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GaAs Epi Wafer

LA CHINE GaAs Epi Wafer

2 pouces GaAs Epi Wafer GaAs Substrats non dopés VGF

Méthode de croissance:VGF

Type de conduite:S-C-N

Nom de produit:GaAs (100) Substrats non dopés
S-C-N Conduct 2inch GaAs Substrats non dopés Mobilité élevée des électrons

Nom de produit:Plaquette GaAs-Si

Type de conduite:S-C-N

Dopant:GaAs-Si
gaufrette non dopée 0.4E18 des substrats GaAs Epi de 2inch GaAs à 1E18

Type de conduite:S-C-N

Dopant:GaAs-Si

Angle d'orientation:0°
Dopant non dopé des substrats 2inch GaAs SI de VGF GaAs

Nom de produit:GaAs (100) Substrats non dopés

Méthode de croissance:VGF

Type de conduite:S-C-N
substrats non dopés de gaufrette de 17mm 2inch GaAs Epi 50.8mm

Nom de produit:Plaquette GaAs-Si

Méthode de croissance:VGF

Type de conduite:S-C-N
Substrats non dopés de plaquette GaAs de 51 mm 2 pouces 7 mm de longueur IF

Méthode de croissance:VGF

Type de conduite:S-C-N

Nom de produit:Plaquette GaAs-Si
VGF 2inch GaAs Epi Wafer Substrats non dopés côté poli gravé à l'eau-forte

Nom de produit:2 pouces GaAs (100) Substrats non dopés

Méthode de croissance:VGF

Angle d'orientation:0°
LED à substrat d'arséniure de gallium pour communications optiques

Nom de produit:GaAs (100) Substrats non dopés

Méthode de croissance:VGF

Type de conduite:S-C-N
Composé semi-conducteur 2 pouces GaAs Epi Wafer GaAs Si Wafer UKAS

Nom de produit:GaAs (100) Substrats non dopés

Dopant:GaAs-Si

Angle d'orientation:0°
substrats non dopés VGF S-C-N de la gaufrette 2inch GaAs de 18mm GaAs SI

Nom de produit:Plaquette GaAs-Si

Méthode de croissance:VGF

Type de conduite:S-C-N
JDCD10-001-001 2 pouces GaAs (100) Substrats non dopés

Nom de produit:Plaquette GaAs-Si

Méthode de croissance:VGF

Type de conduite:S-C-N
JDCD10-001-002 2 pouces GaAs (100) Substrats dopés Si

Nom de produit:Plaquette GaAs-Si

Méthode de croissance:VGF

Type de conduite:S-C-N

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LA CHINE GaAs Epi Wafer

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S-C-N Conduct 2inch GaAs Substrats non dopés Mobilité élevée des électrons

gaufrette non dopée 0.4E18 des substrats GaAs Epi de 2inch GaAs à 1E18

Dopant non dopé des substrats 2inch GaAs SI de VGF GaAs

substrats non dopés de gaufrette de 17mm 2inch GaAs Epi 50.8mm

Substrats non dopés de plaquette GaAs de 51 mm 2 pouces 7 mm de longueur IF

VGF 2inch GaAs Epi Wafer Substrats non dopés côté poli gravé à l'eau-forte

LED à substrat d'arséniure de gallium pour communications optiques

Composé semi-conducteur 2 pouces GaAs Epi Wafer GaAs Si Wafer UKAS

substrats non dopés VGF S-C-N de la gaufrette 2inch GaAs de 18mm GaAs SI

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JDCD10-001-002 2 pouces GaAs (100) Substrats dopés Si

GaN Epitaxial Wafer

le Fe de visage de 2inch GaN Epitaxial Wafer C a enduit le type position libre de SI

Le Fe a enduit GaN Substrates Resistivity > 10 le ⁶ Ω·Dispositifs RF de cm

Substrats SI-GaN autonomes de 2 pouces

Gaufrette sic épitaxiale

Plaquette épitaxiale SiC biseautée 150,0 mm + 0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

bord épitaxial de gaufrette de gaufrette de SiC de la forme en cristal 4H biseautant le ± 25.0um de 350.0um

CMP polonais optique de SI-visage de C-visage sic épitaxial de gaufrette de monocristal