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Aperçu Produits

Système de recuit thermique rapide

LA CHINE Système de recuit thermique rapide

Système de recuit RTP-SA-8 pour le traitement thermique rapide de la production

Taille maximale du produit:Des plaquettes de 8 pouces et moins

Dimensions de l'équipement:970 mm x 1450 mm x 2024 mm (largeur x profondeur x hauteur)

Gamme de température de chauffage:Température ambiante ~ 800 °C (thermocouple) 800 °C ~ 1250 °C (pyromètre infrarouge)
système de recuit thermique rapide de 150mm avec trois gaz de processus d'ensembles

Nom de produit:Système de recuit thermique rapide

Modèle:RTP-150RL

Taille maximale de l'échantillon:150mm

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À propos

GaN Epitaxial Wafer: le Fe de visage de 2inch GaN Epitaxial Wafer C a enduit le type position libre de SI; Le Fe a enduit GaN Substrates Resistivity > 10 le ⁶ Ω·Dispositifs RF de cm; Substrats SI-GaN autonomes de 2 pouces

Gaufrette sic épitaxiale: Plaquette épitaxiale SiC biseautée 150,0 mm + 0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um; bord épitaxial de gaufrette de gaufrette de SiC de la forme en cristal 4H biseautant le ± 25.0um de 350.0um; CMP polonais optique de SI-visage de C-visage sic épitaxial de gaufrette de monocristal

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