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Le Fe a enduit GaN Substrates Resistivity > 10 le ⁶ Ω·Dispositifs RF de cm

Dimensions: ± 50,8 1 millimètre

Épaisseur: 350 ±25µm

Arc: - ≤ 10µm d'ARC de ≤ de 10µm

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qualité Avion de la gaufrette de semi-conducteur de nitrure de gallium 325um 375um C usine

Avion de la gaufrette de semi-conducteur de nitrure de gallium 325um 375um C

Nom de produit: Substrat de monocristal de GaN

Dimensions: ± 50,8 1 millimètre

Épaisseur: 350 ±25µm

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qualité Plaquette de nitrure de gallium monocristallin GaN Type SI usine

Plaquette de nitrure de gallium monocristallin GaN Type SI

Dimensions: ² de 5 x de 10mm

Nom de produit: GaN Substrates libre

Épaisseur: 350 ±25µm

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qualité M Face GaN Epitaxial Wafer Free Standing GaN Substrates 325um TTV 10um usine

M Face GaN Epitaxial Wafer Free Standing GaN Substrates 325um TTV 10um

Nom de produit: Substrat GaN

Dimensions: 5 x 10,5 mm²

Épaisseur: 350 ±25µm

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qualité 5x10mm2 Sp face Gan plaquette épitaxiale UN type substrat monocristallin de Gan dopé si usine

5x10mm2 Sp face Gan plaquette épitaxiale UN type substrat monocristallin de Gan dopé si

Nom de produit: GaN Single Crystal Substrate libre

Dimensions: ² de 5 x10mm

Épaisseur: 350 ±25µm

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qualité avion de 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate C (0001) outre d'angle vers le M-axe 0,35 ±0.15° usine

avion de 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate C (0001) outre d'angle vers le M-axe 0,35 ±0.15°

Dimensions: 10 x 10,5 mm²

Épaisseur: 350 ±25µm

Orientation: Plan C (0001) hors angle vers l'axe M 0,35 ±0,15°

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qualité 150,0 mm + 0 mm / -0,2 mm SiC plaquette épitaxiale 4H forme cristalline usine

150,0 mm + 0 mm / -0,2 mm SiC plaquette épitaxiale 4H forme cristalline

Diamètre: 150.0mm +0mm/-0.2mm

Nom de produit: Gaufrette sic épitaxiale

Orientation extérieure: En dehors de l'axe : ° de 4°toward <11-20>±0.5

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qualité Polytype Non autorisé Plaquette épitaxiale SiC P-MOS P-SBD Grade D usine

Polytype Non autorisé Plaquette épitaxiale SiC P-MOS P-SBD Grade D

Nom de produit: Gaufrette sic épitaxiale

Longueur plate primaire: ± 1.5mm de 47.5mm

Diamètre: 150.0mm +0mm/-0.2mm

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Nom de produit: Gaufrette sic épitaxiale

Diamètre: 150.0mm +0mm/-0.2mm

Orientation extérieure: En dehors de l'axe : ° de 4°toward <11-20>±0.5

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qualité Plaquette épitaxiale SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 47,5 mm ± 1,5 mm usine

Plaquette épitaxiale SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 47,5 mm ± 1,5 mm

Nom de produit: Gaufrette sic épitaxiale

Orientation extérieure: En dehors de l'axe : ° de 4°toward <11-20>±0.5

Longueur plate primaire: ± 1.5mm de 47.5mm

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qualité 4H la gaufrette sic épitaxiale PMOS évaluent 150,0 millimètres +0mm/-0.2mm 47,5 millimètres de ± 1,5 millimètres usine

4H la gaufrette sic épitaxiale PMOS évaluent 150,0 millimètres +0mm/-0.2mm 47,5 millimètres de ± 1,5 millimètres

Nom de produit: Gaufrette sic épitaxiale

Diamètre: 150.0mm +0mm/-0.2mm

Orientation extérieure: En dehors de l'axe : ° de 4°toward <11-20>±0.5

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qualité gaufrette sic épitaxiale de 150.0mm +0mm/-0.2mm aucun appartement secondaire 3mm usine

gaufrette sic épitaxiale de 150.0mm +0mm/-0.2mm aucun appartement secondaire 3mm

Nom de produit: Gaufrette sic épitaxiale

Diamètre: 150.0mm +0mm/-0.2mm

Orientation extérieure: En dehors de l'axe : ° de 4°toward <11-20>±0.5

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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. est une société spécialisée dans les matériaux, les équipements, les services de test et d'analyse et les conseils techniques liés à la technologie des semi-conducteurs à large bande.Fondée en 2020, nous sommes une filiale en propriété exclusive de Suzhou Nanowin Technology Co., Ltd. Notre équipe possède une accumulation technologique profonde et de riches ressources clients dans l'industrie des semi-conducteurs, et s'engage à apporter de la ...
Profil du QC
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. est une société de haute technologie qui se consacre au développement de technologies pour fabriquer des matériaux semi-conducteurs à base de nitrure de haute qualité.Le principal avantage de GaNova est son expertise inégalée en matière de matériaux et possède des brevets essentiels dans les substrats GaN et les technologies de croissance.GaNova propose un substrat GaN standard et personnalisé et des gabarits GaN/saphir avec des densités de ...
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GaN Epitaxial Wafer

le Fe de visage de 2inch GaN Epitaxial Wafer C a enduit le type position libre de SI

Le Fe a enduit GaN Substrates Resistivity > 10 le ⁶ Ω·Dispositifs RF de cm

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