Épaisseur 350 ±25 µm 10 X 10,5 mm2 Substrats GaN autonomes

Name: Épaisseur 350 ±25 µm 10 X 10,5 mm2 Substrats GaN autonomes
Brand: Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
SKU: JDCD01-001-001
Price: 1,000.00 USD
Availability: InStock

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Épaisseur 350 ±25 µm 10 X 10,5 mm2 Substrats GaN autonomes

Image Grand : Épaisseur 350 ±25 µm 10 X 10,5 mm2 Substrats GaN autonomes

Détails sur le produit:

Lieu d'origine:	Suzhou Chine
Nom de marque:	GaNova
Certification:	UKAS/ISO9001:2015
Numéro de modèle:	JDCD01-001-001

Conditions de paiement et expédition:

Détails d'emballage:	Emballage sous vide dans un environnement de salle blanche de classe 10000, dans des cassettes de 6
Délai de livraison:	3-4 jours de la semaine
Conditions de paiement:	T/T
Capacité d'approvisionnement:	10000pcs/Month

Contact

Épaisseur 350 ±25 µm 10 X 10,5 mm2 Substrats GaN autonomes

description de

Nom de produit:	GaN Substrates libre	Dimensions:	10 x 10,5 mm²
Épaisseur:	350 ±25µm	TTV:	≤ 10µm
Arc:	- ≤ 10µm d'ARC de ≤ de 10µm	Secteur utilisable:	> 90% (exclusion de bord)
Mettre en évidence:	350 ± 25 μm Substrats de GaN , 10 x 10

10*10.5mm² C-face Substrat monocristallin autonome de type n non dopé Résistivité < 0.1 Ω·cm Dispositif de puissance/laser

Aperçu

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Substrats et wafers GaN (nitrure de gallium) de haute qualité (faible densité de dislocation) et les meilleurs prix du marché.

Substrats cristallins GaN autoportants de qualité supérieure avec une faible densité de dislocation (de l'ordre de 105 /cm²) et surface uniforme sans défauts périodiques.Ces cristaux de nitrure de gallium de haute qualité ont une surface utilisable de plus de 90 %.Les options incluent : type N, type P, semi-isolant, plan C, plan M, plan A.Tailles jusqu'à 2 pouces de diamètre.

Nous vendons directement de l'usine et pouvons donc offrir les meilleurs prix du marché pour des substrats en cristal GaN de haute qualité.

10 substrats GaN autonomes de 10,5 mm2
Article	GaN-FS-CU-S10	GaN-FS-CN-S10	GaN-FS-C-SI-S10	Remarques: Un angle d'arc de cercle (R < 2 mm) est utilisé pour distinguer les faces Ga et N.
Dimensions	10 × 10,5 mm²
Épaisseur	350 ±25 µm
Orientation	Plan C (0001) hors angle vers l'axe M 0,35 ±0,15°
Type de conduction	Type N	Type N	Semi-isolant
Résistivité (300K)	< 0,1 Ω·cm	< 0,05 Ω·cm	> 10⁶Ω·cm
TTV	≤ 10 µm
Arc	- 10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm
Rugosité de la surface de la face Ga	< 0,2 nm (poli) ou < 0,3 nm (poli et traitement de surface pour épitaxie)


N Rugosité de la surface de la face	0,5 ~ 1,5 μm option : 1~3 nm (sol fin) ;< 0,2 nm (poli)


Densité de luxation	De 1 x 105 à 3 x 106 cm-2 (calculé par CL)*
Densité des macro-défauts	0cm^-2
Surface utilisable	> 90% (exclusion des bords)
Emballer	Conditionné en salle blanche classe 100, en bidon 6 PCS, sous atmosphère d'azote

*Normes nationales de la Chine (GB/T32282-2015)

Épaisseur 350 ±25 µm 10 X 10,5 mm2 Substrats GaN autonomes 1

À propos de nous

Nous nous spécialisons dans le traitement d'une variété de matériaux en plaquettes, substrats et pièces en verre optique personnalisées. Composants largement utilisés dans l'électronique, l'optique, l'optoélectronique et de nombreux autres domaines.Nous avons également travaillé en étroite collaboration avec de nombreuses universités, institutions de recherche et entreprises nationales et étrangères, fournissant des produits et services personnalisés pour leurs projets de R&D.C'est notre vision de maintenir une bonne relation de coopération avec tous nos clients grâce à notre bonne réputation.

FAQ

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Paymen> = 5000USD, 80% T/T à l'avance, solde avant expédition.

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Personne à contacter: Xiwen Bai (Ciel)

Téléphone: +8613372109561

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