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Détails sur le produit:
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| Nom de produit: | Substrat de monocristal de GaN | Dimensions: | ± 50,8 1 millimètre |
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| Épaisseur: | 350 ±25µm | Orientation: | Avion de C (0001) outre d'angle vers le M-axe |
| TTV: | ≤ 10µm | Arc: | μm du ≤ 20 |
| Macro densité de défaut: | ² 0cm⁻ | Secteur utilisable: | > 90% (exclusion de bord) |
| Mettre en évidence: | Gaufrette de semi-conducteur de nitrure de gallium,Gaufrette gan plate d'epi de C,Gaufrette de semi-conducteur 325um |
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substrats SI-GaN libres de deux pouces
Une gaufrette épitaxiale (a également appelé la gaufrette, l'epi-gaufrette, ou l'epiwafer d'epi) est une gaufrette de matériel semi-conducteur faite par la croissance épitaxiale (épitaxie) pour l'usage dans le photonics, la microélectronique, le spintronics, ou le photovoltaics.
Les gaufrettes minces d'Epi sont utilisées généralement pour des dispositifs de MOS de bord d'attaque. Epi épais ou gaufrettes épitaxiales multicouche sont employés pour les dispositifs principalement pour commander le courant électrique, et ils contribuent à améliorer l'efficacité de la consommation d'énergie.
| substrats SI-GaN libres de deux pouces | ||||||||
| Excellent niveau (s) | Niveau de production (a) | Niveau de recherches (b) | Niveau factice (c) |
Note : (1) secteur utilisable : bord et macro exclusion de défauts (2) 3 points : le miscut pêche des positions (2, 4, 5) sont 0,35 ± 0,15o |
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| S1 | S-2 | A-1 | A-2 | |||||
| Dimension | ± 50,8 1 millimètre | |||||||
| Épaisseur | 350 μm du ± 25 | |||||||
| Appartement d'orientation | ± 0,5o, (de 1-100) ± 16 1 millimètre | |||||||
| Appartement secondaire d'orientation | ± 3o, (de 11-20) ± 8 1 millimètre | |||||||
| Résistivité (300K) | > 1 x 106 Ω·cm pour semi-isolant (Fe-enduit ; GaN-FS-C-SI-C50) | |||||||
| TTV | μm du ≤ 15 | |||||||
| ARC | μm du ≤ 20 | μm du ≤ 40 | ||||||
| Aspérité de visage de GA |
< 0=""> ou < 0=""> |
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| Aspérité de visage de N |
0,5 μm ~1,5 option : 1~3 nanomètre (la terre fine) ; < 0=""> |
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| Paquet | Emballé dans un cleanroom dans le conteneur simple de gaufrette | |||||||
| Secteur utilisable | > 90% | >80% | >70% | |||||
| Densité de dislocation | <9>cm2 x105 | <3x10>6 cm2 | <9>5 cm2 | <3>cm2 x106 | <3x10>6 cm2 | |||
| Orientation : Avion de C (0001) outre d'angle vers le M-axe |
0,35 ± 0,15o (3 points) |
0,35 ± 0,15o (3 points) |
0,35 ± 0,15o (3 points) |
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| Macro densité de défaut (trou) | 0 cm2 | < 0="">-2 | < 1="" cm="">-2 | |||||
| Taille maximum de macro défauts | < 700=""> | < 2000=""> | < 4000=""> | |||||
* normes nationales de la Chine (GB/T32282-2015)
Au sujet de nous
Nous nous spécialisons en transformant un grand choix de matériaux en gaufrettes, substrats et parts.components en verre optique adapté aux besoins du client très utilisés dans l'électronique, l'optique, l'électronique opto et beaucoup d'autres domaines. Nous également avions travaillé étroitement avec beaucoup de domestiques et les universités, les instituts de recherche et les sociétés d'outre-mer, fournissent les produits et services adaptés aux besoins du client pour leurs projets de R&D. C'est notre vision à maintenir de bonnes relations de coopération avec nos tous les clients par nos bonnes réputations.
FAQ
Q : Est-vous société commerciale ou le fabricant ?
Nous sommes usine.
Q : De quelle longueur est-il votre délai de livraison ?
Généralement c'est de 3-5 jours si les marchandises sont en stock.
ou c'est de 7-10 jours si les marchandises ne sont pas en stock, il est selon la quantité.
Q : Fournissez-vous des échantillons ? est-lui librement ou supplémentaire ?
Oui, nous pourrions offrir l'échantillon pour la charge libre mais ne payons pas le coût de fret.
Q : Quelles sont vos conditions de paiement ?
Paiement <>
>=5000USD, 80% T/T de paiement à l'avance, équilibre avant expédition.
Personne à contacter: Xiwen Bai (Ciel)
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