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Aperçu ProduitsGaufrette sic épitaxiale

150,0 mm + 0 mm / -0,2 mm SiC plaquette épitaxiale 4H forme cristalline

Certificat
LA CHINE Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. certifications
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150,0 mm + 0 mm / -0,2 mm SiC plaquette épitaxiale 4H forme cristalline

150,0 mm + 0 mm / -0,2 mm SiC plaquette épitaxiale 4H forme cristalline
150,0 mm + 0 mm / -0,2 mm SiC plaquette épitaxiale 4H forme cristalline

Image Grand :  150,0 mm + 0 mm / -0,2 mm SiC plaquette épitaxiale 4H forme cristalline

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: Suzhou Chine
Nom de marque: GaNova
Certification: UKAS/ISO9001:2015
Numéro de modèle: JDCD03-001-004
Conditions de paiement et expédition:
Détails d'emballage: Emballage sous vide dans un environnement de salle blanche de classe 10000, dans des cassettes de 25
Délai de livraison: 3-4 jours de la semaine
Conditions de paiement: T/T

150,0 mm + 0 mm / -0,2 mm SiC plaquette épitaxiale 4H forme cristalline

description de
Diamètre: 150.0mm +0mm/-0.2mm Nom de produit: Gaufrette sic épitaxiale
Orientation extérieure: En dehors de l'axe : ° de 4°toward <11-20>±0.5 Longueur plate primaire: ± 1.5mm de 47.5mm
Crystal Form: 4h Polytype: Aucun n'a laissé
Mettre en évidence:

Plaquette épitaxiale SiC UKAS

,

plaquette semi-conductrice SiC

,

plaquette épitaxiale GaNova SiC

Plaquette épitaxiale Sic de 150,0 mm + 0 mm/-0,2 mm hors axe : 4 ° vers <11-20> ± 0,5 °

JDCD03-001-004

 

 

Aperçu

Une tranche de SiC est un semi-conducteur en silicium.Sa planéité, sa conductivité thermique et sa conductivité électrique en font un support idéal pour le silicium.Bien que le diamètre de 150 mm soit toujours la norme, plusieurs entreprises produisent du SiC de 200 mm de diamètre.Une plaquette SIC peut être produite de différentes manières, mais la taille la plus courante est celle utilisée pour la conversion de puissance.


Les propriétés électroniques et thermiques uniques du carbure de silicium (SiC) le rendent idéal pour les dispositifs semi-conducteurs avancés à haute puissance et haute fréquence qui fonctionnent bien au-delà des capacités des dispositifs au silicium ou à l'arséniure de gallium.
 

 

Propriété Qualité P-MOS Nuance P-SBD Classe D
Forme de cristal 4H
Polytype Aucun permis Zone≤5 %
(MPD)un ≤0.2/cm2 ≤0.5/cm2 ≤5/cm2
Plaques hexagonales Aucun permis Zone≤5 %
Polycristal hexagonal Aucun permis
Inclusionsun Zone≤0,05 % Zone≤0,05 % N / A
Résistivité 0,015Ω•cm—0,025Ω•cm 0,015Ω•cm—0,025Ω•cm 0,014Ω•cm—0,028Ω•cm
(EPD)un ≤4000/cm2 ≤8000/cm2 N / A
(TED)un ≤3000/cm2 ≤6000/cm2 N / A
(TPL)un ≤1000/cm2 ≤2000/cm2 N / A
(TSD)un ≤600/cm2 ≤1000/cm2 N / A
Défaut d'empilement ≤0.5% Zone ≤1% Zone N / A

 

Contamination métallique de surface

 

(Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn, Pb, Na, K, Ti, Ca, V, Mn) ≤1E11 cm-2

Diamètre 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm
Orientation des surfaces Hors axe : 4 ° vers <11-20> ±0,5 °
Longueur plate primaire 47,5 mm ± 1,5 mm
Longueur plate secondaire Pas d'appartement secondaire
Orientation principale à plat Parallèle à<11-20>±1°
Orientation plate secondaire N / A
Désorientation orthogonale ±5,0°
Finition de surface Face C : polissage optique, face Si : CMP
Bord de plaquette Biseautage

Rugosité de surface

(10μm×10μm)

Si Face Ra≤0.20 nm ; C Face Ra≤0.50 nm
Épaisseurun 350.0μm± 25.0μm
LTV(10mm×10mm)un ≤2μm ≤3μm
(TVT)un ≤6μm ≤10μm
(ARC)un ≤15μm ≤25μm ≤40μm
(Chaîne)un ≤25μm ≤40μm ≤60μm
Puces/retraits Aucun autorisé ≥ 0,5 mm de largeur et de profondeur Qty.2 ≤1.0 mm Largeur et profondeur

Rayuresun

(Visage Si, CS8520)

≤5 et longueur cumulée≤0,5×diamètre de plaquette

≤5 et longueur cumulée≤1.5×Wafer

Diamètre

TU(2mm*2mm) ≥98% ≥95% N / A
Fissures Aucun permis
Contamination Aucun permis
Propriété Qualité P-MOS Nuance P-SBD Classe D
Exclusion de bord 3mm

Remarque : une exclusion de bord de 3 mm est utilisée pour les éléments marqués d'unun.

 

 

À propos de nous

Nous nous spécialisons dans le traitement d'une variété de matériaux en plaquettes, substrats et pièces en verre optique personnalisées. Composants largement utilisés dans l'électronique, l'optique, l'optoélectronique et de nombreux autres domaines.Nous avons également travaillé en étroite collaboration avec de nombreuses universités, institutions de recherche et entreprises nationales et étrangères, fournissant des produits et services personnalisés pour leurs projets de R&D.C'est notre vision de maintenir une bonne relation de coopération avec tous nos clients grâce à notre bonne réputation.

 

FAQ

Q : Êtes-vous une société commerciale ou un fabricant ?
Nous sommes usine.
Q : Combien de temps dure votre délai de livraison ?
Généralement, il est de 3 à 5 jours si les marchandises sont en stock.
ou c'est 7-10 jours si les marchandises ne sont pas en stock, c'est selon la quantité.
Q : Fournissez-vous des échantillons ?est-ce gratuit ou en supplément ?
Oui, nous pourrions offrir l'échantillon gratuitement mais ne payons pas les frais de transport.
Q : Quelles sont vos conditions de paiement ?
Paiement <=5000USD, 100% à l'avance.
Paymen> = 5000USD, 80% T/T à l'avance, solde avant expédition.

Coordonnées
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Personne à contacter: Xiwen Bai (Ciel)

Téléphone: +8613372109561

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