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Gaufrette sic épitaxiale
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GaAs Epi Wafer
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n type silicon epi wafer fabrication en ligne

(22)

Wafer épitaxial GaN essentiel pour la production de puces haute tension haute fréquence
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2024-12-06 17:47:04

Plaquette épitaxiale GaN 5x10mm2 Type SI dopé Un
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2024-10-29 11:49:57

6 pouces 4H SiC Substrat N Type P SBD Grade 350μm
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2022-10-24 10:23:04

Une orientation de surface plane Plaquette de saphir polie miroir EPI Ready
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2023-02-17 10:18:27

Dispositif de puissance de 2 pouces Transistor à haute mobilité électronique Wafer épitaxial
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2024-12-06 17:41:10

le miroir de 50mm Sapphire Wafer R9 a poli le type prêt du bord R de gaufrette d'EPI
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2023-02-17 10:17:17

L'éclairage LED bleu GaN sur la plaque de silicium
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2024-12-06 17:37:25

Optoélectronique Polissage Saphir Cristal Wafer Type R
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2023-02-17 11:22:48

LED à substrat d'arséniure de gallium pour communications optiques
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2022-10-09 09:53:08

Résistivité du substrat monocristallin de GaN monocristallin de type SI dopé au Fe à face C de 2 pouces > 10⁶ Ω·cm Dispositifs RF
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2025-04-04 22:43:44

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GaN Epitaxial Wafer

Gaufrette sic épitaxiale

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GaN Epitaxial Wafer

le Fe de visage de 2inch GaN Epitaxial Wafer C a enduit le type position libre de SI

Le Fe a enduit GaN Substrates Resistivity > 10 le ⁶ Ω·Dispositifs RF de cm

Substrats SI-GaN autonomes de 2 pouces

Gaufrette sic épitaxiale

Plaquette épitaxiale SiC biseautée 150,0 mm + 0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

bord épitaxial de gaufrette de gaufrette de SiC de la forme en cristal 4H biseautant le ± 25.0um de 350.0um

CMP polonais optique de SI-visage de C-visage sic épitaxial de gaufrette de monocristal