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Gaufrette sic épitaxiale
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free standing gan substrates fabrication en ligne

(57)

Substrats de GaN autoportants de face M de plaquette épitaxiale de GaN dopés par l'ONU
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2023-02-17 10:52:50

10 X 10,5 mm2 Substrats GaN en libre-service - 10 μm ≤ BOW ≤ 10 μm
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2025-04-27 11:43:50

Un visage GaN Epitaxial Wafer Free Standing GaN Substrates
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2023-02-17 10:57:06

Épaisseur 350 ±25 µm 10 X 10,5 mm2 Substrats GaN autonomes
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2025-04-04 22:43:28

Substrats SI-GaN autonomes de 2 pouces
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2024-10-14 17:06:30

M Face GaN Epitaxial Wafer Free Standing GaN Substrates 325um TTV 10um
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2022-10-08 17:04:46

10 X 10,5 mm2 C Faces non dopées N type libre GaN sous-cristal unique
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2025-04-27 11:43:50

TTV ≤ 10 μm Façade A non dopée de type N, GaN à base de cristal unique, résistance de 0,1 Ω·cm
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2025-04-27 11:43:51

Densité de défectuosité macro 0cm−2 Substrate à cristal unique GaN indépendant de type SI non dopé pour appareils RF 5*10mm2 M-Face
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2025-04-27 11:43:51

5x10mm2 SP-Face 10-11 Substrate GaN monocristallin de type N non dopé à TTV ≤ 10μm Résistivité 0,05 Ω·cm
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2025-04-27 11:43:51

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GaN Epitaxial Wafer

le Fe de visage de 2inch GaN Epitaxial Wafer C a enduit le type position libre de SI

Le Fe a enduit GaN Substrates Resistivity > 10 le ⁶ Ω·Dispositifs RF de cm

Substrats SI-GaN autonomes de 2 pouces

Gaufrette sic épitaxiale

Plaquette épitaxiale SiC biseautée 150,0 mm + 0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

bord épitaxial de gaufrette de gaufrette de SiC de la forme en cristal 4H biseautant le ± 25.0um de 350.0um

CMP polonais optique de SI-visage de C-visage sic épitaxial de gaufrette de monocristal