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cz silicon wafer fabrication en ligne

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Gaufrette de silicium de la CZ de méthode de croissance 5" orientation <1-0-0>, <1-1-1>, <1-1-0>
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2022-09-27 16:53:40

Type de N type du Sb N comme gaufrette de silicium 6 pouces 8 pouces
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2023-02-17 12:43:17

2" principal μm <10 Capabilities<5um standard de gaufrette de silicium maximum
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2022-09-27 16:52:11

JDCD06-001-003 Dispositifs MEMS de plaquette de silicium de 4 pouces, circuits intégrés, substrats dédiés pour dispositifs discrets
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2025-04-04 22:43:44

JDCD06-001-004 Wafer de silicium de 5 pouces Dispositifs MEMS Circuits intégrés Substrats dédiés pour les dispositifs discrets
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2025-04-27 11:43:51

JDCD06-001-006 Dispositifs MEMS à plaquettes de silicium de 8 pouces Circuits intégrés Substrats dédiés pour dispositifs discrets
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2025-04-27 11:43:51

JDCD06-001-007 Wafer de silicium de 12 pouces Dispositifs MEMS Circuits intégrés Substrats dédiés pour les dispositifs discrets
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2025-04-27 11:43:51

0.001-100 ohm-cm Plaquette de silicium Type P Dopant au bore
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2022-09-27 16:52:32

JDCD06-001-005 Wafer de silicium de 6 pouces Dispositifs MEMS Circuits intégrés Substrats dédiés pour dispositifs discrets
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2025-04-27 11:43:51

JDCD06-001-002 Dispositifs MEMS de plaquette de silicium de 3 pouces, circuits intégrés, substrats dédiés pour dispositifs discrets
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GaN Epitaxial Wafer

le Fe de visage de 2inch GaN Epitaxial Wafer C a enduit le type position libre de SI

Le Fe a enduit GaN Substrates Resistivity > 10 le ⁶ Ω·Dispositifs RF de cm

Substrats SI-GaN autonomes de 2 pouces

Gaufrette sic épitaxiale

Plaquette épitaxiale SiC biseautée 150,0 mm + 0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

bord épitaxial de gaufrette de gaufrette de SiC de la forme en cristal 4H biseautant le ± 25.0um de 350.0um

CMP polonais optique de SI-visage de C-visage sic épitaxial de gaufrette de monocristal