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silicon carbide epitaxial wafers fabrication en ligne

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CMP polonais optique de SI-visage de C-visage sic épitaxial de gaufrette de monocristal
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2022-10-24 10:26:24

gaufrette sic épitaxiale 6inch
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2022-10-09 16:56:20

47,5 millimètres de ± gaufrette sic épitaxiale 150,0 millimètre +0mm/-0.2mm to<11-20>±1° parallèle de 1,5 millimètres
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2023-02-17 15:11:59

0.015Ω•cm-0.025Ω•CMP polonais optique de SI-visage de C-visage sic épitaxial de gaufrette de cm
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2023-02-17 15:51:34

gaufrette sic épitaxiale de 150.0mm +0mm/-0.2mm aucun appartement secondaire 3mm
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2023-02-17 15:10:26

Plaquette épitaxiale SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 47,5 mm ± 1,5 mm
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2022-10-24 10:23:40

4H gaufrette sic épitaxiale 0.015Ω•cm-0.025Ω•² 150,0 millimètre +0mm/-0.2mm de cm ≤4000/cm
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2023-02-17 15:19:25

150,0 mm + 0 mm / -0,2 mm SiC plaquette épitaxiale 4H forme cristalline
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2022-10-24 10:20:57

4H gaufrette sic épitaxiale ≤0.2 /cm2 0.015Ω•cm-0.025Ω•cm 150,0 millimètre +0mm/-0.2mm
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2023-02-17 15:17:12

Polytype Non autorisé Plaquette épitaxiale SiC P-MOS P-SBD Grade D
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2023-02-17 17:47:57

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GaN Epitaxial Wafer

le Fe de visage de 2inch GaN Epitaxial Wafer C a enduit le type position libre de SI

Le Fe a enduit GaN Substrates Resistivity > 10 le ⁶ Ω·Dispositifs RF de cm

Substrats SI-GaN autonomes de 2 pouces

Gaufrette sic épitaxiale

Plaquette épitaxiale SiC biseautée 150,0 mm + 0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

bord épitaxial de gaufrette de gaufrette de SiC de la forme en cristal 4H biseautant le ± 25.0um de 350.0um

CMP polonais optique de SI-visage de C-visage sic épitaxial de gaufrette de monocristal