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free standing gan substrates fabrication en ligne

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acheter Substrats de GaN autoportants de face M de plaquette épitaxiale de GaN dopés par l'ONU en ligne fabricant

Substrats de GaN autoportants de face M de plaquette épitaxiale de GaN dopés par l'ONU
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5 X 10 mm2 M Face Free-Standing GaN Substrates 350 ±25 µm TTV ≤ 10 µm 5*10.5mm2 M-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser wafer Overview GaN ... Lire la suite
2023-02-17 10:52:50
acheter 10 X 10,5 mm2 Substrats GaN en libre-service - 10 μm ≤ BOW ≤ 10 μm en ligne fabricant

10 X 10,5 mm2 Substrats GaN en libre-service - 10 μm ≤ BOW ≤ 10 μm
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10*10.5mm² C-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser Applications Laser diodes: violet LD, blue LD, and green LD Power electronic devices, High ... Lire la suite
2025-04-27 11:43:50
acheter Épaisseur 350 ±25 µm 10 X 10,5 mm2 Substrats GaN autonomes en ligne fabricant

Épaisseur 350 ±25 µm 10 X 10,5 mm2 Substrats GaN autonomes
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10*10.5mm² C-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser Overview GaN Substrates GaN (gallium nitride) substrates and wafers with high quality (low ... Lire la suite
2025-04-04 22:43:28
acheter Un visage GaN Epitaxial Wafer Free Standing GaN Substrates en ligne fabricant

Un visage GaN Epitaxial Wafer Free Standing GaN Substrates
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5*10.5mm2 A Face Free-Standing GaN Substrates Thickness 350 ±25 µm 5*10.5mm2 A-face Un-doped SI-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity > 106 Ω·cm RF devices wafer Overview Gallium Nitride ... Lire la suite
2023-02-17 10:57:06
acheter Substrats SI-GaN autonomes de 2 pouces en ligne fabricant

Substrats SI-GaN autonomes de 2 pouces
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2inch C-face Fe-doped SI-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity > 106 Ω·cm RF devices To reduce the Fe trapping carrier and the sheet resistances of the two-dimension electron gas generated ... Lire la suite
2024-10-14 17:06:30
acheter M Face GaN Epitaxial Wafer Free Standing GaN Substrates 325um TTV 10um en ligne fabricant

M Face GaN Epitaxial Wafer Free Standing GaN Substrates 325um TTV 10um
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5*10.5mm2 M-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser wafer Overview Gallium Nitride (GaN) substrate is a high-quality single-crystal substrate. ... Lire la suite
2022-10-08 17:04:46
acheter 10 X 10,5 mm2 C Faces non dopées N type libre GaN sous-cristal unique en ligne fabricant

10 X 10,5 mm2 C Faces non dopées N type libre GaN sous-cristal unique
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10*10.5mm² C-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser Overview Premium quality GaN crystal substrates with low dislocation density (on the order ... Lire la suite
2025-04-27 11:43:50
acheter TTV ≤ 10 μm Façade A non dopée de type N, GaN à base de cristal unique, résistance de 0,1 Ω·cm en ligne fabricant

TTV ≤ 10 μm Façade A non dopée de type N, GaN à base de cristal unique, résistance de 0,1 Ω·cm
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5*10mm2 A-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser wafer Overview Gallium nitride (GaN) is a very hard, mechanically stable wide bandgap ... Lire la suite
2025-04-27 11:43:51
acheter Densité de défectuosité macro 0cm−2 Substrate à cristal unique GaN indépendant de type SI non dopé pour appareils RF 5*10mm2 M-Face en ligne fabricant

Densité de défectuosité macro 0cm−2 Substrate à cristal unique GaN indépendant de type SI non dopé pour appareils RF 5*10mm2 M-Face
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5*10mm2 M-face Un-doped SI-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity > 106 Ω·cm RF devices wafer Overview Thin Epi wafers are commonly used for leading edge MOS devices. Thick Epi or Multi... Lire la suite
2025-04-27 11:43:51
acheter 5x10mm2 SP-Face 10-11 Substrate GaN monocristallin de type N non dopé à TTV ≤ 10μm Résistivité 0,05 Ω·cm en ligne fabricant

5x10mm2 SP-Face 10-11 Substrate GaN monocristallin de type N non dopé à TTV ≤ 10μm Résistivité 0,05 Ω·cm
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5*10mm2 SP-face (10-11) Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.05 Ω·cm Power device/laser wafer Overview GaN has many serious advantages over silicon, being more power ... Lire la suite
2025-04-27 11:43:51
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GaN Epitaxial Wafer

le Fe de visage de 2inch GaN Epitaxial Wafer C a enduit le type position libre de SI

Le Fe a enduit GaN Substrates Resistivity > 10 le ⁶ Ω·Dispositifs RF de cm

Substrats SI-GaN autonomes de 2 pouces

Gaufrette sic épitaxiale

Plaquette épitaxiale SiC biseautée 150,0 mm + 0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

bord épitaxial de gaufrette de gaufrette de SiC de la forme en cristal 4H biseautant le ± 25.0um de 350.0um

CMP polonais optique de SI-visage de C-visage sic épitaxial de gaufrette de monocristal

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