Aperçu Produitsn type sic epitaxial wafer fabricant en ligne

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n type sic epitaxial wafer fabrication en ligne

(14)

gaufrette sic épitaxiale 6inch
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2022-10-09 16:56:20

47,5 millimètres de ± gaufrette sic épitaxiale 150,0 millimètre +0mm/-0.2mm to<11-20>±1° parallèle de 1,5 millimètres
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2023-02-17 15:11:59

0.015Ω•cm-0.025Ω•CMP polonais optique de SI-visage de C-visage sic épitaxial de gaufrette de cm
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2023-02-17 15:51:34

4H gaufrette sic épitaxiale 0.015Ω•cm-0.025Ω•² 150,0 millimètre +0mm/-0.2mm de cm ≤4000/cm
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2023-02-17 15:19:25

Sic type substrat de N
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2022-10-09 16:57:15

6 pouces 4H SiC Substrat N Type P SBD Grade 350μm
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2022-10-24 10:23:04

Substrat de type SiC N 6 pouces 4H 47,5 mm sans plat secondaire
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2022-10-24 10:26:17

6inch N Type Wafer P MOS Grade 4H SiC Substrat 350.0 ± 25.0um
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2022-10-24 10:21:10

Substrat en carbure de silicium de type N 6 pouces 4H longueur plate primaire 47,5 mm
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2022-10-24 10:22:34

le Fe de visage de 2inch GaN Epitaxial Wafer C a enduit le type position libre de SI
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2023-03-22 16:09:10

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GaN Epitaxial Wafer

Gaufrette sic épitaxiale

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le Fe de visage de 2inch GaN Epitaxial Wafer C a enduit le type position libre de SI
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GaN Epitaxial Wafer

le Fe de visage de 2inch GaN Epitaxial Wafer C a enduit le type position libre de SI

Le Fe a enduit GaN Substrates Resistivity > 10 le ⁶ Ω·Dispositifs RF de cm

Substrats SI-GaN autonomes de 2 pouces

Gaufrette sic épitaxiale

Plaquette épitaxiale SiC biseautée 150,0 mm + 0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

bord épitaxial de gaufrette de gaufrette de SiC de la forme en cristal 4H biseautant le ± 25.0um de 350.0um

CMP polonais optique de SI-visage de C-visage sic épitaxial de gaufrette de monocristal