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Détails sur le produit:
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| Dimensions: | ² de 5 x de 10mm | Nom de produit: | GaN Substrates libre |
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| Épaisseur: | 350 ±25µm | TTV: | ≤ 10µm |
| Densité de dislocation: | Du ⁵ 1 x 10 au ² de cm⁻ de 3 x 10 ⁶ | Macro densité de défaut: | ² 0cm⁻ |
| Mettre en évidence: | Plaquette de nitrure de gallium GaN,substrat semi-conducteur gan,plaquette de nitrure de gallium de type SI |
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5*10.5mm2Face SP (20-21)/(20-2-1) Substrat monocristallin de GaN autonome de type SI non dopé Résistivité > 106Plaquette de dispositifs RF Ω·cm
Aperçu
Le substrat de nitrure de gallium (GaN) est un substrat monocristallin de haute qualité.Il est fabriqué avec la méthode HVPE originale et la technologie de traitement des plaquettes, développée à l'origine depuis de nombreuses années.Les caractéristiques sont une haute cristallinité, une bonne uniformité et une qualité de surface supérieure.
| (20-21)/(20-2-1) Funce Free-Stunndjeng gunN SousStrates | ||||
| Article |
GaN-FS-SP-US |
GaN-FS-SP-NS |
GaN-FS-SP-SI-S |
Remarques: Un angle d'arc de cercle (R < 2 mm) est utilisé pour distinguer la surface avant et arrière. |
| Dimensions | 5 x 10 mm2 | |||
| Épaisseur | 350 ±25 µm | |||
| Orientation |
(20-21)/(20-2- 1) angle hors plan vers l'axe A 0 ±0,5° (20-21)/(20-2- 1) angle hors plan vers l'axe C - 1 ±0,2° |
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| Type de conduction | Type N | Type N | Semi-isolant | |
| Résistivité (300K) | < 0,1 Ω·cm | < 0,05 Ω·cm | > 106Ω·cm | |
| TTV | ≤ 10 µm | |||
| ARC | - 10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm | |||
| Rugosité de la surface avant |
< 0,2 nm (poli)； ou < 0,3 nm (poli et traitement de surface pour épitaxie) |
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| Rugosité de la surface arrière |
0,5 ~ 1,5 μm option : 1~3 nm (sol fin) ;< 0,2 nm (poli) |
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| Densité de luxation | A partir de 1 x 105à 3 x 106cm-2 | |||
| Densité des macro-défauts | 0cm-2 | |||
| Surface utilisable | > 90% (exclusion des bords) | |||
| Emballer | Conditionné en salle blanche classe 100, en bidon 6 PCS, sous atmosphère d'azote | |||
Annexe : Le diagramme de l'angle de coupe incorrect
Si δ1= 0 ±0,5°, alors (20-21)/(20-2-1) l'angle du plan vers l'axe A est de 0 ±0,5°.
Si δ2= - 1 ± 0,2°, alors (20-21)/(20-2- 1) l'angle du plan vers l'axe C est de - 1 ± 0,2°.
À propos de nous
Nous nous spécialisons dans le traitement d'une variété de matériaux en plaquettes, substrats et pièces en verre optique personnalisées. Composants largement utilisés dans l'électronique, l'optique, l'optoélectronique et de nombreux autres domaines.Nous avons également travaillé en étroite collaboration avec de nombreuses universités, institutions de recherche et entreprises nationales et étrangères, fournissant des produits et services personnalisés pour leurs projets de R&D.C'est notre vision de maintenir une bonne relation de coopération avec tous nos clients grâce à notre bonne réputation.
FAQ
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Nous sommes usine.
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Paymen> = 5000USD, 80% T/T à l'avance, solde avant expédition.
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