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Détails sur le produit:
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| Dimensions: | 50,8 ± 1mm | Épaisseur: | 350 ± 25μm |
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| Appartement d'orientation: | ± 0.5˚, 16 ± 1mm (de 1-100) | Appartement secondaire d'orientation: | ± 3˚, 8 ± 1mm (de 11-20) |
| TTV: | ≤ 15μm | Arc: | ≤ 40μm du ≤ 20μm |
| Mettre en évidence: | 2 pouces de GaN sous-produit monocristallin,Résistance GaN Substrate monocristallin |
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Substrat monocristallin de GaN autoportant de type SI dopé au Fe à face C de 2 pouces Résistivité> 106Appareils RF Ω·cm
Aperçu
Plaquettes épitaxiales de nitrure de gallium (GaN) (épi-wafers).Plaquettes de transistors à haute mobilité électronique GaN (HEMT) sur différents substrats tels qu'un substrat en silicium, un substrat en saphir, un substrat en carbure de silicium (SiC).Nous proposons du GaN sur des plaquettes de SiC pour les applications RF et de puissance.
| Substrats U-GaN/SI-GaN autonomes de 2 pouces | |||||||
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Excellent niveau (S) |
Niveau de production(B) |
Recherche niveau (B) |
Factice niveau (C) |
Note: (1) Surface utile : exclusion des défauts de bord et de macro (2) 3 points : les angles de coupe des positions (2, 4, 5) sont de 0,35 ± 0,15o |
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| S-1 | S-2 | A-1 | A-2 | ||||
| Dimensions | 50,8 ± 1mm | ||||||
| Épaisseur | 350 ± 25 μm | ||||||
| Appartement d'orientation | (1-100) ± 0,5o, 16 ± 1mm | ||||||
| Appartement d'orientation secondaire | (11-20) ± 3o, 8 ± 1mm | ||||||
| Résistivité (300K) |
< 0,5 Ω·cm pour le type N (non dopé ; GaN-FS-CU-C50) ou > 1 x 106Ω·cm pour semi-isolant (dopé Fe ; GaN-FS-C-SI-C50) |
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| TTV | ≤ 15 μm | ||||||
| ARC | ≤ 20 μm ≤ 40 μm | ||||||
| Ga rugosité de la surface de la face |
< 0,2 nm (poli) ou < 0,3 nm (poli et traitement de surface pour épitaxie) |
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| N rugosité de la surface de la face |
0,5 ~ 1,5 μm option : 1~3 nm (sol fin) ;< 0,2 nm (poli) |
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| Emballer | Emballé dans une salle blanche dans un seul conteneur de plaquettes | ||||||
| Surface utilisable | > 90% | >80 % | >70 % | ||||
| Densité de luxation | <9.9x105cm-2 | <3x106cm-2 | <9.9x105cm-2 | <3x106cm-2 | <3x106cm-2 | ||
| Orientation : plan C (0001) hors angle vers l'axe M |
0,35 ± 0,15o (3 points) |
0,35 ± 0,15o (3 points) |
0,35 ± 0,15o (3 points) |
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| Densité de défauts macro (trou) | 0cm-2 | < 0,3 cm-2 | < 1cm-2 | ||||
| Taille max des macro défauts | < 700 μm | < 2000 μm | < 4000 μm | ||||
À propos de nous
Nous nous spécialisons dans le traitement d'une variété de matériaux en plaquettes, substrats et pièces en verre optique personnalisées. Composants largement utilisés dans l'électronique, l'optique, l'optoélectronique et de nombreux autres domaines.Nous avons également travaillé en étroite collaboration avec de nombreuses universités, institutions de recherche et entreprises nationales et étrangères, fournissant des produits et services personnalisés pour leurs projets de R&D.C'est notre vision de maintenir une bonne relation de coopération avec tous nos clients grâce à notre bonne réputation.
FAQ
Q : Êtes-vous une société commerciale ou un fabricant ?
Nous sommes usine.
Q : Combien de temps dure votre délai de livraison ?
Généralement, il est de 3 à 5 jours si les marchandises sont en stock.
ou c'est 7-10 jours si les marchandises ne sont pas en stock, c'est selon la quantité.
Q : Fournissez-vous des échantillons ?est-ce gratuit ou en supplément ?
Oui, nous pourrions offrir l'échantillon gratuitement mais ne payons pas les frais de transport.
Q : Quelles sont vos conditions de paiement ?
Paiement <=5000USD, 100% à l'avance.
Paymen> = 5000USD, 80% T/T à l'avance, solde avant expédition.
Personne à contacter: Xiwen Bai (Ciel)
Téléphone: +8613372109561
