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Détails sur le produit:
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| Nom de produit: | Substrat GaN | Dimensions: | ² de 5 x de 10mm |
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| Épaisseur: | 350 ±25µm | TTV: | ≤ 10µm |
| Arc: | - ≤ 10µm d'ARC de ≤ de 10µm | Macro densité de défaut: | ² 0cm⁻ |
| Mettre en évidence: | Plaquette épitaxiale GaN 5 X 10,5 mm2,plaquette de nitrure de gallium gan 325um |
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5 x 10 mm2Substrats GaN autonomes à face M Épaisseur 350 ± 25 µm
5*10mm2Face M Substrat monocristallin de GaN non dopé de type n Résistivité < 0,05 Ω·cm Dispositif d'alimentation/tranche laser
Aperçu
Ces tranches de GaN réalisent des diodes laser ultra-brillantes sans précédent et des dispositifs d'alimentation à haut rendement pour une utilisation dans les sources lumineuses de projecteur, les onduleurs pour véhicules électriques et d'autres applications.
Les caractéristiques sont une haute cristallinité, une bonne uniformité et une qualité de surface supérieure.Les substrats GaN sont utilisés pour les applications LD (violet, bleu et vert).
| M Fas Free-Stetjeng gunN SousStrates | ||||
| Article |
GaN-FS-MUS
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GaN-FS-MNS
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GaN-FS-M-SI-S |
Remarques: Un angle d'arc de cercle (R < 2 mm) est utilisé pour distinguer la surface avant et arrière. |
| Dimensions | 5 x 10 mm2 | |||
| Épaisseur | 350 ±25 µm | |||
| Orientation |
Plan M (1-100) hors angle vers l'axe A 0 ±0,5° Plan M (1- 100) hors angle vers l'axe C - 1 ±0,2° |
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| Type de conduction | Type N | Type N | Semi-isolant | |
| Résistivité (300K) | < 0,1 Ω·cm | < 0,05 Ω·cm | > 106Ω·cm | |
| TTV | ≤ 10 µm | |||
| ARC | - 10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm | |||
| Rugosité de la surface avant |
< 0,2 nm (poli)； ou < 0,3 nm (poli et traitement de surface pour épitaxie) |
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| Rugosité de la surface arrière |
0,5 ~ 1,5 μm option : 1~3 nm (sol fin) ;< 0,2 nm (poli) |
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| Densité de luxation | A partir de 1 x 105à 3 x 106cm-2 | |||
| Densité des macro-défauts | 0cm-2 | |||
| Surface utilisable | > 90% (exclusion des bords) | |||
| Emballer | Conditionné en salle blanche classe 100, en bidon 6 PCS, sous atmosphère d'azote | |||
Annexe : Le diagramme de l'angle de coupe incorrect
Si δ1= 0 ± 0,5 degré, alors le plan M (1-100) hors angle vers l'axe A est de 0 ± 0,5 degré.
Si δ2= - 1 ± 0,2 degré, alors l'angle du plan M (1-100) vers l'axe C est de - 1 ± 0,2 degré.
À propos de nous
Nous nous spécialisons dans le traitement d'une variété de matériaux en plaquettes, substrats et pièces en verre optique personnalisées. Composants largement utilisés dans l'électronique, l'optique, l'optoélectronique et de nombreux autres domaines.Nous avons également travaillé en étroite collaboration avec de nombreuses universités, institutions de recherche et entreprises nationales et étrangères, fournissant des produits et services personnalisés pour leurs projets de R&D.C'est notre vision de maintenir une bonne relation de coopération avec tous nos clients grâce à notre bonne réputation.
FAQ
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