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Gaufrette sic épitaxiale
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ga2o3 substrate single crystal fabrication en ligne

(13)

Épaisseur monocristalline polie latérale simple de substrat de Ga2O3 0.6mm 0.8mm
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2023-02-17 14:30:35

Gaufrette Crystal Substrate Thickness simple de FWHM<350arcsec Ga2O3 0.6mm à 0.8mm
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2023-02-17 14:17:37

Dopage simple de Crystal Gallium Oxide Substrate UID de semi-conducteur
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2022-10-09 10:30:43

Ga2O3 Fe a dopé la position libre du substrat monocristallin de gaufrette 10x10mm2
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2022-10-09 10:34:19

JDCD04-001-003 10x10mm2 100 ((Off 6°) Fe dopé en position libre Ga2O3 Substrate monocristallin Qualité du produit Polissage unique
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2025-04-27 11:43:51

JDCD04-001-002 10x10mm2 (- 201) Sn-a enduit le polonais simple simple libre de Ga2O3 Crystal Substrate Product Grade
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2025-04-27 11:43:51

JDCD04-001-007 10x10mm2(010)Sn-Doped Free-Standing Ga2O3 Monocristal Substrat Product Grade Single Polishing
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2025-04-27 11:43:51

Plaquette épitaxiale monocristalline de Ra 0.3nm Ga2O3 2 pouces 4 pouces
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2023-02-17 14:34:04

Ga2O3 gaufrette polie latérale simple Crystal Substrate simple
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2024-10-29 11:49:58

10x15mm2 UID a dopé le polissage simple debout libre de galette de Ga2O3
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2022-09-27 16:57:32

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GaN Epitaxial Wafer

le Fe de visage de 2inch GaN Epitaxial Wafer C a enduit le type position libre de SI

Le Fe a enduit GaN Substrates Resistivity > 10 le ⁶ Ω·Dispositifs RF de cm

Substrats SI-GaN autonomes de 2 pouces

Gaufrette sic épitaxiale

Plaquette épitaxiale SiC biseautée 150,0 mm + 0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

bord épitaxial de gaufrette de gaufrette de SiC de la forme en cristal 4H biseautant le ± 25.0um de 350.0um

CMP polonais optique de SI-visage de C-visage sic épitaxial de gaufrette de monocristal