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Détails sur le produit:
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| Nom de produit: | GaN Single Crystal Substrate libre | Épaisseur: | 350 ±25µm |
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| TTV: | ≤ 10µm | Arc: | - ≤ 10µm d'ARC de ≤ de 10µm |
| Densité de dislocation: | Du ⁵ 1 x 10 au ² de cm⁻ de 3 x 10 ⁶ | Macro densité de défaut: | ² 0cm⁻ |
| Mettre en évidence: | GaN Epitaxial Wafer SI Type,5x10.5mm2 gan epi wafer,5x10.5mm2 GaN Epitaxial Wafer |
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5*10mm2Substrat monocristallin de GaN autonome (20-21)/(20-2-1) type SI non dopé
5*10mm2Face SP (20-21)/(20-2-1) Substrat monocristallin de GaN autonome de type SI non dopé Résistivité > 106Plaquette de dispositifs RF Ω·cm
Aperçu
Le nitrure de gallium est une technologie de semi-conducteur utilisée pour les applications de semi-conducteurs haute puissance et haute fréquence.Le nitrure de gallium présente plusieurs caractéristiques qui le rendent meilleur que le GaAs et le silicium pour divers composants de haute puissance.Ces caractéristiques comprennent une tension de claquage plus élevée et une meilleure résistivité électrique.
| (20-21)/(20-2-1) Funce Free-Stunndjeng gunN SousStrates | ||||
| Article |
GaN-FS-SP-US |
GaN-FS-SP-NS |
GaN-FS-SP-SI-S |
Remarques: Un angle d'arc de cercle (R < 2 mm) est utilisé pour distinguer la surface avant et arrière. |
| Dimensions | 5 x 10 mm2 | |||
| Épaisseur | 350 ±25 µm | |||
| Orientation |
(20-21)/(20-2- 1) angle hors plan vers l'axe A 0 ±0,5° (20-21)/(20-2- 1) angle hors plan vers l'axe C - 1 ±0,2° |
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| Type de conduction | Type N | Type N | Semi-isolant | |
| Résistivité (300K) | < 0,1 Ω·cm | < 0,05 Ω·cm | > 106Ω·cm | |
| TTV | ≤ 10 µm | |||
| ARC | - 10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm | |||
| Rugosité de la surface avant |
< 0,2 nm (poli)； ou < 0,3 nm (poli et traitement de surface pour épitaxie) |
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| Rugosité de la surface arrière |
0,5 ~ 1,5 μm option : 1~3 nm (sol fin) ;< 0,2 nm (poli) |
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| Densité de luxation | A partir de 1 x 105à 3 x 106cm-2 | |||
| Densité des macro-défauts | 0cm-2 | |||
| Surface utilisable | > 90% (exclusion des bords) | |||
| Emballer | Conditionné en salle blanche classe 100, en bidon 6 PCS, sous atmosphère d'azote | |||
Annexe : Le diagramme de l'angle de coupe incorrect
Si δ1= 0 ±0,5°, alors (20-21)/(20-2-1) l'angle du plan vers l'axe A est de 0 ±0,5°.
Si δ2= - 1 ± 0,2°, alors (20-21)/(20-2- 1) l'angle du plan vers l'axe C est de - 1 ± 0,2°.
À propos de nous
Nous nous spécialisons dans le traitement d'une variété de matériaux en plaquettes, substrats et pièces en verre optique personnalisées. Composants largement utilisés dans l'électronique, l'optique, l'optoélectronique et de nombreux autres domaines.Nous avons également travaillé en étroite collaboration avec de nombreuses universités, institutions de recherche et entreprises nationales et étrangères, fournissant des produits et services personnalisés pour leurs projets de R&D.C'est notre vision de maintenir une bonne relation de coopération avec tous nos clients grâce à notre bonne réputation.
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