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Aperçu Produitsgaufrette de silicium

0.001-100 ohm-cm Plaquette de silicium Type P Dopant au bore

Certificat
LA CHINE Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. certifications
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0.001-100 ohm-cm Plaquette de silicium Type P Dopant au bore

0.001-100 ohm-cm Plaquette de silicium Type P Dopant au bore
0.001-100 ohm-cm Plaquette de silicium Type P Dopant au bore

Image Grand :  0.001-100 ohm-cm Plaquette de silicium Type P Dopant au bore

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: Suzhou Chine
Nom de marque: GaNova
Certification: UKAS/ISO9001:2015
Numéro de modèle: JDCD06-001-002
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 1
Détails d'emballage: Emballage sous vide dans un environnement de salle blanche de classe 10000, dans des cassettes de 25
Délai de livraison: 3-4 jours de la semaine
Conditions de paiement: T/T
Capacité d'approvisionnement: 50000pcs/month

0.001-100 ohm-cm Plaquette de silicium Type P Dopant au bore

description de
Diamètre: 2" Catégorie: Principal
Méthode de croissance: LA CZ Orientation: <1-0-0><1-1-1>,<1-1-0>
Type/dopant: Type de P/bore, type de N/Phos, N Type/As, N Type/Sb Épaisseur(μm): 279
Tolérance d'épaisseur: ± standard 25μm, ± maximum 5μm de capacités résistivité: 0.001-100 ohm-cm
Extérieur fini: P/E, P/P, E/E, G/G TTV (μm): <10μm standard, Capabilities<5μm maximum
Arc/chaîne: <40μm standard, Capabilities<20μm maximum Particule: <10>
Mettre en évidence:

Type P de plaquette de silicium de 100 ohm-cm

,

plaquette épitaxiale de silicium de 279 um

,

dopant de bore de plaquette de silicium

Particule de plaquette de silicium 0,001-100 ohm-cm <10 @ 0,5 μm <10@0.3μm <10@0.2μm

Dispositifs MEMS de plaquette de silicium de 2 pouces, circuits intégrés, substrats dédiés pour dispositifs discrets

 


Aperçu

Selon le niveau de dopage du silicium, le semi-conducteur peut être considéré comme extrinsèque ou dégénéré.Les semi-conducteurs extrinsèques seraient légèrement à modérément dopés alors que les semi-conducteurs dégénérés agissent davantage comme des conducteurs en raison des niveaux élevés de dopage qui se produisent lors de la fabrication.

 

 

spécification

plaquette de silicium

Diamètre

 

2"/3"/4"/5"/6"/8"/12"
Grade Prime
Croissance Méthode CZ
Orientation <1-0-0>,<1-1-1>,<1-1-0>
Type/Dopant Type P/Bore, Type N/Phos, Type N/As, Type N/Sb
Épaisseur(μm) 279/380/525/625/675/725/775
Épaisseur Tolérance Norme ± 25 μm, Capacité(s) maximale(s) ± 5 μm
Résistivité 0,001-100 ohm-cm
Surface Fini P/E,P/P,E/E,G/G
TTV(μm) Standard <10 μm, capacités maximales <5 μm
Arc/Chaîne Norme <40 μm, capacités maximales <20 μm
Particule <10@0.5μm ;<10@0.3μm ;<10@0,2 μm ;

 

 

 

À propos de nous

Nous nous spécialisons dans le traitement d'une variété de matériaux en plaquettes, substrats et pièces en verre optique personnalisées. Composants largement utilisés dans l'électronique, l'optique, l'optoélectronique et de nombreux autres domaines.Nous avons également travaillé en étroite collaboration avec de nombreuses universités, institutions de recherche et entreprises nationales et étrangères, fournissant des produits et services personnalisés pour leurs projets de R&D.C'est notre vision de maintenir une bonne relation de coopération avec tous nos clients grâce à notre bonne réputation.

 

 

FAQ

Q : Êtes-vous une société commerciale ou un fabricant ?
Nous sommes usine.
Q : Combien de temps dure votre délai de livraison ?
Généralement, il est de 3 à 5 jours si les marchandises sont en stock.
ou c'est 7-10 jours si les marchandises ne sont pas en stock, c'est selon la quantité.
Q : Fournissez-vous des échantillons ?est-ce gratuit ou en supplément ?
Oui, nous pourrions offrir l'échantillon gratuitement mais ne payons pas les frais de transport.
Q : Quelles sont vos conditions de paiement ?
Paiement <=5000USD, 100% à l'avance.
Paymen> = 5000USD, 80% T/T à l'avance, solde avant expédition.

 

Coordonnées
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Personne à contacter: Xiwen Bai (Ciel)

Téléphone: +8613372109561

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