

Épaisseur:0.6~0.8mm

Nom de produit:Crystal Substrate simple

Orientation:(010) (201)
10x15mm2 UID a dopé le polissage simple debout libre de galette de Ga2O3

Épaisseur:0.6~0.8mm

Nom de produit:Crystal Substrate simple

Orientation:(010) (201)
Plaquette épitaxiale monocristalline de Ra 0.3nm Ga2O3 2 pouces 4 pouces

Nom de produit:Crystal Substrate simple

Épaisseur:0.6~0.8mm

Orientation:(201)
Substrat monocristallin 10x10mm2 de galette de Ga2O3 de dopage de Sn

Épaisseur:0.6~0.8mm

Nom de produit:Crystal Substrate simple

Orientation:(201)
Ga2O3 Fe a dopé la position libre du substrat monocristallin de gaufrette 10x10mm2

FWHM:<350arcsec>

Surface polie:Côté simple poli

Épaisseur:0.6~0.8mm
Ga2O3 gaufrette polie latérale simple Crystal Substrate simple

Nom de produit:Crystal Substrate simple

Épaisseur:0.6~0.8mm

Surface polie:Côté simple poli
0.6mm 0.8mm Ga2O3 Crystal Substrate Single Polishing simple

Nom de produit:Crystal Substrate simple

Orientation:(201)

Surface polie:Côté simple poli
JDCD04-001-007 10x10mm2(010)Sn-Doped Free-Standing Ga2O3 Monocristal Substrat Product Grade Single Polishing

Épaisseur:0.6~0.8mm

Nom de produit:Crystal Substrate simple

Orientation:(101)
JDCD04-001-002 10x10mm2 (- 201) Sn-a enduit le polonais simple simple libre de Ga2O3 Crystal Substrate Product Grade

Épaisseur:0.6~0.8mm

Nom de produit:Crystal Substrate simple

Orientation:(201)

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Plaquette Ga2O3

LA CHINE Plaquette Ga2O3

Gaufrette Crystal Substrate Thickness simple de FWHM<350arcsec Ga2O3 0.6mm à 0.8mm

Épaisseur monocristalline polie latérale simple de substrat de Ga2O3 0.6mm 0.8mm

gaufrette Ga2O3 10x15mm Crystal Substrate de 10x10mm simple

Dopage simple de Crystal Gallium Oxide Substrate UID de semi-conducteur

10x15mm2 UID a dopé le polissage simple debout libre de galette de Ga2O3

Plaquette épitaxiale monocristalline de Ra 0.3nm Ga2O3 2 pouces 4 pouces

Substrat monocristallin 10x10mm2 de galette de Ga2O3 de dopage de Sn

Ga2O3 Fe a dopé la position libre du substrat monocristallin de gaufrette 10x10mm2

Ga2O3 gaufrette polie latérale simple Crystal Substrate simple

0.6mm 0.8mm Ga2O3 Crystal Substrate Single Polishing simple

JDCD04-001-007 10x10mm2(010)Sn-Doped Free-Standing Ga2O3 Monocristal Substrat Product Grade Single Polishing

JDCD04-001-002 10x10mm2 (- 201) Sn-a enduit le polonais simple simple libre de Ga2O3 Crystal Substrate Product Grade

GaN Epitaxial Wafer

le Fe de visage de 2inch GaN Epitaxial Wafer C a enduit le type position libre de SI

Le Fe a enduit GaN Substrates Resistivity > 10 le ⁶ Ω·Dispositifs RF de cm

Substrats SI-GaN autonomes de 2 pouces

Gaufrette sic épitaxiale

Plaquette épitaxiale SiC biseautée 150,0 mm + 0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

bord épitaxial de gaufrette de gaufrette de SiC de la forme en cristal 4H biseautant le ± 25.0um de 350.0um

CMP polonais optique de SI-visage de C-visage sic épitaxial de gaufrette de monocristal