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Détails sur le produit:
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| Crystal Form: | 4h | Contamination métallique de surface: | (Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn, Pb, Na, K, Ti, Ca, V, Mn) ≤1E11cm⁻² |
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| Nom de produit: | Gaufrette sic épitaxiale | Diamètre: | 150.0mm +0mm/-0.2mm |
| Orientation extérieure: | En dehors de l'axe : ° de 4°toward <11-20>±0.5 | Longueur plate primaire: | ± 1.5mm de 47.5mm |
| Longueur plate secondaire: | Aucun appartement secondaire | Orientation plate primaire: | To<11-20>±1° parallèle |
| Misorientation orthogonal: | ±5.0° | ||
| Mettre en évidence: | Substrat de type SiC N,tranche de SiC de 6 pouces,substrat de type 4H N |
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6inch 4H-SiC Substrat N-Type P-SBD Grade 350.0±25.0μc MPD≤0.5/cm2Résistivité 0,015Ω•cm—0,025Ω•cm pour alimentation et micro-ondes
Substrat 4H-SiC 6 pouces de type N
Aperçu
Les boules de SiC (cristaux) sont cultivées, usinées en lingots, puis découpées en substrats, qui sont ensuite polis.Une fine couche épitaxiale de SiC est ensuite développée au-dessus de ce substrat pour créer une épi-wafer.
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Propriété |
Qualité P-MOS | Nuance P-SBD | Classe D |
| Forme de cristal | 4H | ||
| Polytype | Aucun permis | Zone≤5 % | |
| (MPD)un | ≤0.2/cm2 | ≤0.5/cm2 | ≤5/cm2 |
| Plaques hexagonales | Aucun permis | Zone≤5 % | |
| Polycristal hexagonal | Aucun permis | ||
| Inclusionsun | Zone≤0,05 % | Zone≤0,05 % | N / A |
| Résistivité | 0,015Ω•cm—0,025Ω•cm | 0,015Ω•cm—0,025Ω•cm | 0,014Ω•cm—0,028Ω•cm |
| (EPD)un | ≤4000/cm2 | ≤8000/cm2 | N / A |
| (TED)un | ≤3000/cm2 | ≤6000/cm2 | N / A |
| (TPL)un | ≤1000/cm2 | ≤2000/cm2 | N / A |
| (TSD)un | ≤600/cm2 | ≤1000/cm2 | N / A |
| Défaut d'empilement | ≤0.5% Zone | ≤1% Zone | N / A |
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Contamination métallique de surface |
(Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn, Pb, Na, K, Ti, Ca, V, Mn) ≤1E11 cm-2 |
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| Diamètre | 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm | ||
| Orientation des surfaces | Hors axe : 4 ° vers <11-20> ±0,5 ° | ||
| Longueur plate primaire | 47,5 mm ± 1,5 mm | ||
| Longueur plate secondaire | Pas d'appartement secondaire | ||
| Orientation principale à plat | Parallèle à<11-20>±1° | ||
| Orientation plate secondaire | N / A | ||
| Désorientation orthogonale | ±5,0° | ||
| Finition de surface | Face C : polissage optique, face Si : CMP | ||
| Bord de plaquette | Biseautage | ||
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Rugosité de surface (10μm×10μm) |
Si Face Ra≤0.20 nm ； C Face Ra≤0.50 nm | ||
| Épaisseurun | 350.0μm± 25.0μm | ||
| LTV(10mm×10mm)un | ≤2μm | ≤3μm | |
| (TVT)un | ≤6μm | ≤10μm | |
| (ARC)un | ≤15μm | ≤25μm | ≤40μm |
| (Chaîne)un | ≤25μm | ≤40μm | ≤60μm |
| Puces/retraits | Aucun autorisé ≥ 0,5 mm de largeur et de profondeur | Qty.2 ≤1.0 mm Largeur et profondeur | |
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Rayuresun (Visage Si, CS8520) |
≤5 et longueur cumulée≤0,5×diamètre de plaquette |
≤5 et longueur cumulée≤1.5×Wafer Diamètre |
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| TU(2mm*2mm) | ≥98% | ≥95% | N / A |
| Fissures | Aucun permis | ||
| Contamination | Aucun permis | ||
| Propriété | Qualité P-MOS | Nuance P-SBD | Classe D |
| Exclusion de bord | 3mm | ||
Remarque : une exclusion de bord de 3 mm est utilisée pour les éléments marqués d'unun.
À propos de nous
Nous nous spécialisons dans le traitement d'une variété de matériaux en plaquettes, substrats et pièces en verre optique personnalisées. Composants largement utilisés dans l'électronique, l'optique, l'optoélectronique et de nombreux autres domaines.Nous avons également travaillé en étroite collaboration avec de nombreuses universités, institutions de recherche et entreprises nationales et étrangères, fournissant des produits et services personnalisés pour leurs projets de R&D.C'est notre vision de maintenir une bonne relation de coopération avec tous nos clients grâce à notre bonne réputation.
FAQ
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Nous sommes usine.
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Généralement, il est de 3 à 5 jours si les marchandises sont en stock.
ou c'est 7-10 jours si les marchandises ne sont pas en stock, c'est selon la quantité.
Q : Fournissez-vous des échantillons ?est-ce gratuit ou en supplément ?
Oui, nous pourrions offrir l'échantillon gratuitement mais ne payons pas les frais de transport.
Q : Quelles sont vos conditions de paiement ?
Paiement <=5000USD, 100% à l'avance.
Paymen> = 5000USD, 80% T/T à l'avance, solde avant expédition.
Personne à contacter: Xiwen Bai (Ciel)
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