Détails sur le produit:
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Dimensions: | ± 50,8 1 millimètre | Nom de produit: | GaN Substrates libre |
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Épaisseur: | 350 ±25µm | Orientation: | Avion de C (0001) outre d'angle vers le M-axe |
TTV: | μm du ≤ 15 | Arc: | μm du ≤ 20 |
Macro densité de défaut: | ² 0cm⁻ | ||
Mettre en évidence: | Visage de GaN Epitaxial Wafer C,Le Fe a enduit le substrat de monocristal,2inch GaN Epitaxial Wafer |
le C-visage 2inch Fe-a enduit la résistivité libre de type SI de substrat de monocristal de GaN > 106 Ω·dispositifs RF de cm
Les caractéristiques de croissance des couches épitaxiales Fe-enduites de GaN sur sic (les 001) substrats semi-isolants ont été étudiées utilisant la déposition en phase vapeur métallo-organique pour des applications élevées de dispositif de tension claque. Une surface Fe-enduite douce d'épicouche de GaN peut être réalisée en changeant l'écoulement de ferrocene, alors que des concentrations plus élevées en Fe dans l'épicouche de GaN affectent la morphologie extérieure.
substrats SI-GaN libres de deux pouces | ||||||||
Excellent niveau (s) | Niveau de production (a) | Niveau de recherches (b) | Niveau factice (c) |
Note : (1) secteur utilisable : bord et macro exclusion de défauts (2) 3 points : le miscut pêche des positions (2, 4, 5) sont 0,35 ± 0,15o |
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S1 | S-2 | A-1 | A-2 | |||||
Dimension | ± 50,8 1 millimètre | |||||||
Épaisseur | 350 μm du ± 25 | |||||||
Appartement d'orientation | ± 0,5o, (de 1-100) ± 16 1 millimètre | |||||||
Appartement secondaire d'orientation | ± 3o, (de 11-20) ± 8 1 millimètre | |||||||
Résistivité (300K) | > 1 x 106 Ω·cm pour semi-isolant (Fe-enduit ; GaN-FS-C-SI-C50) | |||||||
TTV | μm du ≤ 15 | |||||||
ARC | μm du ≤ 20 | μm du ≤ 40 | ||||||
Aspérité de visage de GA |
< 0=""> ou < 0=""> |
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Aspérité de visage de N |
0,5 μm ~1,5 option : 1~3 nanomètre (la terre fine) ; < 0=""> |
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Paquet | Emballé dans un cleanroom dans le conteneur simple de gaufrette | |||||||
Secteur utilisable | > 90% | >80% | >70% | |||||
Densité de dislocation | <9>cm2 x105 | <3x10>6 cm2 | <9>5 cm2 | <3>cm2 x106 | <3x10>6 cm2 | |||
Orientation : Avion de C (0001) outre d'angle vers le M-axe |
0,35 ± 0,15o (3 points) |
0,35 ± 0,15o (3 points) |
0,35 ± 0,15o (3 points) |
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Macro densité de défaut (trou) | 0 cm2 | < 0="">-2 | < 1="" cm="">-2 | |||||
Taille maximum de macro défauts | < 700=""> | < 2000=""> | < 4000=""> |
* normes nationales de la Chine (GB/T32282-2015)
Au sujet de nous
Nous nous spécialisons en transformant un grand choix de matériaux en gaufrettes, substrats et parts.components en verre optique adapté aux besoins du client très utilisés dans l'électronique, l'optique, l'électronique opto et beaucoup d'autres domaines. Nous également avions travaillé étroitement avec beaucoup de domestiques et les universités, les instituts de recherche et les sociétés d'outre-mer, fournissent les produits et services adaptés aux besoins du client pour leurs projets de R&D. C'est notre vision à maintenir de bonnes relations de coopération avec nos tous les clients par nos bonnes réputations.
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Nous sommes usine.
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Oui, nous pourrions offrir l'échantillon pour la charge libre mais ne payons pas le coût de fret.
Q : Quelles sont vos conditions de paiement ?
Paiement <>
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Personne à contacter: Xiwen Bai (Ciel)
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