Aperçu Produitssilicon carbide epitaxial wafers fabricant en ligne

Tous les produits

GaN Epitaxial Wafer
(65)

Gaufrette sic épitaxiale
(39)

GaAs Epi Wafer
(15)

Substrats de diamant CVD
(15)

Système de recuit thermique rapide
(2)

Testeur de capteur à effet Hall
(3)

Gaufrette de nitrure en aluminium
(21)

Puce de diode laser
(10)

Cristal de carbure de silicium
(12)

Plaquette Ga2O3
(13)

gaufrette de silicium
(26)

Sapphire Wafer
(19)

Sapphire Substrates modelée
(10)

Support de gaufrette de téflon
(1)

Machine à découper les plaquettes
(5)

Certificat

Je suis en ligne une discussion en ligne

silicon carbide epitaxial wafers fabrication en ligne

(23)

Polytype Non autorisé Plaquette épitaxiale SiC P-MOS P-SBD Grade D
Contact

2024-10-29 11:49:58

niveau P de substrat de carbure de silicium de 260μm pour des dispositifs de puissance et des dispositifs à micro-ondes
Contact

2024-10-29 11:49:58

6 pouces 4H SiC Substrat N Type P SBD Grade 350μm
Contact

2022-10-24 10:23:04

Substrat SiC 350um 4H
Contact

2022-10-09 16:57:57

AlGaN Buffer Épaisseur 600nm 2 pouces Blue-LED GaN sur plaquette de silicium
Contact

2025-04-04 22:42:47

Niveau P 260μm de gaufrette de semi-conducteur de 2 pouces pour des dispositifs à micro-ondes de dispositifs de puissance
Contact

2022-10-24 10:25:55

6inch N Type Wafer P MOS Grade 4H SiC Substrat 350.0 ± 25.0um
Contact

2022-10-24 10:21:10

Front Surface Roughness GaN On Silicon Wafer GaN Substrate
Contact

2022-10-08 17:19:48

Type 6inch 4H du niveau P SI isolant sic semi le substrat 150mm
Contact

2022-10-24 10:21:46

Sic type substrat de N
Contact

2022-10-09 16:57:15

Page 2 of 3|< << 1 2 3 >> >|

GaN Epitaxial Wafer

Gaufrette sic épitaxiale

GaAs Epi Wafer

Substrats de diamant CVD

Système de recuit thermique rapide

Testeur de capteur à effet Hall

Gaufrette de nitrure en aluminium

Puce de diode laser

Cristal de carbure de silicium

Plaquette Ga2O3

gaufrette de silicium

Sapphire Wafer

Sapphire Substrates modelée

Support de gaufrette de téflon

Machine à découper les plaquettes

silicon carbide epitaxial wafers fabrication en ligne

Polytype Non autorisé Plaquette épitaxiale SiC P-MOS P-SBD Grade D
Contact

niveau P de substrat de carbure de silicium de 260μm pour des dispositifs de puissance et des dispositifs à micro-ondes
Contact

6 pouces 4H SiC Substrat N Type P SBD Grade 350μm
Contact

Substrat SiC 350um 4H
Contact

AlGaN Buffer Épaisseur 600nm 2 pouces Blue-LED GaN sur plaquette de silicium
Contact

Niveau P 260μm de gaufrette de semi-conducteur de 2 pouces pour des dispositifs à micro-ondes de dispositifs de puissance
Contact

6inch N Type Wafer P MOS Grade 4H SiC Substrat 350.0 ± 25.0um
Contact

Front Surface Roughness GaN On Silicon Wafer GaN Substrate
Contact

Type 6inch 4H du niveau P SI isolant sic semi le substrat 150mm
Contact

Sic type substrat de N
Contact

GaN Epitaxial Wafer

le Fe de visage de 2inch GaN Epitaxial Wafer C a enduit le type position libre de SI

Le Fe a enduit GaN Substrates Resistivity > 10 le ⁶ Ω·Dispositifs RF de cm

Substrats SI-GaN autonomes de 2 pouces

Gaufrette sic épitaxiale

Plaquette épitaxiale SiC biseautée 150,0 mm + 0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

bord épitaxial de gaufrette de gaufrette de SiC de la forme en cristal 4H biseautant le ± 25.0um de 350.0um

CMP polonais optique de SI-visage de C-visage sic épitaxial de gaufrette de monocristal