LA CHINE gaufrette de silicium

0.001-100 ohm-cm Plaquette de silicium Type P Dopant au bore

Diamètre:2"

Catégorie:Principal

Méthode de croissance:LA CZ
Substrats discrets P/P P/E E/PAR EXEMPLE extérieur des dispositifs SI de /G fini

Méthode de croissance:LA CZ

Diamètre:2"

Catégorie:Principal
2" principal μm <10 Capabilities<5um standard de gaufrette de silicium maximum

Diamètre:2"

Catégorie:Principal

Méthode de croissance:LA CZ
Substrat primaire de plaquette épitaxiale de silicium microélectronique 279um

Catégorie:Principal

Méthode de croissance:LA CZ

Type/dopant:Type de P/bore, type de N/Phos, N Type/As, N Type/Sb
Type gaufrette de silicium de Phos 3" de N épaisseur 279um 380um 525um 625um

Type/dopant:Type de P/bore, type de N/Phos, N Type/As, N Type/Sb

Épaisseur(μm):279

Tolérance d'épaisseur:± standard 25μm, ± maximum 5μm de capacités
4" 5" 6" type de la gaufrette P de SI/type du bore N/comme type/Sb de N

Diamètre:2"

Catégorie:Principal

Méthode de croissance:LA CZ
Gaufrette de silicium de la CZ de méthode de croissance 5" orientation <1-0-0>, <1-1-1>, <1-1-0>

Diamètre:2"

Catégorie:Principal

Méthode de croissance:LA CZ
Dispositifs semi-conducteurs Plaquette de substrat de silicium de 2 pouces 8 '' 12 ''

Diamètre:2"

Catégorie:Principal

Méthode de croissance:LA CZ
Type de N type du Sb N comme gaufrette de silicium 6 pouces 8 pouces

Méthode de croissance:LA CZ

Orientation:<1-0-0><1-1-1>,<1-1-0>

Type/dopant:Type de P/bore, type de N/Phos, N Type/As, N Type/Sb
Plaquette de semi-conducteur de silicium CZ 380um 525um 625um

Orientation:<1-0-0><1-1-1>,<1-1-0>

Épaisseur(μm):279

Tolérance d'épaisseur:± standard 25μm, ± maximum 5μm de capacités
Type type Phos de la gaufrette de silicium de 12 pouces P du bore N

Diamètre:12"

Catégorie:Principal

Méthode de croissance:LA CZ
Le silicium surface de gaufrette de 8 pouces a fini P/P P/E E/PAR EXEMPLE /G

Diamètre:8"

Catégorie:Principal

Méthode de croissance:LA CZ

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gaufrette de silicium

LA CHINE gaufrette de silicium

0.001-100 ohm-cm Plaquette de silicium Type P Dopant au bore

Substrats discrets P/P P/E E/PAR EXEMPLE extérieur des dispositifs SI de /G fini

2" principal μm <10 Capabilities<5um standard de gaufrette de silicium maximum

Substrat primaire de plaquette épitaxiale de silicium microélectronique 279um

Type gaufrette de silicium de Phos 3" de N épaisseur 279um 380um 525um 625um

4" 5" 6" type de la gaufrette P de SI/type du bore N/comme type/Sb de N

Gaufrette de silicium de la CZ de méthode de croissance 5" orientation <1-0-0>, <1-1-1>, <1-1-0>

Dispositifs semi-conducteurs Plaquette de substrat de silicium de 2 pouces 8 '' 12 ''

Type de N type du Sb N comme gaufrette de silicium 6 pouces 8 pouces

Plaquette de semi-conducteur de silicium CZ 380um 525um 625um

Type type Phos de la gaufrette de silicium de 12 pouces P du bore N

Le silicium surface de gaufrette de 8 pouces a fini P/P P/E E/PAR EXEMPLE /G

GaN Epitaxial Wafer

le Fe de visage de 2inch GaN Epitaxial Wafer C a enduit le type position libre de SI

Le Fe a enduit GaN Substrates Resistivity > 10 le ⁶ Ω·Dispositifs RF de cm

Substrats SI-GaN autonomes de 2 pouces

Gaufrette sic épitaxiale

Plaquette épitaxiale SiC biseautée 150,0 mm + 0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

bord épitaxial de gaufrette de gaufrette de SiC de la forme en cristal 4H biseautant le ± 25.0um de 350.0um

CMP polonais optique de SI-visage de C-visage sic épitaxial de gaufrette de monocristal