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Détails sur le produit:
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| Nom de produit: | Gaufrette sic épitaxiale | Crystal Form: | 4h |
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| Bord de gaufrette: | tailler | Diamètre: | 150.0mm +0mm/-0.2mm |
| Orientation extérieure: | En dehors de l'axe : ° de 4°toward <11-20>±0.5 | Longueur plate primaire: | ± 1.5mm de 47.5mm |
| Mettre en évidence: | Plaquette épitaxiale en cristal 4H SiC,plaquette épi 4H,plaquette épitaxiale SiC 47 |
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JDCD03-001-004 Biseau épitaxié de bord de tranche de gaufrette de SiC 350.0μm ± 25.0 μm
JDCD03-001-004
Aperçu
Plusieurs méthodes de croissance de la couche épitaxiale sur des tranches de silicium ou autres existantes sont actuellement utilisées : dépôt chimique en phase vapeur d'organo-métalliques (MOCVD) et épitaxie par jet moléculaire (MBE), LPE, HVPE.
Il s'agit de la croissance de cristaux d'un matériau sur la face cristalline d'un autre (hétéroépitaxie) ou du même matériau (homoépitaxie).La structure de réseau et l'orientation ou la symétrie de réseau du matériau en film mince sont identiques à celles du substrat sur lequel il est déposé.Plus important encore, si le substrat est un monocristal, alors le film mince sera également un monocristal.Contraste avec la monocouche auto-assemblée et la mésotaxie.
| Propriété | Qualité P-MOS | Nuance P-SBD | Classe D |
| Forme de cristal | 4H | ||
| Polytype | Aucun permis | Zone≤5 % | |
| (MPD)un | ≤0.2/cm2 | ≤0.5/cm2 | ≤5/cm2 |
| Plaques hexagonales | Aucun permis | Zone≤5 % | |
| Polycristal hexagonal | Aucun permis | ||
| Inclusionsun | Zone≤0,05 % | Zone≤0,05 % | N / A |
| Résistivité | 0,015Ω•cm—0,025Ω•cm | 0,015Ω•cm—0,025Ω•cm | 0,014Ω•cm—0,028Ω•cm |
| (EPD)un | ≤4000/cm2 | ≤8000/cm2 | N / A |
| (TED)un | ≤3000/cm2 | ≤6000/cm2 | N / A |
| (TPL)un | ≤1000/cm2 | ≤2000/cm2 | N / A |
| (TSD)un | ≤600/cm2 | ≤1000/cm2 | N / A |
| Défaut d'empilement | ≤0.5% Zone | ≤1% Zone | N / A |
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Contamination métallique de surface |
(Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn, Pb, Na, K, Ti, Ca, V, Mn) ≤1E11 cm-2 |
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| Diamètre | 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm | ||
| Orientation des surfaces | Hors axe : 4 ° vers <11-20> ±0,5 ° | ||
| Longueur plate primaire | 47,5 mm ± 1,5 mm | ||
| Longueur plate secondaire | Pas d'appartement secondaire | ||
| Orientation principale à plat | Parallèle à<11-20>±1° | ||
| Orientation plate secondaire | N / A | ||
| Désorientation orthogonale | ±5,0° | ||
| Finition de surface | Face C : polissage optique, face Si : CMP | ||
| Bord de plaquette | Biseautage | ||
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Rugosité de surface (10μm×10μm) |
Si Face Ra≤0.20 nm ； C Face Ra≤0.50 nm | ||
| Épaisseurun | 350.0μm± 25.0μm | ||
| LTV(10mm×10mm)un | ≤2μm | ≤3μm | |
| (TVT)un | ≤6μm | ≤10μm | |
| (ARC)un | ≤15μm | ≤25μm | ≤40μm |
| (Chaîne)un | ≤25μm | ≤40μm | ≤60μm |
| Puces/retraits | Aucun autorisé ≥ 0,5 mm de largeur et de profondeur | Qty.2 ≤1.0 mm Largeur et profondeur | |
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Rayuresun (Visage Si, CS8520) |
≤5 et longueur cumulée≤0,5×diamètre de plaquette |
≤5 et longueur cumulée≤1.5×Wafer Diamètre |
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| TU(2mm*2mm) | ≥98% | ≥95% | N / A |
| Fissures | Aucun permis | ||
| Contamination | Aucun permis | ||
| Propriété | Qualité P-MOS | Nuance P-SBD | Classe D |
| Exclusion de bord | 3mm | ||
Remarque : une exclusion de bord de 3 mm est utilisée pour les éléments marqués d'unun.
À propos de nous
Nous nous spécialisons dans le traitement d'une variété de matériaux en plaquettes, substrats et pièces en verre optique personnalisées. Composants largement utilisés dans l'électronique, l'optique, l'optoélectronique et de nombreux autres domaines.Nous avons également travaillé en étroite collaboration avec de nombreuses universités, institutions de recherche et entreprises nationales et étrangères, fournissant des produits et services personnalisés pour leurs projets de R&D.C'est notre vision de maintenir une bonne relation de coopération avec tous nos clients grâce à notre bonne réputation.
FAQ
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Nous sommes usine.
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Généralement, il est de 3 à 5 jours si les marchandises sont en stock.
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Q : Fournissez-vous des échantillons ?est-ce gratuit ou en supplément ?
Oui, nous pourrions offrir l'échantillon gratuitement mais ne payons pas les frais de transport.
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Paymen> = 5000USD, 80% T/T à l'avance, solde avant expédition.
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