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Détails sur le produit:
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| Nom de produit: | Gaufrette sic épitaxiale | Crystal Form: | 4h |
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| Diamètre: | 100.0mm+0.0/-0.5mm | Orientation extérieure: | Direction en cristal partielle : ± 0.5° de la polarisation 4°<11-20> |
| Longueur du bord de référence principal: | 32,5 mm ± 2,0 mm | Longueur du bord de référence secondaire: | 18,0 mm ± 2,0 mm |
| Mettre en évidence: | Substrate SiC de 4 pouces |
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Substrat 4H-SiC 4 pouces Niveau D Type N 350,0±25,0μm MPD≤5/cm2 Résistivité 0,015Ω•cm—0,025Ω•cm pour les appareils de puissance et micro-ondes
Aperçu
Appareils à haute température
Comme le SiC a une conductivité thermique élevée, le SiC dissipe la chaleur plus rapidement que les autres matériaux semi-conducteurs.Cela permet aux dispositifs SiC de fonctionner à des niveaux de puissance extrêmement élevés tout en dissipant les grandes quantités de chaleur excédentaire générées par les dispositifs.
Dispositifs d'alimentation à haute fréquence
L'électronique micro-ondes à base de SiC est utilisée pour les communications sans fil et les radars.
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Substrat de type N 4H-SiC 4 pouces |
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| Performances du produit | Niveau P | Niveau D | |
| Forme cristalline | 4H | ||
| Polytypique | Ne pas permettre | Zone≤5 % | |
| Densité de microtuyauxun | ≤0.5/cm2 | ≤5/cm2 | |
| Six carrés vides | Ne pas permettre | Zone≤5 % | |
| Cristal hybride à surface hexagonale | Ne pas permettre | ||
| emballageun | Zone≤0,05 % | N / A | |
| Résistivité | 0,015Ω•cm—0,025Ω•cm |
0,014Ω•cm—0,028Ω•cm
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| défaut | ≤0,5 % | N / A | |
| Diamètre | 100.0mm+0.0/-0.5mm | ||
| Orientation des surfaces | Direction cristalline partielle : 4°<11-20> biais ± 0,5° | ||
| Longueur du bord de référence principal |
32,5 mm ± 2,0 mm
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| Longueur du bord de référence secondaire | 18,0 mm ± 2,0 mm | ||
| Orientation du plan de référence principal | parallèle<11-20> ± 5,0˚ | ||
| Orientation du plan de référence secondaire | 90° dans le sens des aiguilles d'une montre par rapport au plan de référence principal ˚ ± 5,0 ˚, face Si vers le haut | ||
| Écart d'orientation orthogonale |
±5,0°
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| Préparation de surface | C-Face : polissage miroir, Si-Face : polissage mécano-chimique (CMP) | ||
| Le bord de la galette | angle de chanfrein | ||
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Rugosité de surface(5μm×5μm)
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Face Si Ra < 0,2 nm, Côté C, Ra 0,50 nm
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| épaisseur |
350.0μm± 25.0μm
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| LTV(10mm×10mm)un |
≤3µm
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≤5µm
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| TTVun |
≤6µm
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≤10µm
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| Arcun |
≤15µm
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≤30µm
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| Chaîneun |
≤25µm
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≤45µm
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| Bord cassé / espace | Les bords repliés d'une longueur et d'une largeur de 0,5 mm ne sont pas autorisés | ≤2 et chaque longueur et largeur de 1,0 mm | |
| gratterun | ≤5, et la longueur totale est ≤ 0,5 fois le diamètre | ≤5, et la longueur totale est de 1,5 fois le diamètre | |
| Surface disponible |
≥95%
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N / A
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| défaut | ne pas permettre | ||
| pollution | ne pas permettre | ||
| Retrait des bords |
3mm |
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À propos de nous
Nous nous spécialisons dans le traitement d'une variété de matériaux en plaquettes, substrats et pièces en verre optique personnalisées. Composants largement utilisés dans l'électronique, l'optique, l'optoélectronique et de nombreux autres domaines.Nous avons également travaillé en étroite collaboration avec de nombreuses universités, institutions de recherche et entreprises nationales et étrangères, fournissant des produits et services personnalisés pour leurs projets de R&D.C'est notre vision de maintenir une bonne relation de coopération avec tous nos clients grâce à notre bonne réputation.
FAQ
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Nous sommes usine.
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Q : Fournissez-vous des échantillons ?est-ce gratuit ou en supplément ?
Oui, nous pourrions offrir l'échantillon gratuitement mais ne payons pas les frais de transport.
Q : Quelles sont vos conditions de paiement ?
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Paymen> = 5000USD, 80% T/T à l'avance, solde avant expédition.
Personne à contacter: Xiwen Bai (Ciel)
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