Aperçu Produitsn type sic epitaxial wafer fabricant en ligne

Tous les produits

GaN Epitaxial Wafer
(65)

Gaufrette sic épitaxiale
(39)

GaAs Epi Wafer
(15)

Substrats de diamant CVD
(15)

Système de recuit thermique rapide
(2)

Testeur de capteur à effet Hall
(3)

Gaufrette de nitrure en aluminium
(21)

Puce de diode laser
(10)

Cristal de carbure de silicium
(12)

Plaquette Ga2O3
(13)

gaufrette de silicium
(26)

Sapphire Wafer
(19)

Sapphire Substrates modelée
(10)

Support de gaufrette de téflon
(1)

Machine à découper les plaquettes
(5)

Certificat

Je suis en ligne une discussion en ligne

n type sic epitaxial wafer fabrication en ligne

(23)

le Fe de visage de 2inch GaN Epitaxial Wafer C a enduit le type position libre de SI
Contact

2024-10-14 17:06:30

Substrat SiC 350um 4H
Contact

2022-10-09 16:57:57

Sic type substrat de N
Contact

2022-10-09 16:57:15

6 pouces 4H SiC Substrat N Type P SBD Grade 350μm
Contact

2022-10-24 10:23:04

Substrat de type SiC N 6 pouces 4H 47,5 mm sans plat secondaire
Contact

2022-10-24 10:26:17

Substrat en carbure de silicium de type N 6 pouces 4H longueur plate primaire 47,5 mm
Contact

2022-10-24 10:22:34

150mm 4H Plaquette SiC Semi Isolant Substrat 6 pouces 350μm
Contact

2022-10-24 10:22:12

Substrat 4H-SiC 4 pouces Niveau P Type N 350.0±25.0μM MPD≤0.5/Cm2 Résistivité 0.015Ω•Cm—0.025Ω•Cm
Contact

2025-04-04 22:43:25

6inch N Type Wafer P MOS Grade 4H SiC Substrat 350.0 ± 25.0um
Contact

2022-10-24 10:21:10

Front Surface Roughness GaN On Silicon Wafer GaN Substrate
Contact

2022-10-08 17:19:48

Page 2 of 3|< << 1 2 3 >> >|

GaN Epitaxial Wafer

Gaufrette sic épitaxiale

GaAs Epi Wafer

Substrats de diamant CVD

Système de recuit thermique rapide

Testeur de capteur à effet Hall

Gaufrette de nitrure en aluminium

Puce de diode laser

Cristal de carbure de silicium

Plaquette Ga2O3

gaufrette de silicium

Sapphire Wafer

Sapphire Substrates modelée

Support de gaufrette de téflon

Machine à découper les plaquettes

n type sic epitaxial wafer fabrication en ligne

le Fe de visage de 2inch GaN Epitaxial Wafer C a enduit le type position libre de SI
Contact

Substrat SiC 350um 4H
Contact

Sic type substrat de N
Contact

6 pouces 4H SiC Substrat N Type P SBD Grade 350μm
Contact

Substrat de type SiC N 6 pouces 4H 47,5 mm sans plat secondaire
Contact

Substrat en carbure de silicium de type N 6 pouces 4H longueur plate primaire 47,5 mm
Contact

150mm 4H Plaquette SiC Semi Isolant Substrat 6 pouces 350μm
Contact

Substrat 4H-SiC 4 pouces Niveau P Type N 350.0±25.0μM MPD≤0.5/Cm2 Résistivité 0.015Ω•Cm—0.025Ω•Cm
Contact

6inch N Type Wafer P MOS Grade 4H SiC Substrat 350.0 ± 25.0um
Contact

Front Surface Roughness GaN On Silicon Wafer GaN Substrate
Contact

GaN Epitaxial Wafer

le Fe de visage de 2inch GaN Epitaxial Wafer C a enduit le type position libre de SI

Le Fe a enduit GaN Substrates Resistivity > 10 le ⁶ Ω·Dispositifs RF de cm

Substrats SI-GaN autonomes de 2 pouces

Gaufrette sic épitaxiale

Plaquette épitaxiale SiC biseautée 150,0 mm + 0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

bord épitaxial de gaufrette de gaufrette de SiC de la forme en cristal 4H biseautant le ± 25.0um de 350.0um

CMP polonais optique de SI-visage de C-visage sic épitaxial de gaufrette de monocristal