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Détails sur le produit:
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| Nom de produit: | M Face Free-Standing GaN Substrates | Dimensions: | 5 x 10,5 mm² |
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| Épaisseur: | 350 ±25µm | TTV: | ≤ 10µm |
| Arc: | - ≤ 10µm d'ARC de ≤ de 10µm | Macro densité de défaut: | ² 0cm⁻ |
| Mettre en évidence: | 350um gan sur la gaufrette de silicium,M Face gan sur la gaufrette de SI,UKAS gan sur la gaufrette de silicium |
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M Face Free-Standing GaN Substrates Front Surface Roughness < 0="">
résistivité libre de type n non dopée de substrat de monocristal de GaN du M-visage 5*10.5mm2 < 0="">
Aperçu
Il y a trois substrats principaux qui sont employés avec GaN - carbure de silicium (sic), silicium (SI) et diamant. GaN sic est dessus la plupart de terrain communal des trois et a été employé dans diverses demandes d'applications sans fil d'infrastructure dans puissance militaire et élevée. GaN sur le SI est un plus nouveau substrat dont la représentation n'est pas aussi bonne que sic mais il est plus économique. GaN sur le diamant est le plus performant, cependant puisqu'il est nouveau et relativement cher, des applications, où ceci a été employé, sont limité.
| M font face aux substrats libres de GaN | ||||
| Article |
GAN-FS-M-U-s
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GAN-FS-M-n-s
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GAN-FS-M-SI-s |
Remarques : Un angle circulaire d'arc (R < 2="" mm=""> |
| Dimensions | 5 x 10 millimètres2 | |||
| Épaisseur | µm 350 ±25 | |||
| Orientation |
Avion de M (1 - 100) outre d'angle vers l'Un-axe 0 ±0.5° Avion de M (1 - 100) outre d'angle vers le C-axe - 1 ±0.2° |
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| Type de conduction | de type n | de type n | Semi-isolant | |
| Résistivité (300K) | < 0=""> | < 0=""> | > 106 Ω·cm | |
| TTV | µm du ≤ 10 | |||
| ARC | - 10 µm du ≤ 10 d'ARC de ≤ de µm | |||
| Front Surface Roughness |
< 0=""> ou < 0=""> |
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| Aspérité arrière |
0,5 μm ~1,5 option : 1~3 nanomètre (la terre fine) ; < 0=""> |
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| Densité de dislocation | De 1 x 105 à 3 x 106 cm2 | |||
| Macro densité de défaut | 0 cm2 | |||
| Secteur utilisable | > 90% (exclusion de bord) | |||
| Paquet | Emballé dans un environnement de pièce propre de la classe 100, dans le conteneur de 6 PCS, sous une atmosphère d'azote | |||
Annexe : Le diagramme de l'angle de miscut
Si le degré ±0.5 du δ 1= 0, alors l'avion de M (1 - 100) outre de l'angle vers l'Un-axe est de 0 degrés ±0.5.
Si δ2= - 1 degré ±0.2, alors avion de M (1 - 100) outre d'angle vers le C-axe est - 1 degré ±0.2.
Au sujet de nous
Nous nous spécialisons en transformant un grand choix de matériaux en gaufrettes, substrats et parts.components en verre optique adapté aux besoins du client très utilisés dans l'électronique, l'optique, l'électronique opto et beaucoup d'autres domaines. Nous également avions travaillé étroitement avec beaucoup de domestiques et les universités, les instituts de recherche et les sociétés d'outre-mer, fournissent les produits et services adaptés aux besoins du client pour leurs projets de R&D. C'est notre vision à maintenir de bonnes relations de coopération avec nos tous les clients par nos bonnes réputations.
FAQ
Q : Est-vous société commerciale ou le fabricant ?
Nous sommes usine.
Q : De quelle longueur est-il votre délai de livraison ?
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Q : Fournissez-vous des échantillons ? est-lui librement ou supplémentaire ?
Oui, nous pourrions offrir l'échantillon pour la charge libre mais ne payons pas le coût de fret.
Q : Quelles sont vos conditions de paiement ?
Paiement <>
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Personne à contacter: Xiwen Bai (Ciel)
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