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free standing gan substrates fabrication en ligne

(57)

Plaquette de nitrure de gallium monocristallin GaN Type SI
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2022-10-08 15:51:24

5x10mm2 Sp face Gan plaquette épitaxiale UN type substrat monocristallin de Gan dopé si
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2024-10-29 11:49:57

Plaquette épitaxiale GaN 5x10mm2 Type SI dopé Un
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2024-10-29 11:49:57

5 x 10 mm2 M font face à l'épaisseur 325um 375um de gaufrette épitaxiale de GaN
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2024-11-18 19:17:19

L'ONU simple de visage de Crystal GaN Epitaxial Wafer 2inch C a enduit le type de N
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2022-10-08 16:00:57

12.5mm 2inch N libre GaN Epi Wafer Si Doped
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2024-10-29 11:49:58

L'ONU a enduit le type GaN Single Crystal Substrate 5x10mm2 M Face de N
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2024-10-29 11:49:57

Substrat de monocristal de GaN
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2023-02-17 17:55:56

Pouce GaN Epi Wafer Dimensions de l'épaisseur 370um 430um 2 50mm
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2024-10-29 11:49:57

Wafer épitaxial au GaN dopé
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2022-10-09 17:04:59

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GaN Epitaxial Wafer

le Fe de visage de 2inch GaN Epitaxial Wafer C a enduit le type position libre de SI

Le Fe a enduit GaN Substrates Resistivity > 10 le ⁶ Ω·Dispositifs RF de cm

Substrats SI-GaN autonomes de 2 pouces

Gaufrette sic épitaxiale

Plaquette épitaxiale SiC biseautée 150,0 mm + 0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

bord épitaxial de gaufrette de gaufrette de SiC de la forme en cristal 4H biseautant le ± 25.0um de 350.0um

CMP polonais optique de SI-visage de C-visage sic épitaxial de gaufrette de monocristal