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Dopage simple de Crystal Gallium Oxide Substrate UID de semi-conducteur

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Dopage simple de Crystal Gallium Oxide Substrate UID de semi-conducteur

Dopage simple de Crystal Gallium Oxide Substrate UID de semi-conducteur
Dopage simple de Crystal Gallium Oxide Substrate UID de semi-conducteur

Image Grand :  Dopage simple de Crystal Gallium Oxide Substrate UID de semi-conducteur

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: Suzhou Chine
Nom de marque: GaNova
Certification: UKAS/ISO9001:2015
Numéro de modèle: JDCD04-001-005
Conditions de paiement et expédition:
Détails d'emballage: Emballage sous vide dans un environnement de salle blanche de classe 10000, dans des cassettes de 6
Délai de livraison: 3-4 jours de la semaine

Dopage simple de Crystal Gallium Oxide Substrate UID de semi-conducteur

description de
Épaisseur: 0.6~0.8mm Nom de produit: Crystal Substrate simple
Orientation: (010) (201) Dopage: UID
FWHM: <350arcsec> Ra: ≤0.5nm
Mettre en évidence:

Substrat simple de Crystal Gallium Oxide

,

OIN de gaufrette de semi-conducteur

,

Dopage du substrat UID d'oxyde de gallium

GA2O3 Crystal Substrate Thickness simple 0.6~0.8mm FWHM<350arcsec>

10x15mm2 (- 201) UID-a enduit l'épaisseur de polissage simple 0.6~0.8mm FWHM<350arcsec de GA2O3 de monocristal de substrat de catégorie libre de produit, les dispositifs optoélectroniques de la résistance 4.13E+17Ω/cm-3 de Ra≤0.5nm, les couches d'isolation de matériaux de semi-conducteur, et les filtres UV

Le monocristal de l'oxyde de gallium (GA2 O3) est un matériel large-bandgap de semi-conducteur. L'oxyde de gallium (GA2 O3) a de larges perspectives d'application dans des dispositifs optoélectroniques, il a employé comme couche d'isolation pour les matériaux basés sur GA de semi-conducteur, et comme filtre d'ultraviolets.


Il y a cinq phases cristallines de GA2 O3, mais bêta-GA2 O3 est le seul qui peut exister stablement à température élevée. Β-GA2 O3 est un nouveau type de matériel transparent de semi-conducteur de bandgap de la taille ultra avec une largeur de bande interdite environ par exemple de l'eV =4.8, qui approprié à fabriquer les dispositifs de puissance verticaux de structure de puissance élevée avec la densité à forte intensité. Il a des perspectives d'application dans les domaines des détecteurs d'ultraviolets, des diodes électroluminescentes (LED) et des capteurs de gaz.

Substrat de nitrure de gallium--Niveau de recherches
Dimensions 10*10mm 10*15mm
Épaisseur 0.6~0.8mm
Orientation (010) (201)
Dopage UID
Surface polie Côté simple poli
Resistivity/Nd-Na / 4.13E+17
FWHM <350arcsec>
Ra ≤0.5nm
Paquet Emballé dans un environnement de pièce propre de la classe 100, sous une atmosphère d'azote

Au sujet de nous

Nous nous spécialisons en transformant un grand choix de matériaux en gaufrettes, substrats et parts.components en verre optique adapté aux besoins du client très utilisés dans l'électronique, l'optique, l'électronique opto et beaucoup d'autres domaines. Nous également avions travaillé étroitement avec beaucoup de domestiques et les universités, les instituts de recherche et les sociétés d'outre-mer, fournissent les produits et services adaptés aux besoins du client pour leurs projets de R&D. C'est notre vision à maintenir de bonnes relations de coopération avec nos tous les clients par nos bonnes réputations.

FAQ

Q : Est-vous société commerciale ou le fabricant ?
Nous sommes usine.
Q : De quelle longueur est-il votre délai de livraison ?
Généralement c'est de 3-5 jours si les marchandises sont en stock.
ou c'est de 7-10 jours si les marchandises ne sont pas en stock, il est selon la quantité.
Q : Fournissez-vous des échantillons ? est-lui librement ou supplémentaire ?
Oui, nous pourrions offrir l'échantillon pour la charge libre mais ne payons pas le coût de fret.
Q : Quelles sont vos conditions de paiement ?
Paiement <> >=5000USD, 80% T/T de paiement à l'avance, équilibre avant expédition.

Coordonnées
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Personne à contacter: Xiwen Bai (Ciel)

Téléphone: +8613372109561

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