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Demande de soumission |
Aperçu ProduitsGaufrette sic épitaxiale

4H gaufrette sic épitaxiale ≤0.2 /cm2 0.015Ω•cm-0.025Ω•cm 150,0 millimètre +0mm/-0.2mm

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Certificat
LA CHINE Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. certifications
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4H gaufrette sic épitaxiale ≤0.2 /cm2 0.015Ω•cm-0.025Ω•cm 150,0 millimètre +0mm/-0.2mm

4H gaufrette sic épitaxiale ≤0.2 /cm2 0.015Ω•cm-0.025Ω•cm 150,0 millimètre +0mm/-0.2mm
4H SiC Epitaxial Wafer ≤0.2 /cm2 0.015Ω•cm—0.025Ω•cm 150.0 mm +0mm/-0.2mm
4H gaufrette sic épitaxiale ≤0.2 /cm2 0.015Ω•cm-0.025Ω•cm 150,0 millimètre +0mm/-0.2mm 4H gaufrette sic épitaxiale ≤0.2 /cm2 0.015Ω•cm-0.025Ω•cm 150,0 millimètre +0mm/-0.2mm

Image Grand :  4H gaufrette sic épitaxiale ≤0.2 /cm2 0.015Ω•cm-0.025Ω•cm 150,0 millimètre +0mm/-0.2mm

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: Suzhou Chine
Nom de marque: GaNova
Certification: UKAS/ISO9001:2015
Numéro de modèle: JDCD03-002-008
Conditions de paiement et expédition:
Détails d'emballage: Emballage sous vide dans un environnement de salle blanche de classe 10000, dans des cassettes de 25
Délai de livraison: 3-4 jours de la semaine
Conditions de paiement: T/T
Contact

4H gaufrette sic épitaxiale ≤0.2 /cm2 0.015Ω•cm-0.025Ω•cm 150,0 millimètre +0mm/-0.2mm

description de
Nom de produit: Gaufrette sic épitaxiale Crystal Form: 4h
Polytype: Aucun n'a laissé Diamètre: 150.0mm +0mm/-0.2mm
Orientation extérieure: En dehors de l'axe : ° de 4°toward <11-20>±0.5 Longueur plate primaire: ± 1.5mm de 47.5mm
Mettre en évidence:

gaufrette sic épitaxiale 4H

,

gaufrette ISO9001 de carbure de silicium

,

Gaufrette sic épitaxiale 0

4H gaufrette sic épitaxiale ≤0.2 /Cm2 0.015Ω•Cm-0.025Ω•Cm 150,0 millimètre +0mm/-0.2mm

JDCD03-001-004

Aperçu

Les gaufrettes de 200 millimètres peuvent être employées pour un grand choix d'applications. Ces gaufrettes sont 50% plus minces que la gaufrette de silicium standard, ainsi le diamètre de 200 millimètres peut être employé pour plus sic des dispositifs.

La taille de 200 millimètres est beaucoup plus efficace et permettra à plus de dispositifs d'être établis sur la même taille. Un millimètre-diamètre 200 est sic un semi-conducteur très cher, mais son rendement élevé compense cet inconvénient.

Propriété Catégorie de PMOS Catégorie de P-SBD Catégorie de D
Crystal Form 4H
Polytype Aucun n'a laissé Area≤5%
(MPD) a ≤0.2 /cm2 ≤0.5 /cm2 ≤5 /cm2
Plats de sortilège Aucun n'a laissé Area≤5%
Polycrystal hexagonal Aucun n'a laissé
Inclusions a Area≤0.05% Area≤0.05% NON-DÉTERMINÉ
Résistivité 0.015Ω•cm-0.025Ω•cm 0.015Ω•cm-0.025Ω•cm 0.014Ω•cm-0.028Ω•cm
(EPD) a ≤4000/cm2 ≤8000/cm2 NON-DÉTERMINÉ
(TED) a ≤3000/cm2 ≤6000/cm2 NON-DÉTERMINÉ
(Baril par jour) a ≤1000/cm2 ≤2000/cm2 NON-DÉTERMINÉ
(DST) a ≤600/cm2 ≤1000/cm2 NON-DÉTERMINÉ
Défaut d'empilement Secteur de ≤0.5% Secteur de ≤1% NON-DÉTERMINÉ

