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Gaufrette sic épitaxiale
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cz silicon wafer fabrication en ligne

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Gaufrette de silicium de la CZ de méthode de croissance 5" orientation <1-0-0>, <1-1-1>, <1-1-0>
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2022-09-27 16:53:40

Type de N type du Sb N comme gaufrette de silicium 6 pouces 8 pouces
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2023-02-17 12:43:17

2" principal μm <10 Capabilities<5um standard de gaufrette de silicium maximum
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2022-09-27 16:52:11

Plaquette de semi-conducteur de silicium CZ 380um 525um 625um
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2022-09-27 16:51:27

Type gaufrette de silicium de Phos 3" de N épaisseur 279um 380um 525um 625um
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2022-09-27 16:51:42

2" épaisseur 279μm de gaufrette de silicium de semi-conducteur
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2022-09-27 16:54:31

0.001-100 ohm-cm Plaquette de silicium Type P Dopant au bore
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2022-09-27 16:52:32

Type type Phos de la gaufrette de silicium de 12 pouces P du bore N
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2023-02-17 12:42:20

Dispositifs discrets épaisseur de plaquette de silicium de 2 pouces 675um 725um 775um
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2022-09-27 16:50:52

Dispositifs MEMS Substrats de silicium Circuits intégrés dédiés
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2022-09-27 16:52:41

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GaN Epitaxial Wafer

le Fe de visage de 2inch GaN Epitaxial Wafer C a enduit le type position libre de SI

Le Fe a enduit GaN Substrates Resistivity > 10 le ⁶ Ω·Dispositifs RF de cm

Substrats SI-GaN autonomes de 2 pouces

Gaufrette sic épitaxiale

Plaquette épitaxiale SiC biseautée 150,0 mm + 0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

bord épitaxial de gaufrette de gaufrette de SiC de la forme en cristal 4H biseautant le ± 25.0um de 350.0um

CMP polonais optique de SI-visage de C-visage sic épitaxial de gaufrette de monocristal