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Aperçu ProduitsGaufrette sic épitaxiale

47,5 millimètres de ± gaufrette sic épitaxiale 150,0 millimètre +0mm/-0.2mm to<11-20>±1° parallèle de 1,5 millimètres

Certificat
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47,5 millimètres de ± gaufrette sic épitaxiale 150,0 millimètre +0mm/-0.2mm to<11-20>±1° parallèle de 1,5 millimètres

47,5 millimètres de ± gaufrette sic épitaxiale 150,0 millimètre +0mm/-0.2mm to&lt;11-20&gt;±1° parallèle de 1,5 millimètres
47.5 mm ± 1.5 mm SiC Epitaxial Wafer 150.0 mm +0mm/-0.2mm Parallel to<11-20>±1°
47,5 millimètres de ± gaufrette sic épitaxiale 150,0 millimètre +0mm/-0.2mm to&lt;11-20&gt;±1° parallèle de 1,5 millimètres 47,5 millimètres de ± gaufrette sic épitaxiale 150,0 millimètre +0mm/-0.2mm to&lt;11-20&gt;±1° parallèle de 1,5 millimètres

Image Grand :  47,5 millimètres de ± gaufrette sic épitaxiale 150,0 millimètre +0mm/-0.2mm to<11-20>±1° parallèle de 1,5 millimètres

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: Suzhou Chine
Nom de marque: GaNova
Certification: UKAS/ISO9001:2015
Numéro de modèle: JDCD03-001-003
Conditions de paiement et expédition:
Détails d'emballage: Emballage sous vide dans un environnement de salle blanche de classe 10000, dans des cassettes de 25
Délai de livraison: 3-4 jours de la semaine
Conditions de paiement: T/T

47,5 millimètres de ± gaufrette sic épitaxiale 150,0 millimètre +0mm/-0.2mm to<11-20>±1° parallèle de 1,5 millimètres

description de
Nom de produit: Gaufrette sic épitaxiale Diamètre: 150.0mm +0mm/-0.2mm
Orientation extérieure: En dehors de l'axe : ° de 4°toward <11-20>±0.5 Longueur plate primaire: ± 1.5mm de 47.5mm
Longueur plate secondaire: Aucun appartement secondaire Orientation plate primaire: To<11-20>±1° parallèle
Misorientation orthogonal: ±5.0° Exclusion de bord: 3mm
Mettre en évidence:

gaufrette sic épitaxiale de 446mm

,

Gaufrette de silicium épitaxiale de 4 H

,

Gaufrette sic épitaxiale d'UKAS

47,5 millimètres de ± gaufrette sic épitaxiale 150,0 millimètre +0mm/-0.2mm to±1° parallèle de 1,5 millimètres<11-20>

JDCD03-001-003

Aperçu

Actuellement, il y a deux types principaux sic de gaufrettes. Le premier type est la gaufrette polie, qui est un disque simple de carbure de silicium. Il est fait de sic cristaux de grande pureté, et peut être 100mm ou 150mm de diamètre. Il est employé dans l'électronique de haute puissance. Le deuxième type est la gaufrette cristalline épitaxiale de carbure de silicium. Ce type de gaufrette est créé en ajoutant des couches de cristaux simples de carbure de silicium à une surface. Cette méthode exige le contrôle précis de l'épaisseur du matériel, et désigné sous le nom de l'épitaxie de type n.

