Détails sur le produit:
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Nom de produit: | GaN Single Crystal Substrate libre | Dimensions: | ² de 5 x10mm |
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Épaisseur: | 350 ±25µm | TTV: | ≤ 10µm |
Arc: | - ≤ 10µm d'ARC de ≤ de 10µm | Densité de dislocation: | Du ⁵ 1 x 10 au ² de cm⁻ de 3 x 10 ⁶ |
Mettre en évidence: | Plaquette épitaxiale GaN 5x10.5mm2,plaquette épitaxiale dopée ISO,plaquette épitaxiale GaN à face SP |
5*10mm2Face SP (20-21)/(20-2-1) Type SI non dopé Substrat monocristallin autonome de GaN Résistivité > 106Plaquette de dispositifs RF Ω·cm
Aperçu
Différents types de réseaux antagonistes génératifs (GAN)
DC GAN - C'est un GAN à convolution profonde....
GAN conditionnel et GAN inconditionnel (CGAN) - Le GAN conditionnel est un réseau neuronal d'apprentissage en profondeur dans lequel certains paramètres supplémentaires sont utilisés.
(20-21)/(20-2-1) Funce Free-Stunndjeng gunN SousStrates | ||||
Article |
GaN-FS-SP-US |
GaN-FS-SP-NS |
GaN-FS-SP-SI-S |
Remarques: Un angle d'arc de cercle (R < 2 mm) est utilisé pour distinguer la surface avant et arrière. |
Dimensions | 5 x 10 mm2 | |||
Épaisseur | 350 ±25 µm | |||
Orientation |
(20-21)/(20-2- 1) angle hors plan vers l'axe A 0 ±0,5° (20-21)/(20-2- 1) angle hors plan vers l'axe C - 1 ±0,2° |
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Type de conduction | Type N | Type N | Semi-isolant | |
Résistivité (300K) | < 0,1 Ω·cm | < 0,05 Ω·cm | > 106Ω·cm | |
TTV | ≤ 10 µm | |||
ARC | - 10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm | |||
Rugosité de la surface avant |
< 0,2 nm (poli); ou < 0,3 nm (poli et traitement de surface pour épitaxie) |
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Rugosité de la surface arrière |
0,5 ~ 1,5 μm option : 1~3 nm (sol fin) ;< 0,2 nm (poli) |
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Densité de luxation | A partir de 1 x 105à 3 x 106cm-2 | |||
Densité des macro-défauts | 0cm-2 | |||
Surface utilisable | > 90% (exclusion des bords) | |||
Emballer | Conditionné en salle blanche classe 100, en bidon 6 PCS, sous atmosphère d'azote |
Annexe : Le diagramme de l'angle de coupe incorrect
Si δ1= 0 ±0,5°, alors (20-21)/(20-2-1) l'angle du plan vers l'axe A est de 0 ±0,5°.
Si δ2= - 1 ± 0,2°, alors (20-21)/(20-2- 1) l'angle du plan vers l'axe C est de - 1 ± 0,2°.
À propos de nous
Nous nous spécialisons dans le traitement d'une variété de matériaux en plaquettes, substrats et pièces en verre optique personnalisées. Composants largement utilisés dans l'électronique, l'optique, l'optoélectronique et de nombreux autres domaines.Nous avons également travaillé en étroite collaboration avec de nombreuses universités, institutions de recherche et entreprises nationales et étrangères, fournissant des produits et services personnalisés pour leurs projets de R&D.C'est notre vision de maintenir une bonne relation de coopération avec tous nos clients grâce à notre bonne réputation.
FAQ
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