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Aperçu Produitsgaufrette de silicium

2" épaisseur 279μm de gaufrette de silicium de semi-conducteur

Certificat
LA CHINE Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. certifications
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2" épaisseur 279μm de gaufrette de silicium de semi-conducteur

2" épaisseur 279μm de gaufrette de silicium de semi-conducteur
2" épaisseur 279μm de gaufrette de silicium de semi-conducteur

Image Grand :  2" épaisseur 279μm de gaufrette de silicium de semi-conducteur

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: Suzhou Chine
Nom de marque: GaNova
Certification: UKAS/ISO9001:2015
Numéro de modèle: JDCD06-001-002
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 1
Détails d'emballage: Emballage sous vide dans un environnement de salle blanche de classe 10000, dans des cassettes de 25
Délai de livraison: 3-4 jours de la semaine
Conditions de paiement: T/T
Capacité d'approvisionnement: 50000pcs/month

2" épaisseur 279μm de gaufrette de silicium de semi-conducteur

description de
Diamètre: 2" Orientation: <1-0-0><1-1-1>,<1-1-0>
Type/dopant: Type de P/bore, type de N/Phos, N Type/As, N Type/Sb Épaisseur(μm): 279
Tolérance d'épaisseur: ± standard 25μm, ± maximum 5μm de capacités résistivité: 0.001-100 ohm-cm
Extérieur fini: P/E, P/P, E/E, G/G TTV (μm): <10 μm standard, μm Capabilities<5 maximum
Arc/chaîne: Norme Particule: <10>
Mettre en évidence:

2" gaufrette de silicium de semi-conducteur

,

Type gaufrette de N d'epi de silicium

,

n a enduit la gaufrette de silicium 279um

résistivité 279 de deux pouces d'épaisseur de gaufrette de silicium (μm) 0.001-100 Ohm-cm

dispositifs de deux pouces de la gaufrette de silicium MEMS, circuits intégrés, substrats consacrés pour les dispositifs discrets


Aperçu

Peu de nous ont une occasion de rencontrer une gaufrette de silicium réelle dans la vie quotidienne. Ce disque ultra-plat est poli sur une surface comme un miroir, et rendu aussi libre comme possible des irrégularités minuscules de surface, lui faisant l'objet le plus plat au monde. Il est également ultra-propre, pratiquement exempt de microparticules et d'autres impuretés. Ces qualités sont nécessaires ainsi il peut être employé comme matériel de substrat des semi-conducteurs de pointe d'aujourd'hui.

Spécifications

gaufrette de silicium

Diamètre

2"/3"/4"/5"/6"/8"/12"
Catégorie Principal
Méthode de croissance LA CZ
Orientation <1-0-0><1-1-1>,<1-1-0>
Type/dopant Type de P/bore, type de N/Phos, N Type/As, N Type/Sb
Épaisseur (μm) 279/380/525/625/675/725/775
Tolérance d'épaisseur ± standard 25μm, ± maximum 5μm de Capabilit/IES
Résistivité 0.001-100 ohm-cm
Extérieur fini P/E, P/P, E/E, G/G
TTV (μm) Norme <10>
Arc/chaîne Norme <40>
Particule <10>

Au sujet de nous

Nous nous spécialisons en transformant un grand choix de matériaux en gaufrettes, substrats et parts.components en verre optique adapté aux besoins du client très utilisés dans l'électronique, l'optique, l'électronique opto et beaucoup d'autres domaines. Nous également avions travaillé étroitement avec beaucoup de domestiques et les universités, les instituts de recherche et les sociétés d'outre-mer, fournissent les produits et services adaptés aux besoins du client pour leurs projets de R&D. C'est notre vision à maintenir de bonnes relations de coopération avec nos tous les clients par nos bonnes réputations.

FAQ

Q : Est-vous société commerciale ou le fabricant ?
Nous sommes usine.
Q : De quelle longueur est-il votre délai de livraison ?
Généralement c'est de 3-5 jours si les marchandises sont en stock.
ou c'est de 7-10 jours si les marchandises ne sont pas en stock, il est selon la quantité.
Q : Fournissez-vous des échantillons ? est-lui librement ou supplémentaire ?
Oui, nous pourrions offrir l'échantillon pour la charge libre mais ne payons pas le coût de fret.
Q : Quelles sont vos conditions de paiement ?
Paiement <> >=5000USD, 80% T/T de paiement à l'avance, équilibre avant expédition.

Coordonnées
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Personne à contacter: Xiwen Bai (Ciel)

Téléphone: +8613372109561

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