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Aperçu Produitsgaufrette de silicium

Substrat primaire de plaquette épitaxiale de silicium microélectronique 279um

Certificat
LA CHINE Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. certifications
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Substrat primaire de plaquette épitaxiale de silicium microélectronique 279um

Substrat primaire de plaquette épitaxiale de silicium microélectronique 279um
Substrat primaire de plaquette épitaxiale de silicium microélectronique 279um

Image Grand :  Substrat primaire de plaquette épitaxiale de silicium microélectronique 279um

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: Suzhou Chine
Nom de marque: GaNova
Certification: UKAS/ISO9001:2015
Numéro de modèle: JDCD06-001-002
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 1
Détails d'emballage: Emballage sous vide dans un environnement de salle blanche de classe 10000, dans des cassettes de 25
Délai de livraison: 3-4 jours de la semaine
Conditions de paiement: T/T
Capacité d'approvisionnement: 50000pcs/month

Substrat primaire de plaquette épitaxiale de silicium microélectronique 279um

description de
Catégorie: Principal Méthode de croissance: LA CZ
Type/dopant: Type de P/bore, type de N/Phos, N Type/As, N Type/Sb Épaisseur(μm): 279
Tolérance d'épaisseur: ± standard 25μm, ± maximum 5μm de capacités résistivité: 0.001-100 ohm-cm
Extérieur fini: P/E, P/P, E/E, G/G TTV (μm): <10μm standard, Capabilities<5μm maximum
Mettre en évidence:

Plaquette épitaxiale de silicium microélectronique

,

plaquette épitaxiale de silicium de type N

,

plaquette épitaxiale de silicium 279um

Épaisseur (μm) 279 Plaquette de silicium TTV (μm) Standard <10 um, capacités maximales <5 μm

Dispositifs MEMS de plaquette de silicium de 2 pouces, circuits intégrés, substrats dédiés pour dispositifs discrets

 


Aperçu

Les tranches de silicium (Si) sont des matériaux de substrat primaires dans le domaine de la microélectronique et de la microélectromécanique en raison de ses propriétés supérieures, qui peuvent être ajustées.Dans ce chapitre, nous donnons d'abord un aperçu des techniques d'usinage par électroérosion.En outre, les résultats de capacité et de performance des techniques d'usinage par décharge électrique pour l'usinage de cavités tridimensionnelles sur Si avec des réglages de paramètres optimaux sont également discutés.

 

 

spécification

plaquette de silicium

Diamètre

 

2"/3"/4"/5"/6"/8"/12"
Grade Prime
Croissance Méthode CZ
Orientation <1-0-0>,<1-1-1>,<1-1-0>
Type/Dopant Type P/Bore, Type N/Phos, Type N/As, Type N/Sb
Épaisseur(μm) 279/380/525/625/675/725/775
Épaisseur Tolérance Norme ± 25 μm, Capacité(s) maximale(s) ± 5 μm
Résistivité 0,001-100 ohm-cm
Surface Fini P/E,P/P,E/E,G/G
TTV(μm) Norme <10 μm, capacités maximales < 5 μm
Arc/Chaîne Norme <40 μm, capacités maximales <20 μm
Particule <10@0.5μm ;<10@0.3μm ;<10@0,2 μm ;

 

 

 

À propos de nous

Nous nous spécialisons dans le traitement d'une variété de matériaux en plaquettes, substrats et pièces en verre optique personnalisées. Composants largement utilisés dans l'électronique, l'optique, l'optoélectronique et de nombreux autres domaines.Nous avons également travaillé en étroite collaboration avec de nombreuses universités, institutions de recherche et entreprises nationales et étrangères, fournissant des produits et services personnalisés pour leurs projets de R&D.C'est notre vision de maintenir une bonne relation de coopération avec tous nos clients grâce à notre bonne réputation.

 

 

FAQ

Q : Êtes-vous une société commerciale ou un fabricant ?
Nous sommes usine.
Q : Combien de temps dure votre délai de livraison ?
Généralement, il est de 3 à 5 jours si les marchandises sont en stock.
ou c'est 7-10 jours si les marchandises ne sont pas en stock, c'est selon la quantité.
Q : Fournissez-vous des échantillons ?est-ce gratuit ou en supplément ?
Oui, nous pourrions offrir l'échantillon gratuitement mais ne payons pas les frais de transport.
Q : Quelles sont vos conditions de paiement ?
Paiement <=5000USD, 100% à l'avance.
Paymen> = 5000USD, 80% T/T à l'avance, solde avant expédition.

 

Coordonnées
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Personne à contacter: Xiwen Bai (Ciel)

Téléphone: +8613372109561

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