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Aperçu ProduitsGaN Epitaxial Wafer

10 substrats de GaN autonomes de 10,5 mm2 - 10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm

Certificat
LA CHINE Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. certifications
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10 substrats de GaN autonomes de 10,5 mm2 - 10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm

10 substrats de GaN autonomes de 10,5 mm2 - 10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm
10 substrats de GaN autonomes de 10,5 mm2 - 10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm

Image Grand :  10 substrats de GaN autonomes de 10,5 mm2 - 10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: Suzhou Chine
Nom de marque: GaNova
Certification: UKAS/ISO9001:2015
Numéro de modèle: JDCD01-001-001
Conditions de paiement et expédition:
Détails d'emballage: Emballage sous vide dans un environnement de salle blanche de classe 10000, dans des cassettes de 6
Délai de livraison: 3-4 jours de la semaine
Conditions de paiement: T/T
Capacité d'approvisionnement: 10000pcs/Month

10 substrats de GaN autonomes de 10,5 mm2 - 10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm

description de
Nom de produit: GaN Epitaxial Wafer Dimensions: 10 x 10,5 mm²
Épaisseur: 350 ±25µm Orientation: Plan C (0001) hors angle vers l'axe M 0,35 ±0,15°
TTV: ≤ 10µm Arc: - ≤ 10µm d'ARC de ≤ de 10µm

10*10.5mm² C-face Substrat monocristallin autonome de type n non dopé Résistivité < 0.1 Ω·cm Dispositif de puissance/laser

 

 

Applications

Diodes laser : LD violet, LD bleu et LD vert
Appareils électroniques de puissance, Appareils électroniques haute fréquence

 

Plus de 10 ans d'expérience dans la technologie de fabrication de plaquettes avec des substrats GaAs ont été appliquées à la production de substrats GaN.Le substrat GaN a une orientation de surface contrôlée, sans dommage, très plate (Rms < 0,2 nm), et des surfaces de marches atomiques contrôlées.Une qualité de surface adaptée à la croissance épitaxiale a été obtenue.

 

 

10 substrats GaN autonomes de 10,5 mm2
Article GaN-FS-CU-S10 GaN-FS-CN-S10 GaN-FS-C-SI-S10

10 substrats de GaN autonomes de 10,5 mm2 - 10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm 0

Remarques:
Un angle d'arc de cercle (R < 2 mm) est utilisé pour distinguer les faces Ga et N.

Dimensions 10 × 10,5 mm2
Épaisseur 350 ±25 µm
Orientation Plan C (0001) hors angle vers l'axe M 0,35 ±0,15°
Type de conduction Type N Type N Semi-isolant
Résistivité (300K) < 0,1 Ω·cm < 0,05 Ω·cm > 106Ω·cm
TTV ≤ 10 µm
Arc - 10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm
Rugosité de la surface de la face Ga < 0,2 nm (poli)
ou < 0,3 nm (poli et traitement de surface pour épitaxie)
N Rugosité de la surface de la face 0,5 ~ 1,5 μm
option : 1~3 nm (sol fin) ;< 0,2 nm (poli)
Densité de luxation A partir de 1 x 105à 3 x 106cm-2(calculé par CL)*
Densité des macro-défauts 0cm-2
Surface utilisable > 90% (exclusion des bords)
Emballer Conditionné en salle blanche classe 100, en bidon 6 PCS, sous atmosphère d'azote

*Normes nationales de la Chine (GB/T32282-2015)

 

 

10 substrats de GaN autonomes de 10,5 mm2 - 10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm 1

 

À propos de nous

Nous nous spécialisons dans le traitement d'une variété de matériaux en plaquettes, substrats et pièces en verre optique personnalisées. Composants largement utilisés dans l'électronique, l'optique, l'optoélectronique et de nombreux autres domaines.Nous avons également travaillé en étroite collaboration avec de nombreuses universités, institutions de recherche et entreprises nationales et étrangères, fournissant des produits et services personnalisés pour leurs projets de R&D.C'est notre vision de maintenir une bonne relation de coopération avec tous nos clients grâce à notre bonne réputation.

 

 

FAQ

Q : Êtes-vous une société commerciale ou un fabricant ?
Nous sommes usine.
Q : Combien de temps dure votre délai de livraison ?
Généralement, il est de 3 à 5 jours si les marchandises sont en stock.
ou c'est 7-10 jours si les marchandises ne sont pas en stock, c'est selon la quantité.
Q : Fournissez-vous des échantillons ?est-ce gratuit ou en supplément ?
Oui, nous pourrions offrir l'échantillon gratuitement mais ne payons pas les frais de transport.
Q : Quelles sont vos conditions de paiement ?
Paiement <=5000USD, 100% à l'avance.
Paymen> = 5000USD, 80% T/T à l'avance, solde avant expédition.

Coordonnées
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Personne à contacter: Xiwen Bai (Ciel)

Téléphone: +8613372109561

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