LA CHINE GaAs Epi Wafer

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  JDCD10-001-005 Substrats 2 pouces GaAs(111) dopés Zn

  Nom de produit:Plaquette GaAs-Si

  Méthode de croissance:VGF

  Type de conduite:S-C-N

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  JDCD10-001-003 Substrats dopés Zn GaAs(100) 2 pouces

  Nom de produit:Plaquette GaAs-Si

  Orientation:(100) 15°±0.5° outre de Toward<111>A

  DE Orientation:EJ[0-1-1]±0.5°

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  111) substrats SI-enduits de JDCD10-001-004 2inch GaAs (

  Nom de produit:Plaquette GaAs-Si

  Angle d'orientation:0°

  DE Orientation:EJ[0-1-1]±0.5°

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