Propriété

Catégorie de PMOS Catégorie de P-SBD Catégorie de D
Crystal Form 4H
Polytype Aucun n'a laissé Area≤5%
(MPD) a ≤0.2 /cm2 ≤0.5 /cm2 ≤5 /cm2
Plats de sortilège Aucun n'a laissé Area≤5%
Polycrystal hexagonal Aucun n'a laissé
Inclusions a Area≤0.05% Area≤0.05% NON-DÉTERMINÉ
Résistivité 0.015Ω•cm-0.025Ω•cm 0.015Ω•cm-0.025Ω•cm 0.014Ω•cm-0.028Ω•cm
(EPD) a ≤4000/cm2 ≤8000/cm2 NON-DÉTERMINÉ
(TED) a ≤3000/cm2 ≤6000/cm2 NON-DÉTERMINÉ
(Baril par jour) a ≤1000/cm2 ≤2000/cm2 NON-DÉTERMINÉ
(DST) a ≤600/cm2 ≤1000/cm2 NON-DÉTERMINÉ
Défaut d'empilement Secteur de ≤0.5% Secteur de ≤1% NON-DÉTERMINÉ

Contamination extérieure en métal

(Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn, Pb, Na, K, Ti, Ca, V, manganèse) ≤1E11 cm-2

Diamètre 150,0 millimètres +0mm/-0.2mm
Orientation extérieure En dehors de l'axe : ° <11-20>de 4°toward ±0.5
Longueur plate primaire 47,5 millimètres de ± 1,5 millimètres
Longueur plate secondaire Aucun appartement secondaire
Orientation plate primaire To±1° parallèle<11-20>
Orientation plate secondaire NON-DÉTERMINÉ
Misorientation orthogonal ±5.0°
Finition extérieure C-visage : Polonais optique, SI-visage : CMP
Bord de gaufrette Tailler

Aspérité

(10μm×10μm)

Visage Ra≤0.20 nanomètre de SI ; Visage Ra≤0.50 nanomètre de C
Épaisseur a μm 350.0μm± 25,0
LTV (10mm×10mm) a ≤2μm ≤3μm
(TTV) a ≤6μm ≤10μm
(ARC) a ≤15μm ≤25μm ≤40μm
(Chaîne) a ≤25μm ≤40μm ≤60μm
Puces/creux Aucun n'a laissé la largeur et la profondeur de ≥0.5mm Largeur et profondeur de Qty.2 ≤1.0 millimètre

Éraflures a

(Visage de SI, CS8520)

≤5 et diamètre cumulatif de Length≤0.5×Wafer

≤5 et Length≤1.5×Wafer cumulatif

Diamètre

TUA (2mm*2mm) ≥98% ≥95% NON-DÉTERMINÉ
Fissures Aucun n'a laissé
Contamination Aucun n'a laissé
Propriété Catégorie de PMOS Catégorie de P-SBD Catégorie de D
Exclusion de bord 3mm

Remarque : l'exclusion de bord de 3mm est employée pour les articles identifiés par l'A.

Au sujet de nous

Nous nous spécialisons en transformant un grand choix de matériaux en gaufrettes, substrats et parts.components en verre optique adapté aux besoins du client très utilisés dans l'électronique, l'optique, l'électronique opto et beaucoup d'autres domaines. Nous également avions travaillé étroitement avec beaucoup de domestiques et les universités, les instituts de recherche et les sociétés d'outre-mer, fournissent les produits et services adaptés aux besoins du client pour leurs projets de R&D. C'est notre vision à maintenir de bonnes relations de coopération avec nos tous les clients par nos bonnes réputations.

FAQ

Q : Est-vous société commerciale ou le fabricant ?
Nous sommes usine.
Q : De quelle longueur est-il votre délai de livraison ?
Généralement c'est de 3-5 jours si les marchandises sont en stock.
ou c'est de 7-10 jours si les marchandises ne sont pas en stock, il est selon la quantité.
Q : Fournissez-vous des échantillons ? est-lui librement ou supplémentaire ?
Oui, nous pourrions offrir l'échantillon pour la charge libre mais ne payons pas le coût de fret.
Q : Quelles sont vos conditions de paiement ?
Paiement <> >=5000USD, 80% T/T de paiement à l'avance, équilibre avant expédition.

Coordonnées
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Personne à contacter: Xiwen Bai (Ciel)

Téléphone: +8613372109561

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