Aperçu Produitsn type sic epitaxial wafer fabricant en ligne

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GaN Epitaxial Wafer
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Gaufrette sic épitaxiale
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GaAs Epi Wafer
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Substrats de diamant CVD
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Système de recuit thermique rapide
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Testeur de capteur à effet Hall
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Gaufrette de nitrure en aluminium
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Puce de diode laser
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Cristal de carbure de silicium
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Plaquette Ga2O3
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gaufrette de silicium
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Sapphire Wafer
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Sapphire Substrates modelée
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Support de gaufrette de téflon
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Machine à découper les plaquettes
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n type sic epitaxial wafer fabrication en ligne

(22)

6inch N Type Wafer P MOS Grade 4H SiC Substrat 350.0 ± 25.0um
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2022-10-24 10:21:10

Barrière d'AlGaN 4 pouces GaN sur le silicium HEMT Epi wafer nitrure de gallium GaN-sur-Si
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2024-12-06 17:33:44

6 pouces GaN sur le silicium HEMT Epi Wafer Power Device Nitrure de gallium GaN sur le Si
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2024-12-06 17:38:23

2 pouces GaN sur le silicium bleu LD Epi Wafer GaN laser bleu sur le silicium
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2024-12-06 17:35:32

le Fe de visage de 2inch GaN Epitaxial Wafer C a enduit le type position libre de SI
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2024-10-14 17:06:30

Substrat SiC 350um 4H
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2022-10-09 16:57:57

Substrat 4H-SiC 4 pouces Niveau P Type N 350.0±25.0μM MPD≤0.5/Cm2 Résistivité 0.015Ω•Cm—0.025Ω•Cm
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2025-04-04 22:43:25

150mm 4H Plaquette SiC Semi Isolant Substrat 6 pouces 350μm
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2022-10-24 10:22:12

Front Surface Roughness GaN On Silicon Wafer GaN Substrate
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2022-10-08 17:19:48

Type 6inch 4H du niveau P SI isolant sic semi le substrat 150mm
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2022-10-24 10:21:46

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GaN Epitaxial Wafer

Gaufrette sic épitaxiale

GaAs Epi Wafer

Substrats de diamant CVD

Système de recuit thermique rapide

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Gaufrette de nitrure en aluminium

Puce de diode laser

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n type sic epitaxial wafer fabrication en ligne

6inch N Type Wafer P MOS Grade 4H SiC Substrat 350.0 ± 25.0um
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GaN Epitaxial Wafer

le Fe de visage de 2inch GaN Epitaxial Wafer C a enduit le type position libre de SI

Le Fe a enduit GaN Substrates Resistivity > 10 le ⁶ Ω·Dispositifs RF de cm

Substrats SI-GaN autonomes de 2 pouces

Gaufrette sic épitaxiale

Plaquette épitaxiale SiC biseautée 150,0 mm + 0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

bord épitaxial de gaufrette de gaufrette de SiC de la forme en cristal 4H biseautant le ± 25.0um de 350.0um

CMP polonais optique de SI-visage de C-visage sic épitaxial de gaufrette de monocristal