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Détails sur le produit:
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| Les dimensions: | 2 pouces | Intellectuel: | non connu |
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| Perte interne: | inconnu | Laser d'onde de Longueur: | 40 à 420 nm |
| Durée de vie10 secondes@CW, >10 heures@mode impulsionnel: | 10 secondes en mode CW, >10 heures en mode impulsion | ||
| Mettre en évidence: | 2 pouces de plaquette épitaxienne,2 pouces d' épi-plaquette,Des plaquettes d'épinectomie de 2 pouces |
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Introduction au GaN sur une plaquette de silicium HEMT Epi
La gaufre épitaxielle HEMT à base de nitrure de gallium au silicium est une gaufre épitaxielle à transistor à haute mobilité électronique (HEMT) à base de nitrure de gallium (GaN).Sa structure comprend principalement la couche de barrière AlGaNCette structure permet aux HEMT au nitrure de gallium d'avoir une grande mobilité électronique et une vitesse d'électron de saturation,les rendant adaptés à des applications à haute puissance et à haute fréquence.
Caractéristiques structurelles
AlGaN/GaN Heterojunction: le HEMT au nitrure de gallium est basé sur l'hétérojunction AlGaN/GaN, qui forme un canal à gaz électronique bidimensionnel à haute mobilité électronique (2DEG) à travers l'hétérojunction.
Type d'épuisement et type d'amélioration: les plaquettes épitaxiales HEMT au nitrure de gallium sont divisées en type d'épuisement (mode D) et type d'amélioration (mode E).Le type épuisé est l'état naturel des dispositifs d'alimentation GaN, tandis que le type amélioré nécessite des procédés spéciaux.
Processus de croissance épitaxienne: la croissance épitaxienne comprend la couche de nucléation de l'AlN, la couche tampon de relaxation du stress, la couche de canal GaN, la couche de barrière de l'AlGaN et la couche de capuche de GaN.
procédé de fabrication
Croissance épitaxienne: Croissance d'une ou plusieurs couches de films minces de nitrure de gallium sur un substrat de silicium pour former des plaquettes épitaxiennes de haute qualité.
Passivation et couche de capuchon: La couche de passivation SiN et la couche de capuchon u-GaN sont généralement utilisées sur les plaquettes épitaxales au nitrure de gallium pour améliorer la qualité de la surface et protéger les plaquettes épitaxales.
domaine d'application
Applications à haute fréquence: en raison de la mobilité électronique élevée et de la vitesse des électrons de saturation des matériaux au nitrure de gallium,Les HEMT au nitrure de gallium conviennent aux applications à haute fréquence telles que la communication 5G., radar et communication par satellite.
Applications à haute puissance: Les TEMH au nitrure de gallium fonctionnent bien dans les applications à haute tension et à haute puissance, adaptées à des domaines tels que les véhicules électriques, les onduleurs solaires et les alimentations industrielles.
Caractéristiques du produit
| Un laser violet GaN de 2 pouces sur du silicium. | ||||||||||
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Nom de l'article Si ((111) sous-produits |
NGaN | AlGaN | - Je ne sais pas. | MQW | - Je ne sais pas. | AlGaN | PGaN | Couche de contact | ||
| InGaN-QW | GaN-QB | |||||||||
| Les dimensions | 2 pouces | |||||||||
| Épaisseur | 1000 à 1050 nm | 1000 à 1020 nm | 70 à 150 nm | ~ 2,5 nm | ~ 15 nm | 70 à 150 nm | 200 à 500 nm | / | 10 nm | |
| Composition | Al% | / | 3 à 10 | / | / | / | / | 3 à 10 | / | / |
| En % | / | / | 2 à 8 | ~ 10 | / | 2 à 8 | / | / | / | |
| Le dopage | [Si] | 5.0E+8 | 2.0E+18 | 3.0E+18 | / | / | / | / | / | / |
| [Mg] | / | / | / | / | / | / | 2.0E+19 | 2.0E+19 | / | |
| Intellectuel | Pas connu | |||||||||
| Perte interne | - Pas connu | |||||||||
| Longueur d'onde laser | 40 à 420 nm | |||||||||
| Durée de vie | 10 secondes en mode CW, >10 heures en mode impulsion | |||||||||
| Structure du substrat | 10nmnConnectez la couche/pGaN/200-500nmAlGaN/70-150nmInGaN/~15nmGaN-QB/~2.5nmInGaN-QW/70-150nmInGaN/1000-1020nmAlGaN/1000-1050nmnGaN/Si(111)substrats | |||||||||
| Puissance optique maximale: | 30 mW@mode à impulsion | |||||||||
| Le paquet | Emballé dans une salle blanche de classe 100, dans un contenant de 25 PCS, dans une atmosphère d'azote | |||||||||
À propos de nous
Nous sommes spécialisés dans le traitement d'une variété de matériaux en wafers, substrats et composants de verre optique personnalisés largement utilisés dans l'électronique, l'optique, l'optoélectronique et de nombreux autres domaines.Nous avons également travaillé en étroite collaboration avec de nombreuses universités nationales et étrangères., les institutions de recherche et les entreprises, fournissent des produits et services personnalisés pour leurs projets de R & D.C'est notre vision de maintenir une bonne relation de coopération avec tous nos clients par notre bonne réputation.
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