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Détails sur le produit:
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| Nom de produit: | Gaufrette sic épitaxiale | Longueur plate primaire: | ± 1.5mm de 47.5mm |
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| Diamètre: | 150.0mm +0mm/-0.2mm | Crystal Form: | 4h |
| Polytype: | Aucun n'a laissé | Orientation extérieure: | En dehors de l'axe : ° de 4°toward <11-20>±0.5 |
| Mettre en évidence: | Plaquette épitaxiale SiC P-MOS,plaquette épi de silicium de qualité D,plaquette épitaxiale SiC P-SBD |
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JDCD03-001-004 Plaquette épitaxiale Sic P-MOS P-SBD Polytype de grade D Aucun autorisé
JDCD03-001-004
Aperçu
Une tranche de SiC est un matériau semi-conducteur qui possède d'excellentes propriétés électriques et thermiques.Il s'agit d'un semi-conducteur hautes performances idéal pour une grande variété d'applications.En plus de sa haute résistance thermique, il présente également un très haut niveau de dureté.
Par rapport à d'autres semi-conducteurs, une plaquette de carbure de silicium est idéale pour une large gamme d'applications de puissance et de tension.Cela signifie qu'il convient à une variété d'appareils électriques et optiques.
| Propriété | Qualité P-MOS | Nuance P-SBD | Classe D |
| Forme de cristal | 4H | ||
| Polytype | Aucun permis | Zone≤5 % | |
| (MPD)un | ≤0.2/cm2 | ≤0.5/cm2 | ≤5/cm2 |
| Plaques hexagonales | Aucun permis | Zone≤5 % | |
| Polycristal hexagonal | Aucun permis | ||
| Inclusionsun | Zone≤0,05 % | Zone≤0,05 % | N / A |
| Résistivité | 0,015Ω•cm—0,025Ω•cm | 0,015Ω•cm—0,025Ω•cm | 0,014Ω•cm—0,028Ω•cm |
| (EPD)un | ≤4000/cm2 | ≤8000/cm2 | N / A |
| (TED)un | ≤3000/cm2 | ≤6000/cm2 | N / A |
| (TPL)un | ≤1000/cm2 | ≤2000/cm2 | N / A |
| (TSD)un | ≤600/cm2 | ≤1000/cm2 | N / A |
| Défaut d'empilement | ≤0.5% Zone | ≤1% Zone | N / A |
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Contamination métallique de surface |
(Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn, Pb, Na, K, Ti, Ca, V, Mn) ≤1E11 cm-2 |
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| Diamètre | 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm | ||
| Orientation des surfaces | Hors axe : 4 ° vers <11-20> ±0,5 ° | ||
| Longueur plate primaire | 47,5 mm ± 1,5 mm | ||
| Longueur plate secondaire | Pas d'appartement secondaire | ||
| Orientation principale à plat | Parallèle à<11-20>±1° | ||
| Orientation plate secondaire | N / A | ||
| Désorientation orthogonale | ±5,0° | ||
| Finition de surface | Face C : polissage optique, face Si : CMP | ||
| Bord de plaquette | Biseautage | ||
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Rugosité de surface (10μm×10μm) |
Si Face Ra≤0.20 nm ； C Face Ra≤0.50 nm | ||
| Épaisseurun | 350.0μm± 25.0μm | ||
| LTV(10mm×10mm)un | ≤2μm | ≤3μm | |
| (TVT)un | ≤6μm | ≤10μm | |
| (ARC)un | ≤15μm | ≤25μm | ≤40μm |
| (Chaîne)un | ≤25μm | ≤40μm | ≤60μm |
| Puces/retraits | Aucun autorisé ≥ 0,5 mm de largeur et de profondeur | Qty.2 ≤1.0 mm Largeur et profondeur | |
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Rayuresun (Visage Si, CS8520) |
≤5 et longueur cumulée≤0,5×diamètre de plaquette |
≤5 et longueur cumulée≤1.5×Wafer Diamètre |
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| TU(2mm*2mm) | ≥98% | ≥95% | N / A |
| Fissures | Aucun permis | ||
| Contamination | Aucun permis | ||
| Propriété | Qualité P-MOS | Nuance P-SBD | Classe D |
| Exclusion de bord | 3mm | ||
Remarque : une exclusion de bord de 3 mm est utilisée pour les éléments marqués d'unun.
À propos de nous
Nous nous spécialisons dans le traitement d'une variété de matériaux en plaquettes, substrats et pièces en verre optique personnalisées. Composants largement utilisés dans l'électronique, l'optique, l'optoélectronique et de nombreux autres domaines.Nous avons également travaillé en étroite collaboration avec de nombreuses universités, institutions de recherche et entreprises nationales et étrangères, fournissant des produits et services personnalisés pour leurs projets de R&D.C'est notre vision de maintenir une bonne relation de coopération avec tous nos clients grâce à notre bonne réputation.
FAQ
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Nous sommes usine.
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Q : Fournissez-vous des échantillons ?est-ce gratuit ou en supplément ?
Oui, nous pourrions offrir l'échantillon gratuitement mais ne payons pas les frais de transport.
Q : Quelles sont vos conditions de paiement ?
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Paymen> = 5000USD, 80% T/T à l'avance, solde avant expédition.
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