Aperçu Produitsn type silicon epi wafer fabricant en ligne

Tous les produits

GaN Epitaxial Wafer
(65)

Gaufrette sic épitaxiale
(39)

GaAs Epi Wafer
(15)

Substrats de diamant CVD
(15)

Système de recuit thermique rapide
(2)

Testeur de capteur à effet Hall
(3)

Gaufrette de nitrure en aluminium
(21)

Puce de diode laser
(10)

Cristal de carbure de silicium
(12)

Plaquette Ga2O3
(13)

gaufrette de silicium
(26)

Sapphire Wafer
(19)

Sapphire Substrates modelée
(10)

Support de gaufrette de téflon
(1)

Machine à découper les plaquettes
(5)

Certificat

Je suis en ligne une discussion en ligne

n type silicon epi wafer fabrication en ligne

(16)

Substrat primaire de plaquette épitaxiale de silicium microélectronique 279um
Contact

2022-09-27 16:51:53

2" épaisseur 279μm de gaufrette de silicium de semi-conducteur
Contact

2022-09-27 16:54:31

GaN de type N de 2 ¢ 6 pouces sur une gaufre épitaxiale en saphir pour un dispositif de numérotation laser LED
Contact

2024-12-06 17:48:43

GaN de 2 pouces sur la gaufre en silicium HEMT Epi pour le dispositif de puissance
Contact

2024-12-06 17:40:06

Pouce GaN Epi Wafer Dimensions de l'épaisseur 370um 430um 2 50mm
Contact

2024-10-29 11:49:57

6 pouces 4H SiC Substrat N Type P SBD Grade 350μm
Contact

2022-10-24 10:23:04

Barrière d'AlGaN 4 pouces GaN sur le silicium HEMT Epi wafer nitrure de gallium GaN-sur-Si
Contact

2024-12-06 17:33:44

6 pouces GaN sur le silicium HEMT Epi Wafer Power Device Nitrure de gallium GaN sur le Si
Contact

2024-12-06 17:38:23

2 pouces GaN sur le silicium bleu LD Epi Wafer GaN laser bleu sur le silicium
Contact

2024-12-06 17:35:32

4H gaufrette sic épitaxiale 0.015Ω•cm-0.025Ω•² 150,0 millimètre +0mm/-0.2mm de cm ≤4000/cm
Contact

2024-10-29 11:49:58

Page 1 of 2|< << 1 2 >> >|

GaN Epitaxial Wafer

Gaufrette sic épitaxiale

GaAs Epi Wafer

Substrats de diamant CVD

Système de recuit thermique rapide

Testeur de capteur à effet Hall

Gaufrette de nitrure en aluminium

Puce de diode laser

Cristal de carbure de silicium

Plaquette Ga2O3

gaufrette de silicium

Sapphire Wafer

Sapphire Substrates modelée

Support de gaufrette de téflon

Machine à découper les plaquettes

n type silicon epi wafer fabrication en ligne

Substrat primaire de plaquette épitaxiale de silicium microélectronique 279um
Contact

2" épaisseur 279μm de gaufrette de silicium de semi-conducteur
Contact

GaN de type N de 2 ¢ 6 pouces sur une gaufre épitaxiale en saphir pour un dispositif de numérotation laser LED
Contact

GaN de 2 pouces sur la gaufre en silicium HEMT Epi pour le dispositif de puissance
Contact

Pouce GaN Epi Wafer Dimensions de l'épaisseur 370um 430um 2 50mm
Contact

6 pouces 4H SiC Substrat N Type P SBD Grade 350μm
Contact

Barrière d'AlGaN 4 pouces GaN sur le silicium HEMT Epi wafer nitrure de gallium GaN-sur-Si
Contact

6 pouces GaN sur le silicium HEMT Epi Wafer Power Device Nitrure de gallium GaN sur le Si
Contact

2 pouces GaN sur le silicium bleu LD Epi Wafer GaN laser bleu sur le silicium
Contact

4H gaufrette sic épitaxiale 0.015Ω•cm-0.025Ω•² 150,0 millimètre +0mm/-0.2mm de cm ≤4000/cm
Contact

GaN Epitaxial Wafer

le Fe de visage de 2inch GaN Epitaxial Wafer C a enduit le type position libre de SI

Le Fe a enduit GaN Substrates Resistivity > 10 le ⁶ Ω·Dispositifs RF de cm

Substrats SI-GaN autonomes de 2 pouces

Gaufrette sic épitaxiale

Plaquette épitaxiale SiC biseautée 150,0 mm + 0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

bord épitaxial de gaufrette de gaufrette de SiC de la forme en cristal 4H biseautant le ± 25.0um de 350.0um

CMP polonais optique de SI-visage de C-visage sic épitaxial de gaufrette de monocristal