Contamination extérieure en métal

(Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn, Pb, Na, K, Ti, Ca, V, manganèse) ≤1E11 cm-2
Diamètre 150,0 millimètres +0mm/-0.2mm
Orientation extérieure En dehors de l'axe : ° <11-20>de 4°toward ±0.5
Longueur plate primaire 47,5 millimètres de ± 1,5 millimètres
Longueur plate secondaire Aucun appartement secondaire
Orientation plate primaire To±1° parallèle<11-20>
Orientation plate secondaire NON-DÉTERMINÉ
Misorientation orthogonal ±5.0°
Finition extérieure C-visage : Polonais optique, SI-visage : CMP
Bord de gaufrette Tailler

Aspérité

(10μm×10μm)

 Visage Ra≤0.20 nanomètre de SI ; Visage Ra≤0.50 nanomètre de C
Épaisseur a μm 350.0μm± 25,0
LTV (10mm×10mm) a ≤2μm ≤3μm
(TTV) a ≤6μm ≤10μm
(ARC) a ≤15μm ≤25μm ≤40μm
(Chaîne) a ≤25μm ≤40μm ≤60μm
Puces/creux Aucun n'a laissé la largeur et la profondeur de ≥0.5mm Largeur et profondeur de Qty.2 ≤1.0 millimètre

Éraflures a

(Visage de SI, CS8520)

 ≤5 et diamètre cumulatif de Length≤0.5×Wafer

≤5 et Length≤1.5×Wafer cumulatif

Diamètre
TUA (2mm*2mm) ≥98% ≥95% NON-DÉTERMINÉ
Fissures Aucun n'a laissé
Contamination Aucun n'a laissé
Propriété Catégorie de PMOS Catégorie de P-SBD Catégorie de D
Exclusion de bord 3mm

Remarque : l'exclusion de bord de 3mm est employée pour les articles identifiés par l'A.

Au sujet de nous

Nous nous spécialisons en transformant un grand choix de matériaux en gaufrettes, substrats et parts.components en verre optique adapté aux besoins du client très utilisés dans l'électronique, l'optique, l'électronique opto et beaucoup d'autres domaines. Nous également avions travaillé étroitement avec beaucoup de domestiques et les universités, les instituts de recherche et les sociétés d'outre-mer, fournissent les produits et services adaptés aux besoins du client pour leurs projets de R&D. C'est notre vision à maintenir de bonnes relations de coopération avec nos tous les clients par nos bonnes réputations.

FAQ

Q : Est-vous société commerciale ou le fabricant ?
Nous sommes usine.
Q : De quelle longueur est-il votre délai de livraison ?
Généralement c'est de 3-5 jours si les marchandises sont en stock.
ou c'est de 7-10 jours si les marchandises ne sont pas en stock, il est selon la quantité.
Q : Fournissez-vous des échantillons ? est-lui librement ou supplémentaire ?
Oui, nous pourrions offrir l'échantillon pour la charge libre mais ne payons pas le coût de fret.
Q : Quelles sont vos conditions de paiement ?
Paiement <> >=5000USD, 80% T/T de paiement à l'avance, équilibre avant expédition.

Produit Tag:

Gaufrettes épitaxiales de carbure de silicium,

type gaufrette sic épitaxiale,

visage sic épitaxial de N de la gaufrette C

Coordonnées
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Personne à contacter: Xiwen Bai (Ciel)

Téléphone: +8613372109561

Envoyez votre demande directement à nous (0 / 3000)

À propos

GaN Epitaxial Wafer

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Le Fe a enduit GaN Substrates Resistivity > 10 le ⁶ Ω·Dispositifs RF de cm

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Gaufrette sic épitaxiale

Plaquette épitaxiale SiC biseautée 150,0 mm + 0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

bord épitaxial de gaufrette de gaufrette de SiC de la forme en cristal 4H biseautant le ± 25.0um de 350.0um

CMP polonais optique de SI-visage de C-visage sic épitaxial de gaufrette de monocristal

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