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Aperçu Produitsgaufrette de silicium

Substrats discrets P/P P/E E/PAR EXEMPLE extérieur des dispositifs SI de /G fini

Certificat
LA CHINE Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. certifications
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Substrats discrets P/P P/E E/PAR EXEMPLE extérieur des dispositifs SI de /G fini

Substrats discrets P/P P/E E/PAR EXEMPLE extérieur des dispositifs SI de /G fini
Substrats discrets P/P P/E E/PAR EXEMPLE extérieur des dispositifs SI de /G fini

Image Grand :  Substrats discrets P/P P/E E/PAR EXEMPLE extérieur des dispositifs SI de /G fini

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: Suzhou Chine
Nom de marque: GaNova
Certification: UKAS/ISO9001:2015
Numéro de modèle: JDCD06-001-002
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 1
Détails d'emballage: Emballage sous vide dans un environnement de salle blanche de classe 10000, dans des cassettes de 25
Délai de livraison: 3-4 jours de la semaine
Conditions de paiement: T/T
Capacité d'approvisionnement: 50000pcs/month

Substrats discrets P/P P/E E/PAR EXEMPLE extérieur des dispositifs SI de /G fini

description de
Méthode de croissance: LA CZ Diamètre: 2"
Catégorie: Principal Orientation: <1-0-0><1-1-1>,<1-1-0>
Épaisseur(μm): 279 Tolérance d'épaisseur: ± standard 25μm, ± maximum 5μm de capacités
résistivité: 0.001-100 ohm-cm Extérieur fini: P/E, P/P, E/E, G/G
Mettre en évidence:

Substrats discrets des dispositifs SI

,

substrat de SI 100

,

substrats de SI P/E

Gaufrette de silicium de deux pouces de dispositifs discrets P/E, P/P, E/E, extérieur de G/G fini

dispositifs de deux pouces de la gaufrette de silicium MEMS, circuits intégrés, substrats consacrés pour les dispositifs discrets


Aperçu

Le silicium est le deuxième élément commun sur terre et c'est le septième-plus élément commun dans l'univers entier. Il est le semi-conducteur le plus commun et le plus très utilisé dans le secteur électronique et de technologie.

Pendant le processus de croissance les additions intentionnelles des dopants peuvent être ajoutées au pour changer la pureté du silicium selon ce que sera le but de lui. Ces impuretés présentées peuvent changer les propriétés électriques du silicium, qui peut être utile selon pour ce que le silicium finalement est produit.

Spécifications

gaufrette de silicium

Diamètre

2"/3"/4"/5"/6"/8"/12"
Catégorie Principal
Méthode de croissance LA CZ
Orientation <1-0-0><1-1-1>,<1-1-0>
Type/dopant Type de P/bore, type de N/Phos, N Type/As, N Type/Sb
Épaisseur (μm) 279/380/525/625/675/725/775
Tolérance d'épaisseur ± standard 25μm, ± maximum 5μm de Capabilit/IES
Résistivité 0.001-100 ohm-cm
Extérieur fini P/E, P/P, E/E, G/G
TTV (μm) Norme <10>
Arc/chaîne Norme <40>
Particule <10>

Au sujet de nous

Nous nous spécialisons en transformant un grand choix de matériaux en gaufrettes, substrats et parts.components en verre optique adapté aux besoins du client très utilisés dans l'électronique, l'optique, l'électronique opto et beaucoup d'autres domaines. Nous également avions travaillé étroitement avec beaucoup de domestiques et les universités, les instituts de recherche et les sociétés d'outre-mer, fournissent les produits et services adaptés aux besoins du client pour leurs projets de R&D. C'est notre vision à maintenir de bonnes relations de coopération avec nos tous les clients par nos bonnes réputations.

FAQ

Q : Est-vous société commerciale ou le fabricant ?
Nous sommes usine.
Q : De quelle longueur est-il votre délai de livraison ?
Généralement c'est de 3-5 jours si les marchandises sont en stock.
ou c'est de 7-10 jours si les marchandises ne sont pas en stock, il est selon la quantité.
Q : Fournissez-vous des échantillons ? est-lui librement ou supplémentaire ?
Oui, nous pourrions offrir l'échantillon pour la charge libre mais ne payons pas le coût de fret.
Q : Quelles sont vos conditions de paiement ?
Paiement <> >=5000USD, 80% T/T de paiement à l'avance, équilibre avant expédition.

Coordonnées
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Personne à contacter: Xiwen Bai (Ciel)

Téléphone: +8613372109561

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